RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
数据表
2002年1月
50A ， 60V ， 0.022 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些N沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49018 。
特点
50A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
符号
D
订购信息
产品型号
RFG50N06
RFP50N06
RF1S50N06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG50N06
RFP50N06
F1S50N06
S
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S50N06SM9A 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
门
来源
漏
（法兰）
2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG50N06 ， RFP50N06
RF1S50N06SM
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
60
60
±
20
50
（图5）
（图6）
131
0.877
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图10 ）
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±
20V
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V （图9 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A
R
L
= 0.6
, V
GS
= 10V
R
GS
= 3.6
（图13）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 50A,
R
L
= 0.96
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
（图13）
-
-
-
-
-
-
（图3）
TO-247
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
55
37
13
-
125
67
3.7
2020
600
200
-
-
-
最大
-
4
1
50
±
100
0.022
95
-
-
-
-
75
150
80
4.5
-
-
-
1.14
30
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 50A
I
SD
= 50A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
除非另有规定编
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
t
1
P
DM
Z
θJC
归一化
图3.归一化最大瞬态热阻抗
400
T
J
=最大额定
单脉冲
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
10
3
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= 20V
175
–
T C
I = I 25
-----------------------
-
150
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 60V
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
100
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
T
C
= 25
o
C
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
125
V
GS
= 10V
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100
V
GS
= 8V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 7V
75
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
50
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
25
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记9321和9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
125
归一漏极至源极
抗性
I
D
，漏电流（ A）
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
25
o
C
2.5
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
175
o
C
75
1.5
50
1.0
25
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
4000
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
2000
除非另有规定编
（续）
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
3000
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
15
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
5.0
1000
C
OSS
C
RSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.2
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
V
GS
= 10V
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
2.5
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
V
DS
V
DS
V
GS
R
L
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
t
D（上）
90%
DUT
R
GS
V
GS
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.开关波形
2002仙童半导体公司
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM版本B
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
3575.4
50A ， 60V ， 0.022 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些N沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49018 。
特点
50A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
符号
D
订购信息
产品型号
RFG50N06
RFP50N06
RF1S50N06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG50N06
RFP50N06
F1S50N06
S
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀，图9A，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S50N06SM9A 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
4-467
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG50N06 ， RFP50N06
RF1S50N06SM
60
60
±20
50
（图5）
（图6 ，图14， 15）的
131
0.877
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 50A ，V
GS
= 10V （图9 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 50A
R
L
= 0.6, V
GS
= 10V
R
GS
= 3.6
（图13）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 50A,
R
L
= 0.96
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
（图13）
-
-
-
-
-
-
（图3）
TO-247
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
55
37
13
-
125
67
3.7
2020
600
200
-
-
-
最大
-
4
1
50
±100
0.022
95
-
-
-
-
75
150
80
4.5
-
-
-
1.14
30
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 50A
I
SD
= 50A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
4-468
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
除非另有规定编
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
t
1
P
DM
Z
θJC
归一化
图3.归一化最大瞬态热阻抗
400
T
J
=最大额定
单脉冲
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
10
3
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= 20V
175
–
T C
-
25
-----------------------
150
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 60V
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
100
I = I
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
T
C
= 25
o
C
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-469
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
125
V
GS
= 10V
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100
V
GS
= 8V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 7V
75
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
50
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
25
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
注：请参阅Intersil的应用笔记9321和9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
125
归一漏极至源极
抗性
I
D
，漏电流（ A）
100
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
25
o
C
2.5
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
175
o
C
75
1.5
50
1.0
25
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4-470
RFG50N06 ， RFP50N06 ， RF1S50N06SM
典型性能曲线
4000
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
2000
除非另有规定编
（续）
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
3000
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
15
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
5.0
1000
C
OSS
C
RSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.2
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
V
GS
= 10V
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
2.5
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
V
DS
V
DS
V
GS
R
L
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
t
D（上）
90%
DUT
R
GS
V
GS
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.开关波形
4-471
QQ：2880707522 复制
