RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
数据表
2002年1月
8A ， 60V ， 0.300欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些P沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器，继电器驱动器和发射极开关双极
晶体管。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
该RFD8P06E ， RFD8P06ESM和RFP8P06E Incorporate的
ESD保护，并且设计成能承受2kV的（人类
ESD人体模型） 。
以前发育类型TA49044 。
特点
8A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.300
温度补偿PSPICE
模型
2kV的ESD保护
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFP8P06E
RFD8P06ESM
RFD8P06E
包
TO-220AB
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
RFP8P06E
D8P06E
D8P06E
S
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即
RFD8P06ESM9A.
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E版本B
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
-60
-60
±
20
8
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
48
0.32
2
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
kV
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20K
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
静电放电额定值MIL -STD- 883 ， B类（ 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ESD
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
图12
TO-220
的TO- 251 ，TO- 252
V
GS
= 0 -20V
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0到-2V
V
DD
= -48V ，我
D
= 8A,
R
L
= 6
I
G（ REF ）
= -1.45mA
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±
20V
I
D
= 8A ，V
GS
= -10V
V
DD
= -30V ，我
D
≈
8A,
R
L
= 3.75
, V
GS
= -10V ，R
G
= 2.5
（图13）
民
-60
-2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
30
40
25
-
30
15
1.15
600
160
35
-
-
-
最大
-
-4.0
-1.0
-25
±
10
0.300
70
-
-
-
-
100
36
18
1.5
-
-
-
3.125
62
100
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注3 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
S，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -8A
I
SD
= -8A ，二
SD
/ DT = -100A /
s
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
125
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E版本B
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
-10
-8
-6
-4
-2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
热阻抗
0.5
Z
θJC
归一化
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
P
DM
10
-4
图3.归一化瞬态热阻抗
-100
T
C
= 25
o
C，T
J
=最大额定
-10
2
I
D
，漏电流（ A）
100s
-10
1ms
10ms
-1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
100ms
DC
I
DM
峰值电流（ A）
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= -20V
175
–
T C
I
=
I 25
---------------------
150
V
GS
= -10V
-10
跨
可能限流
在这个区域
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
T
C
= 25
o
C
-0.1
-1
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
-100
-5
10
-6
10
0
10
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E Rev.B的
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
-30
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
-15
V
GS
= -20V
-10
除非另有规定编
（续）
-20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
-10
V
GS
= -7V
起始物为
J
= 150
o
C
V
GS
= -6V
-5
V
GS
= -4.5V
0
V
GS
= -5V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
-1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
-20
V
DD
= -15V
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-15
-55
o
C
归一漏极至源极
抗性
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10V ，我
D
= 8A
2.0
25
o
C
1.5
-10
175
o
C
-5
1.0
0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
2.0
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
温度
图11.归一漏极至源极击穿
电压与温度
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E版本B
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
1000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
除非另有规定编
（续）
-60
V
DS
，漏源极电压（ V）
-10.0
V
DD
= BV
DSS
-45
R
L
= 1.2
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
-15
0.25 BV
DSS
V
GS
= -10V
0
0.0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.5
V
DD
= BV
DSS
-7.5
V
GS
，门源电压（ V）
800
C，电容（pF ）
C
国际空间站
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
-30
-5.0
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
V
DS
，漏源极电压（ V）
注意：
图12.电容VS漏源极电压
参见飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
V
DD
+
0V
t
P
-V
GS
DUT
V
DD
I
AS
t
P
V
DS
BV
DSS
I
AS
0.01
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
10%
R
L
V
DS
V
GS
-
+
0
V
DS
0
90%
90%
0V
R
GS
-V
GS
DUT
10%
50%
V
GS
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
2002仙童半导体公司
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E Rev.B的
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
数据表
1999年7月
网络文件编号
3937.5
8A ， 60V ， 0.300欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些P沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器，继电器驱动器和发射极开关双极
晶体管。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
该RFD8P06E ， RFD8P06ESM和RFP8P06E Incorporate的
ESD保护，并且设计成能承受2kV的（人类
ESD人体模型） 。
以前发育类型TA49044 。
特点
8A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.300
温度补偿PSPICE
模型
2kV的ESD保护
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFP8P06E
RFD8P06ESM
RFD8P06E
包
TO-220AB
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
RFP8P06E
D8P06E
D8P06E
S
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即
RFD8P06ESM9A.
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
4-117
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权所有 Intersil公司1999
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
-60
-60
±20
8
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
48
0.32
2
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
kV
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20KΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
静电放电额定值MIL -STD- 883 ， B类（ 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ESD
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
图12
TO-220
的TO- 251 ，TO- 252
V
GS
= 0 -20V
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0到-2V
V
DD
= -48V ，我
D
= 8A,
R
L
= 6
I
G（ REF ）
= -1.45mA
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 8A ，V
GS
= -10V
V
DD
= -30V ，我
D
≈
8A,
R
L
= 3.75, V
GS
= -10V ，R
G
= 2.5
（图13）
民
-60
-2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
30
40
25
-
30
15
1.15
600
160
35
-
-
-
最大
-
-4.0
-1.0
-25
±10
0.300
70
-
-
-
-
100
36
18
1.5
-
-
-
3.125
62
100
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注3 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -8A
I
SD
= -8A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
125
单位
V
ns
4-118
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
-10
-8
-6
-4
-2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
热阻抗
0.5
Z
θJC
归一化
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
P
DM
10
-4
图3.归一化瞬态热阻抗
-100
T
C
= 25
o
C，T
J
=最大额定
-10
2
I
D
，漏电流（ A）
100s
-10
1ms
10ms
-1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
100ms
DC
I
DM
峰值电流（ A）
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= -20V
I
=
I
175
–
T C
---------------------
-
25
150
V
GS
= -10V
-10
跨
可能限流
在这个区域
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
T
C
= 25
o
C
-0.1
-1
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
-100
-5
10
-6
10
0
10
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-119
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
-30
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
-15
V
GS
= -20V
-10
除非另有规定编
（续）
-20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
-10
V
GS
= -7V
起始物为
J
= 150
o
C
V
GS
= -6V
-5
V
GS
= -4.5V
0
V
GS
= -5V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
-1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
-20
V
DD
= -15V
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-15
-55
o
C
归一漏极至源极
抗性
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10V ，我
D
= 8A
2.0
25
o
C
1.5
-10
175
o
C
-5
1.0
0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
2.0
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
温度
图11.归一漏极至源极击穿
电压与温度
4-120
RFD8P06E ， RFD8P06ESM ， RFP8P06E
典型性能曲线
1000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
除非另有规定编
（续）
-60
-10.0
V
DD
= BV
DSS
-45
R
L
= 1.2
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
-15
0.25 BV
DSS
V
GS
= -10V
0
0.0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.5
V
DD
= BV
DSS
-7.5
V
GS
，门源电压（ V）
800
C，电容（pF ）
C
国际空间站
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
V
DS
，漏源极电压（ V）
-30
-5.0
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
V
DS
，漏源极电压（ V）
注意：
图12.电容VS漏源极电压
请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
V
DD
+
0V
t
P
-V
GS
DUT
V
DD
I
AS
t
P
V
DS
BV
DSS
I
AS
0.01
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
10%
R
L
V
DS
V
GS
-
+
0
V
DS
0
90%
90%
0V
R
GS
-V
GS
DUT
10%
50%
V
GS
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-121
QQ：2880707522 复制
