半导体
RFD16N06,
RFD16N06SM
16A ， 60V ， 0.047欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些N沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个方法，该方法使用了特征
尺寸接近LSI集成电路，给人opti-
妈妈利用硅，保证了出色的perfor-
曼斯。它们被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
和继电器驱动器。这些晶体管可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA09771 。
1998年9月
特点
16A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.047
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
[ /标题
(RFD16
N06,
RFD16
N06SM)
/子
拍摄对象
(16A,
60V,
0.047
欧姆，
N-二常用信
NEL
动力
MOSFET导
FET）
/作者
()
/密钥 -
WORDS
（哈里斯
半
传导
器， N-
信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管，
TO -
251AA,
TO -
252AA)
/ Cre-
符号
订购信息
产品型号
RFD16N06
RFD16N06SM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
F16N06
F16N06
来源
门
漏
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A到转播
覃的TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD16N06SM9A 。
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
漏
（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
4087.1
5-1
RFD16N06 ， RFD16N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C
RFD16N06 ， RFD16N06SM
60
60
16
是指峰值电流曲线
±20
参见UIS曲线
72
0.48
-55至175
300
260
单位
V
V
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
,
T
C
= 150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 48V ，我
D
= 16A,
R
L
= 3, I
G（ REF ）
- 0.8毫安
（图18,19 ）
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
14
30
55
30
-
-
-
-
900
325
100
-
-
最大
-
4
1
25
±100
0.047
65
-
-
-
-
125
80
45
2.2
-
-
-
2.083
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
GS
=
±20V
I
D
= 16A ，V
GS
= 10V （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
≈
8A ，R
L
= 3.75,
V
GS
= 10V ，R
G
= 25
（图13 ，16， 17）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
5-2
RFD16N06 ， RFD16N06SM
典型性能曲线
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
IDM
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
40
（续）
50
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
30
V
GS
= 6V
20
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
o
C
10
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
0
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
注意：
请参阅哈里斯应用笔记AN9321和AN9322 。
图7.饱和特性
图6.松开电感式开关
能力
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
50
2.5
归一漏极至源极
抗性
-55
o
C
175
o
C
40
V
DD
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
2.0
25
o
C
30
1.5
20
1.0
10
0.5
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
归一化门
阈值电压
-40
0
40
80
120
160
o
C)
T
J
，结温（
200
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
0
-80
-40
0
40
80
120
160
o
C)
T
J
，结温（
200
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
5-4
RFD16N06 ， RFD16N06SM
典型性能曲线
1600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
C
国际空间站
800
C
OSS
400
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
（续）
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
1200
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 3.75
I
G（ REF ）
- 0.8毫安
V
GS
= 10V
0
5.0
15
2.5
0
I
G
(
REF
)
-
20
---------------------
I
G
(
AC牛逼
)
T，时间（μs ）
I
G
(
REF
)
-
80
---------------------
I
G
(
AC牛逼
)
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
I
AS
V
DD
-
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
V
DS
t
ON
t
D（上）
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
V
GS
R
L
V
DS
+
90%
DUT
R
GS
V
GS
-
V
DD
0
10%
90%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
10%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
5-5
QQ：2880707522 复制
