【RFD16N05 ， RFD16N05SM数据表2003年11月16A ， 50V ， 0.047 】,IC型号RFD16N05_03,RFD16N05_03 PDF资料,RFD16N05

RFD16N05 ， RFD16N05SM

数据表

2003年11月

16A ， 50V ， 0.047 Ohm的N通道功率

MOSFET的

该RFD16N05和RFD16N05SM N沟道功率

MOSFET的使用MegaFET工艺制造。

这个过程中，它使用特征尺寸接近的

LSI集成电路，给出了硅的最佳利用，

保证了出色的性能。它们被设计

在应用中，如开关稳压器的使用，

开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器。这些

晶体管可以直接从集成电路来操作。

以前发育类型TA09771 。

特点

16A ， 50V

r

DS （ ON）

= 0.047

温度补偿PSPICE

模型

峰值电流与脉冲宽度曲线

UIS额定值曲线

175

o

C的工作温度

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

订购信息

产品型号

RFD16N05

RFD16N05SM

包

TO-251AA

TO-252AA

BRAND

D16N05

符号

D

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至

获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD16N05SM9A 。

G

S

包装

JEDEC TO- 251AA

来源

漏

门

JEDEC TO- 252AA

漏极（法兰）

门

来源

漏极（法兰）

2003仙童半导体公司

RFD16N05 ， RFD16N05SM牧师B1

RFD16N05 ， RFD16N05SM

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

RFD16N05 ， RFD16N05SM ，

50

16

是指峰值电流曲线

±20

参见图5

72

0.48

-55至175

300

260

单位

V

A

V

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

漏源极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DSS

漏极至栅极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DGR

连续漏电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

D

漏电流脉冲（注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

DM

门源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .V

GS

脉冲雪崩额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .E

AS

功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

减免上述25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J,

T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

PKG

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1. T

J

= 25

o

C至150

o

C.

电气规格

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V （图11）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

DS

=额定BV

DSS

, V

GS

= 0V

V

DS

= 0.8×额定BV

DSS

, V

GS

= 0V,

T

C

= 150

o

C

民

50

2

-

V

GS

= 0V至20V

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 40V ，我

D

≈

16A,

R

L

= 2.5

I

G（ REF ）

- 0.8毫安

（图13）

-

的TO- 251和TO- 252

-

典型值

-

14

30

55

30

-

900

325

100

-

最大

-

4

1

25

±100

0.047

65

-

125

80

45

2.2

-

2.083

100

单位

V

A

nA

ns

nC

pF

o

C / W

o

C / W

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极至源极导通电阻（注2 ）

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

热阻结到外壳

热阻结到环境

I

GSS

r

DS （ ON）

t

（上）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

（关闭）

Q

G（ TOT ）

Q

g(10)

Q

（ TH ）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

θJC

R

θJA

V

GS

=

±20V

I

D

= 16A ，V

GS

= 10V （图9）

V

DD

= 25V ，我

D

= 8A ，R

L

= 3.125,

V

GS

= 10V ，R

GS

= 25

（图13）

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

（图12）

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

源极到漏极二极管电压

二极管的反向恢复时间

注意事项：

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

为250μs ，占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流

性能曲线（图5）。

2003仙童半导体公司

RFD16N05 ， RFD16N05SM牧师B1

符号

V

SD

t

rr

I

SD

= 16A

测试条件

民

-

典型值

-

最大

1.5

125

单位

V

ns

I

SD

= 16A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

RFD16N05 ， RFD16N05SM

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

除非另有说明

20

1.0

I

D

，漏电流（ A）

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（

o

C)

150

175

16

0.8

0.6

0.4

12

8

0.2

0

4

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（

o

C)

150

175

图1.归功耗与案例

TENPERATURE

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

2

1

Z

θ

JC

归一化

热阻抗

0.5

0.2

P

DM

0.1

0.05

0.02

0.01

t

1

t

2

单脉冲

0.01

10

-5

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θ

JA

个R

θ

JA

+ T

A

10

-3

10

-2

10

-1

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

0

10

1

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

100

I

D

，漏电流（ A）

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

I

DM

峰值电流（ A）

200

V

GS

= 20V

V

GS

= 10V

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I

100s

100

=

I

25

175 - T

C

150

T

C

= 25

o

C

10

1ms

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

V

决策支持系统（MAX）

= 50V

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

10ms

100ms

DC

100

跨

可能限流

在这个区域

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

T，脉冲宽度（ S）

10

0

10

1

图4.正向偏置安全工作区

图5.峰值电流容量

2003仙童半导体公司

RFD16N05 ， RFD16N05SM牧师B1

RFD16N05 ， RFD16N05SM

典型性能曲线

100

I

AS

，雪崩电流（ A）

除非另有说明

（续）

50

V

GS

= 20V

I

D

，漏电流（ A）

40

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 6V

20

V

GS

= 10V

V

GS

= 8V

V

GS

= 7V

起始物为

J

= 25

o

C

30

10

起始物为

J

= 150

o

C

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

-V

DD

) +1]

1

0.01

1

0.1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

10

V

GS

= 4.5V

0

V

GS

= 5V

1

2

3

V

DS

，漏源极电压（ V）

4

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。

图6.松开电感式开关

图7.饱和特性

I

DS （ ON）

，漏源电流（A）

50

2.5

归一漏极至源极

抗性

V

DD

= 15V

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

-55

o

C

25

o

C

175

o

C

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 10V ，我

D

= 16A

40

2.0

30

1.5

20

1.0

10

0.5

0

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

0

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

图8.传热特性

图9.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2.0

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

2.0

I

D

= 250A

归一化门

阈值电压

1.5

1.0

0.5

0

-80

-40

0

40

80

120

160

o

C)

T

J

，结温（

200

0

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

图10.归一化栅极阈值电压Vs

结温

图11.归一漏极至源极击穿

电压Vs结温

2003仙童半导体公司

RFD16N05 ， RFD16N05SM牧师B1

RFD16N05 ， RFD16N05SM

典型性能曲线

1600

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

GS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

C

OSS

≈

C

DS

+ C

GS

C

国际空间站

800

C

OSS

400

C

RSS

0

5

10

15

20

V

DS

，漏源极电压（ V）

25

除非另有说明

（续）

V

DS

，漏源极电压（ V）

50

V

DD

= BV

DSS

37.5

V

DD

= BV

DSS

7.5

10

V

GS

，门源电压（ V）

C，电容（pF ）

1200

25

0.75 BV

DSS

0.50 BV

DSS

0.25 BV

DSS

R

L

= 3.125

I

G（ REF ）

- 0.8毫安

V

GS

= 10V

0

I

G

(

REF

)

-

20 ------------------------

I

G

(

法案

)

吨，时间（ ms）的

5

12.5

2.5

0

-

80

---------------------

I

G

(

法案

)

I G

(

REF

)

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。

图12.电容VS漏源极电压

图13.归一化开关波形

恒定的栅极电流

测试电路和波形

V

DS

BV

DSS

L

异吨

P

获得

所需的峰值I

AS

V

GS

DUT

t

P

R

G

I

AS

V

DD

-

t

P

V

DS

V

DD

+

0V

I

AS

0.01

0

t

AV

图14.松开能源利用检测电路

图15.松开能源波形

t

ON

V

DS

V

DS

V

GS

R

L

+

t

关闭

t

D（关闭）

t

r

t

f

90%

t

D（上）

90%

DUT

R

GS

V

GS

-

V

DD

0

10%

90%

10%

V

GS

0

10%

50%

脉冲宽度

50%

图16.开关时间测试电路

图17.电阻开关波形

2003仙童半导体公司

RFD16N05 ， RFD16N05SM牧师B1