半导体
RFH25P08 ， RFH25P10 ，
RFK25P08 ， RFK25P10
-25A ， -100V和-80V ， 0.150欧姆，
P沟道功率MOSFET
描述
这些是P沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成税务局局长被操作
cuits 。
以前发育类型TA49230 。
BRAND
RFH25P08
RFH25P10
RFK25P08
RFK25P10
G
1998年9月
特点
-25A ， -100V和-80V
r
DS （ ON）
= 0.150
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
[ /标题
(RFH25
P08,
RFH25P
10,
RFK25P
08,
RFK25P
10)
/主题
(-25A, -
100V, -
80V,
0.150
欧姆，P-
通道
动力
MOSFET导
场效应管）
/作者
()
/密钥 -
字（ -
25A, -
100V A-
80V,
0.150
欧姆，P-
通道
动力
MOSFET导
场效应管）
/造物主
()
/ DOCIN
PDF- FO
标志
订购信息
产品型号
RFH25P08
RFH25P10
RFK25P08
RFK25P10
包
TO-218AC
TO-218AC
TO-204AE
TO-204AE
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
S
包装
JEDEC TO -218AC
JEDEC TO- 204AE
漏
来源
漏
门
漏
（法兰）
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1632.1
6-1
RFH25P08 ， RFH25P10 ， RFK25P08 ， RFK25P10
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFH25P08
RFK25P08
-80
-80
-25
-60
±20
150
1.2
-55到150
300
260
RFH25P10
RFK25P10
-100
-100
-25
-60
±20
150
1.2
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 （用于TO- 218AC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
-80
-100
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图8）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0,
T
C
= 125
o
C
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
（图9 ）
-
-
-
RFK25P08 ， RFK25P10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
165
270
165
-
-
-
-
-
-
-4
-1
-25
±100
0.150
-3.75
50
250
400
250
3000
1500
600
0.83
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFH25P08 ， RFK25P08
RFH25P10 ， RFK25P10
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极电压上（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 25A ，V
GS
= -10V ， （图6,7 ）
I
D
= -25A ，V
GS
= -10V
I
D
≈
12.5A ，V
DS
= -50V ，R
GS
= 50,
V
GS
= -10V ，R
L
= 4.0
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -12.5A
I
SD
= -4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
300
最大
-1.4
-
单位
V
ns
6-2
RFH25P08 ， RFH25P10 ， RFK25P08 ， RFK25P10
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0.8
除非另有规定编
30
25
20
15
10
5
0
25
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
125
150
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
100
I
D
最大
连续
I
D
，漏电流（ A）
T
C
= 25
o
C，T
J
=最大额定
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
60
V
GS
= -8V
40
V
GS
= -7V
V
GS
= -6V
20
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
0
10
操作
此区域可
限于由R
DS （ ON）
1
直流操作
V
DSS
（MAX）= -80V
RFH25P08 ， RFK25P08
V
DSS
（MAX）= -100V
RFH25P10 ， RFK25P10
-100
V
DS
，漏源极电压（ V）
-10
-1000
0.1
-1
I
D
，漏电流（ A）
80
0
-2
-4
-6
-8
V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.正向偏置安全工作区
图4.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
40
导通电阻（ Ω ）
30
r
DS （ ON）
，漏极到源极
V
DS
= -10V
脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
T
C
= -40
o
C
25
o
C
V
GS
= -10V
脉冲持续时间为80μs =
0.16占空比
≤
2%
T
C
= 125
o
C
0.12
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
0.20
20
125
o
C
0.08
10
125
o
C
0
0
-40
o
C
0.04
0
-2
-4
-6
-8
V
GS
，门源电压（ V）
-10
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图5.传输特性
图6.漏极至源极导通电阻VS
漏电流
6-3
RFH25P08 ， RFH25P10 ， RFK25P08 ， RFK25P10
典型性能曲线
4
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 25A
V
GS
= -10V
3
除非另有规定编
（续）
归一化的栅极阈值电压
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
0
50
100
150
I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
2
1
0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
4000
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
门
来源
电压
V
GS
，门源电压（ V）
BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
75
V
DD
= BV
DSS
8
C
RSS
C
OSS
C，电容（pF ）
3000
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
6
50
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
R
L
= 4
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
GS
= -10V
漏源电压
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
2000
C
国际空间站
4
1000
C
OSS
C
RSS
25
2
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，时间（μs ）
80
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
0
10%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
DUT
V
GS
R
G
-
V
DD
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
6-4
QQ：2881677436 复制
