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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第572页 > RFD8P06LE
RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFP8P06LE
数据表
1999年7月
网络文件编号
4273.1
8A , 60V , 0.300欧姆,额定ESD ,逻辑
级,P沟道功率MOSFET
这些产品是P沟道功率MOSFET
使用MegaFET工艺制造。这个过程中,
它使用特征尺寸接近LSI电路,
给出了硅的最佳利用,造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器,开关转换器,电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49203 。
特点
8A , 60V
r
DS ( ON)
= 0.300
2kV的ESD保护
温度补偿PSPICE
模型
PSPICE热模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
订购信息
产品型号
RFD8P06LE
RFD8P06LESM
RFP8P06LE
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F8P6LE
F8P6LE
FP8P06LE
符号
D
G
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴,也就是说,
RFD8P06LESM9A.
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极(法兰)
漏极(法兰)
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
7-11
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFP8P06LE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
RFD8P06LE , RFD8P06LESM ,
RFP8P06LE
-60
-60
-8
-6.3
参见图5
±10
48
0.32
参见图6
-55至175
300
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ的) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
耗散降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
( 0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
r
DS ( ON)
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
g(-5)
Q
G( TH )
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
TO- 251AA ,TO- 252AA
TO-220AB
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0 -5V
V
GS
= 0到-1V
V
DD
= -48V ,我
D
8A,
R
L
= 6
I
G( REF )
= -0.2mA
(图14)
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图11)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图12)
V
DS
=- 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 8A ,V
GS
= -5V (图9 ,10)
I
D
= 8A ,V
GS
= -4.5V (图9 ,10)
V
DD
= -30V ,我
D
8A ,R
GS
= 9.1, R
L
= 3.75
(图13)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
-60
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
10
50
30
20
-
25
15
1.2
675
175
50
-
-
最大
-
-2
-1
-50
±10
0.300
0.330
90
-
-
-
-
75
30
18
1.5
-
-
-
3.125
100
80
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
导通电阻(注1 )
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
=- 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
(图15)
源极到漏极二极管特定网络阳离子
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
参数
源极到漏极二极管电压(注1 )
反向恢复时间
注意:
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤2%.
符号
V
SD
t
rr
测试条件
T
J
= 25
o
C,我
SD
= - 8A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C,我
SD
= - 8A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
125
单位
V
ns
7-12
RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFP8P06LE
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
125
50
75
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
I
D
,漏电流( A)
除非另有规定编
-10
-8
-6
-4
-2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2.0
1.0
Z
θJC
归一化
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
P
DM
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
注: DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-100
T
C
= 25
o
C,T
J
=最大额定
-10
2
T
C
= 25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下:
175
T C
I = I
-----------------------
-
25
150
100s
-10
1ms
10ms
100ms
DC
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
I
DM
峰值电流( A)
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= -10V
-1
V
GS
= -5V
-10
可能限流
在这个区域
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T,脉冲宽度(毫秒)
10
0
10
1
V
DS ( MAX)
= -60V
-100
-0.1
-1
-5
-10
V
DS
,漏源极电压( V)
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
7-13
RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFP8P06LE
典型性能曲线
-30
I
AS
,雪崩电流( A)
起始物为
J
= 25
o
C
-10
除非另有规定编
-30
I
D
,漏电流( A)
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 % MAX
-25 T
C
= 25
o
C
V
GS
= -10V
-20
-15
-10
-5
0
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
DS
,漏源极电压( V)
V
GS
= -5V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4V
V
GS
= -3V
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-1
0.01
0.1
1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
-30
I
D(上)
, ON-状态下的漏电流(A)
-55
o
C
600
25
o
C
r
DS ( ON)
,通态电阻(mΩ )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= -15V
I
D
= -8A
I
D
= -4A
I
D
= -2A
I
D
= -1A
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
500
175
o
C
400
300
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
V
GS
,门源电压( V)
-7.5
200
-2.0
V
GS
,门源电压( V)
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2.25
归一化导通电阻
归一漏极至源极
击穿电压
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
2.00 V
GS
= -5V ,我
D
= -8A
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-80
2.0
1.15
1.1
1.05
1.0
0.95
0.9
-80
I
D
= -250A
-40
0
40
80
120
160
200
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
7-14
RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFP8P06LE
典型性能曲线
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
切换时间(纳秒)
除非另有规定编
125
V
DD
= -30V ,我
D
= -8A ,R
L
= 3.75
t
r
100
归一化门
阈值电压
1.2
75
t
D(关闭)
50
1.0
t
f
0.8
25
t
D(上)
0.6
-80
0
-40
0
40
80
120
160
o
C)
T
J
,结温(
200
0
20
30
40
10
R
GS
,门源电阻( Ω )
50
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
-60
V
DS
,漏源极电压( V)
V
DD
ΔBV
DSS
-45
R
L
= 7.5
I
G( REF )
= -0.20mA
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
-15
0.25 BV
DSS
V
GS
= -5V
0
20
0.00
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-1.25
V
DD
= BV
DSS
-3.75
-5.00
V
GS
,门源电压( V)
图13.开关时间栅的功能
阻力
1000
V
GS
= 0V , F =为0.1MHz
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
800
C,电容(pF )
C
国际空间站
600
-30
-2.50
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
V
DS
,漏源极电压( V)
-60
I
G( REF )
I
G( ACT )
T, TIME (
s)
80
I
G( REF )
I
G( ACT )
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图15.电容VS漏源极电压
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
V
DD
+
0V
t
P
-V
GS
DUT
V
DD
I
AS
t
P
V
DS
BV
DSS
I
AS
0.01
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
7-15
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RFD8P06LE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
RFD8P06LE
INTERL
21+
8520
TO252
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881291855 复制

电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
RFD8P06LE
INTERSIL
23+
3600
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
RFD8P06LE
INTERL
20+
6000
TO252
百分之百原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
RFD8P06LE
Fairchild Semiconductor
24+
10000
IPAK
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
RFD8P06LE
Harris Corporation
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RFD8P06LE
HAR
24+
8420
TO-251AA
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
RFD8P06LE
仙童
25+23+
33940
TO-247
全新原装正品绝对优势现货热卖
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
RFD8P06LE
HAR
2024+
9675
TO-251AA
优势现货,全新原装进口
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
RFD8P06LE
Fairchild Semiconductor
24+
22000
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电话:0755-83951431
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22+
8953
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