RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
数据表
2002年1月
12A ， 60V ， 0.150 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA49082 。
特点
12A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.150
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055
RFD3055SM
RFP3055
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
FD3055
FD3055
FP3055
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A ，
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD3055SM9A 。
包装
JEDEC TO- 251AA
JEDEC TO- 252AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏极（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
2002仙童半导体公司
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055版本B
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
60
60
±
20
12
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
53
0.357
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20K
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值（图14,15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
的TO- 251和TO- 252
TO-220
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 12A,
R
L
= 4
,
I
G（ REF ）
= 0.24毫安
（图13）
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图10 ）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
C
= 125
o
C，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
V
GS
=
±
20V
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V （图9） （注2 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 12A
R
L
= 2.5
, V
GS
= +10V
R
G
= 10
（图13）
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
7
21
16
10
-
19
10
0.6
300
100
30
-
-
-
最大
-
4
1
25
100
0.150
40
-
-
-
-
40
23
12
0.8
-
-
-
2.8
100
62.5
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 12A
I
SD
= 12A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
100
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055版本B
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
除非另有规定编
14
12
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
ψJC ，
归一化瞬时
1
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
P
DM
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
50
I
DM
，峰值电流容量（ A）
200
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
I
=
I
175
–
T C
*
---------------------
25
150
10
100s
100
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
10ms
DC
V
GS
= 20V
1
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
0.1
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055版本B
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
24
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
18
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
10
起始物为
J
= 150
o
C
12
V
GS
= 6V
6
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
0
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.01
0.1
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
1
1
0.001
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
24
I
D
，ON状态下的漏电流（A）
归一漏极至源极
抗性
V
DS
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
-55
o
C
25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
2.0
18
175
o
C
12
1.5
1.0
6
0.5
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
归一化的栅极阈值电压
2.0
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0
-80
-40
0
80
120
160
40
T
J
，结温（
o
C)
200
图10.归一化栅极阈值电压Vs
温度
图11.归一漏极至源极击穿
电压与温度
2002仙童半导体公司
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055版本B
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
600
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
400
C
国际空间站
除非另有规定编
（续）
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
门源电压（ V）
C，电容（pF ）
30
0.75 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 5
I
G（ REF ）
= 0.24毫安
V
GS
= 10V
0
5.0
200
C
OSS
C
RSS
15
2.5
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
-
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
2002仙童半导体公司
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
数据表
2002年1月
11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些N沟道增强模式功率MOSFET的
采用最新的制造工序制造
技术。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI电路，给出了最佳利用
硅，保证了出色的性能。他们是
在应用中，如开关，设计用于
稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49158 。
特点
11A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.107
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055LE
RFD3055LESM
RFP3055LE
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F3055L
G
F3055L
FP3055LE
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 252的变体，磁带和卷轴，如： RFD3055LESM9A 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD3055LE ， RFD3055LESM ，
RFP3055LE
60
60
±
16
11
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
38
0.25
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
TO-220AB
TO- 251AA ，TO- 252AA
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
V
DD
= 30V ，我
D
= 8A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图20,21 ）
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±
16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 5V （图11）
V
DD
≈
30V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 32
（图10 ，18， 19）的
民
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
8
105
22
39
-
9.4
5.2
0.36
350
105
23
-
-
-
最大
-
3
1
250
±
100
0.107
170
-
-
-
-
92
11.3
6.2
0.43
-
-
-
3.94
62
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 8A
测试条件
民
典型值
-
-
最大
1.25
66
单位
V
ns
I
SD
= 8A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
0
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
10
V
GS
= 4.5V
除非另有规定编
15
5
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化瞬态热阻抗
100
200
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
峰值电流（ A）
100
10
100s
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定牛逼
C
= 25
o
C
1ms
10ms
V
GS
= 5V
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
200
10
10
-5
T，脉冲宽度（ S）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
除非另有规定编
（续）
15
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
12
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
9
V
GS
= 3.5V
6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
3
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 3V
4
1
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
15
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
150
I
D
= 3A
I
D
= 11A
I
D
= 5A
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
12
I
D,
漏电流（ A）
9
6
T
J
= 25
o
C
90
3
T
J
= 175
o
C
0
2
3
T
J
= -55
o
C
60
4
5
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
150
t
r
100
归一漏极至源极
抗性
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ，我
D
= 8A
切换时间（纳秒）
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
1.5
t
f
50
t
D（关闭）
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
1000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 30V
8
100
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
4
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
10
0.1
C
RSS
=
C
GD
60
任意波形
降序排列：
I
D
= 11A
I
D
= 5A
I
D
= 3A
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
数据表
1999年7月
网络文件编号
3648.2
12A ， 60V ， 0.150 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA49082 。
特点
12A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.150
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055
RFD3055SM
RFP3055
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
FD3055
FD3055
FP3055
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀9A ，
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD3055SM9A 。
包装
JEDEC TO- 251AA
JEDEC TO- 252AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
漏极（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
4-435
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
60
60
±20
12
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
53
0.357
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20KΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值（图14,15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
的TO- 251和TO- 252
TO-220
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 12A,
R
L
= 4,
I
G（ REF ）
= 0.24毫安
（图13）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
C
= 125
o
C，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
V
GS
=
±20V
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V （图9） （注2 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 12A
R
L
= 2.5, V
GS
= +10V
R
G
= 10
（图13）
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
7
21
16
10
-
19
10
0.6
300
100
30
-
-
-
最大
-
4
1
25
100
0.150
40
-
-
-
-
40
23
12
0.8
-
-
-
2.8
100
62.5
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 12A
I
SD
= 12A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
100
单位
V
ns
4-436
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
除非另有规定编
14
12
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
ψJC ，
归一化瞬时
1
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
P
DM
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
50
I
DM
，峰值电流容量（ A）
200
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T
C
-
I
=
I 25
*
---------------------
150
10
100s
100
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
10ms
DC
V
GS
= 20V
1
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
0.1
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
单脉冲
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-437
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
24
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
18
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
10
起始物为
J
= 150
o
C
12
V
GS
= 6V
6
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
0
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.01
0.1
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
1
1
0.001
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
24
I
D
，ON状态下的漏电流（A）
归一漏极至源极
抗性
V
DS
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
-55
o
C
25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
2.0
18
175
o
C
12
1.5
1.0
6
0.5
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
归一化的栅极阈值电压
2.0
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0
-80
-40
0
80
120
160
40
T
J
，结温（
o
C)
200
图10.归一化栅极阈值电压Vs
温度
图11.归一漏极至源极击穿
电压与温度
4-438
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
400
C
国际空间站
除非另有规定编
（续）
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
门源电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
C，电容（pF ）
30
0.75 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 5
I
G（ REF ）
= 0.24毫安
V
GS
= 10V
0
5.0
200
C
OSS
C
RSS
15
2.5
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
-
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-439
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFD3055 ， RFD3055SM
RFP3055
12A ， 60V ，额定雪崩， N沟道
增强型功率MOSFET （ MegaFETs ）
包装
JEDEC TO- 220AB
顶视图
漏
（法兰）
来源
漏
门
1994年2月
特点
12A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.150
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
+175
o
C的工作温度
描述
漏
（法兰）
JEDEC TO- 251AA
顶视图
来源
漏
门
漏
（法兰）
该RFD3055 ， RFD3055SM和RFP3055 N沟道
功率MOSFET是采用MegaFET亲制造
塞斯。这个过程中，它使用特征尺寸接近
这些LSI集成电路给出了最佳利用
硅，保证了出色的性能。他们是
在应用中，如开关稳压设计用于
器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器和
发射极开关，用于双极型晶体管。这些晶体管
可以直接从集成电路操作。
该RFD3055是在JEDEC TO - 251AA塑料供应
封装， RFD3055SM在JEDEC的供给
TO- 252AA塑料封装和RFP3055的供应
JEDEC TO- 220AB塑料封装。由于篇幅的限制
在RFD3055和RFD3055SM是品牌FD3055 。
订货时
RFD3055SM.
利用
该
整个
部分
数;
例如。
JEDEC TO- 252AA
顶视图
来源
漏
门
符号
D
发育类型TA49082 。
G
S
绝对最大额定值
(T
C
= +25
o
C） ，除非另有规定编
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
60
60
±20
12
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
30
53
0.357
-55到+175
单位
V
V
V
A
漏源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
最大雪崩电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
AM
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
T
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
A
W
W/
o
C
o
C
版权
哈里斯公司1994年
1
网络文件编号
3648
特定网络阳离子RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 0.25毫安，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 12A ，V
GS
= 10V
V
DD
= 30V ，我
D
= 12A
R
L
= 2.5, V
GS
= +10V
R
GS
= 10
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
I
D
= 12A ，V
DS
= 15V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= 48V,
I
D
= 12A,
R
L
= 4
-
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252封装
的TO-220封装
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
7
21
16
10
-
19
10
0.6
-
300
100
30
-
-
-
最大
-
4
1
50
100
0.150
40
-
-
-
-
40
23
12
0.8
7.5
-
-
-
2.8
100
80
单位
V
V
A
A
nA
W
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
高原电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
G(10)
Q
G（ TH ）
V
（高原）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
C / W
源极 - 漏极二极管额定值和特性
范围
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= 12A
I
SD
= 12A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
100
单位
V
ns
2
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
50
T
C
= +25
o
C
10
10
100s
归
热响应（Z
θJC
)
I
D
，漏电流（ A）
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
1ms
10ms
DC
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
100
1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DSS
MAX = 60V
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图1，并且采取措施经营面积曲线
图2.归一化最大瞬态热
阻抗
T
C
= +25
o
C
200
I
DM
，峰值电流容量（ A）
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T
C
* -------------------
-
25
150
14
12
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
100
'I
V
GS
= 20V
=
I
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
T，脉冲宽度（毫秒）
图3.最大连续漏极电流VS
温度
24
脉冲宽度= 250μs的牛逼
C
= +25
o
C
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
18
V
GS
= 7V
12
V
GS
= 6V
6
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
7.5
V
GS
= 8V
I
D（上）
，ON状态下的漏电流（A）
24
图4.峰值电流容量
V
DD
= 15V
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
18
-55
o
C
+25
o
C
+175
o
C
12
6
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图5.典型的饱和特性
图6.典型的传输特性
3
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
2.5
（续）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
2.0
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
2.0
归一化
DS （ ON）
归V
GS （ TH）
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J,
结温（
o
C)
200
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J,
结温（
o
C)
200
图7.归
DS （ ON）
VS结
温度
2.0
I
D
= 250A
图8.归栅极阈值电压Vs
温度
1.2
功耗乘法器
1.0
归BV
DSS
1.5
0.8
1.0
0.6
0.4
0.5
0.2
0.0
-80
0.0
-40
0
80
120
160
40
o
C)
T
J,
结温（
200
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
T
C
，外壳温度
图9.归一漏源击穿
电压与温度
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
图10.归功耗与
温度降额曲线
60
V
DS ，
漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
10
V
GS ，
栅源电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
7.5
C，电容（pF ）
400
C
国际空间站
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
15
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
5.0
200
C
OSS
2.5
C
RSS
0
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
25
I
G（ REF ）
20
I
G（ ACT ）
R
L
= 5
I
G（ REF ）
= 0.24毫安
V
GS
= 10V
0
T，时间（μs ）
I
G（ REF ）
80
I
G（ ACT ）
图11.典型电容VS电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流。 REFER TO
应用笔记AN7254和AN7260
4
RFD3055 ， RFD3055SM ， RFP3055
典型性能曲线
50
（续）
I
如，
雪崩电流（ A）
起始物为
J
= +25
o
C
10
起始物为
J
= +150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
图13.非钳位感应开关
测试电路
V
DS
BV
DSS
t
p
I
AS
L
V
DS
V
DD
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
R
G
DUT
+
-
V
DD
0V
t
AV
t
P
I
L
0.01
图14.松开能源波形
图15.松开能源利用检测电路
t
ON
t
D（上）
t
R
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
F
90%
V
GS
V
DD
R
L
V
DS
10%
10%
0V
90%
R
GS
DUT
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.电阻开关波形
图17.电阻开关测试电路
5
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
数据表
2002年1月
11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些N沟道增强模式功率MOSFET的
采用最新的制造工序制造
技术。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI电路，给出了最佳利用
硅，保证了出色的性能。他们是
在应用中，如开关，设计用于
稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49158 。
特点
11A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.107
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055LE
RFD3055LESM
RFP3055LE
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F3055L
G
F3055L
FP3055LE
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 252的变体，磁带和卷轴，如： RFD3055LESM9A 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD3055LE ， RFD3055LESM ，
RFP3055LE
60
60
±
16
11
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
38
0.25
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
TO-220AB
TO- 251AA ，TO- 252AA
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
V
DD
= 30V ，我
D
= 8A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图20,21 ）
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±
16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 5V （图11）
V
DD
≈
30V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 32
（图10 ，18， 19）的
民
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
8
105
22
39
-
9.4
5.2
0.36
350
105
23
-
-
-
最大
-
3
1
250
±
100
0.107
170
-
-
-
-
92
11.3
6.2
0.43
-
-
-
3.94
62
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 8A
测试条件
民
典型值
-
-
最大
1.25
66
单位
V
ns
I
SD
= 8A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
0
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
10
V
GS
= 4.5V
除非另有规定编
15
5
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化瞬态热阻抗
100
200
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
峰值电流（ A）
100
10
100s
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定牛逼
C
= 25
o
C
1ms
10ms
V
GS
= 5V
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
200
10
10
-5
T，脉冲宽度（ S）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
除非另有规定编
（续）
15
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
12
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
9
V
GS
= 3.5V
6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
3
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 3V
4
1
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
15
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
150
I
D
= 3A
I
D
= 11A
I
D
= 5A
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
12
I
D,
漏电流（ A）
9
6
T
J
= 25
o
C
90
3
T
J
= 175
o
C
0
2
3
T
J
= -55
o
C
60
4
5
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
150
t
r
100
归一漏极至源极
抗性
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ，我
D
= 8A
切换时间（纳秒）
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
1.5
t
f
50
t
D（关闭）
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
1000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 30V
8
100
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
4
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
10
0.1
C
RSS
=
C
GD
60
任意波形
降序排列：
I
D
= 11A
I
D
= 5A
I
D
= 3A
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
2002仙童半导体公司
RFD3055LE ， RFD3055LESM ， RFP3055LE版本B
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