RFD16N05L ， RFD16N05LSM
数据表
1999年4月
网络文件编号
2269.2
16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道逻辑电平功率MOSFET
使用MegaFET工艺制造。这个过程中，
它使用特征尺寸接近LSI的
集成电路给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它们被设计
用于与应用程序逻辑电平（5V）的驱动源使用
如可编程控制器，汽车开关，
开关稳压器，开关转换器，马达继电器
驱动器和发射极开关，用于双极型晶体管。这
性能是通过一个特殊的栅极氧化物来实现
设计，在门的偏见提供全额定导
在3V至5V的范围内，从而促进真正的开关电源
直接从逻辑电路的电源电压控制。
以前发育类型TA09871 。
特点
16A ， 50V
r
DS （ ON）
= 0.047
UIS SOA额定值曲线（单脉冲）
设计优化5V栅极驱动器
可以直接从CMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD16N05L
RFD16N05LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
RFD16N05L
RFD16N05LSM
符号
D
注：订购时，包括整个零件编号。添加后缀9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD16N05LSM9A
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
6-163
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD16N05L,
RFD16N05LSM
50
50
16
45
±10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250毫安，V
GS
= 0V ，图10中
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250毫安，图9中
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
I
D
= 16A ，V
GS
= 4V
民
50
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 40V,
I
D
= 16A,
R
L
= 2.5
图17,18
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
14
30
42
14
-
-
-
-
-
-
最大
-
2
1
50
100
0.047
0.056
60
-
-
-
-
100
80
45
3
2.083
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
I
GSS
r
DS （ ON）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
热阻结到外壳
热阻结到环境
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
（关闭）
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
R
θJC
R
θJA
V
DD
= 25V ，我
D
= 8A,
V
GS =
5V ，R
GS
= 12.5
图15，图16
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
6-164
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
典型性能曲线
除非另有规定编
（续）
1.4
2.5
V
DS
= 15V
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 16V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
I
D
= 16A
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
归一漏极至源极
抗性
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
4
1.5
1.0
0.5
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.4
1.3
归一化门
阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
1.4
I
D
= 250A
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
-50
0
50
100
150
200
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图9.归一化栅极阈值VS结
温度
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
1600
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
37.5
8
1200
6
25
800
门
来源
电压
4
12.5
2
漏源电压
0
I G
(
REF
)
20 ------------------------
-
I G
(
法案
)
T，时间（μs ）
I G
(
REF
)
80 ------------------------
-
I G
(
法案
)
0
400
V
DS ，
漏源极电压（ V）
图11.电容VS漏源极电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流
6-166
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
，漏源极电压（ V）
2000
50
10
R
L
= 3.125, V
GS
= 5V
I
G（ REF ）
= 0.60毫安
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
= 0.75 BV
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
DD
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
数据表
1999年4月
网络文件编号
2269.2
16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道逻辑电平功率MOSFET
使用MegaFET工艺制造。这个过程中，
它使用特征尺寸接近LSI的
集成电路给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它们被设计
用于与应用程序逻辑电平（5V）的驱动源使用
如可编程控制器，汽车开关，
开关稳压器，开关转换器，马达继电器
驱动器和发射极开关，用于双极型晶体管。这
性能是通过一个特殊的栅极氧化物来实现
设计，在门的偏见提供全额定导
在3V至5V的范围内，从而促进真正的开关电源
直接从逻辑电路的电源电压控制。
以前发育类型TA09871 。
特点
16A ， 50V
r
DS （ ON）
= 0.047
UIS SOA额定值曲线（单脉冲）
设计优化5V栅极驱动器
可以直接从CMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD16N05L
RFD16N05LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
RFD16N05L
RFD16N05LSM
符号
D
注：订购时，包括整个零件编号。添加后缀9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD16N05LSM9A
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
6-163
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD16N05L,
RFD16N05LSM
50
50
16
45
±10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250毫安，V
GS
= 0V ，图10中
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250毫安，图9中
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
I
D
= 16A ，V
GS
= 4V
民
50
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 40V,
I
D
= 16A,
R
L
= 2.5
图17,18
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
14
30
42
14
-
-
-
-
-
-
最大
-
2
1
50
100
0.047
0.056
60
-
-
-
-
100
80
45
3
2.083
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
I
GSS
r
DS （ ON）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
热阻结到外壳
热阻结到环境
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
（关闭）
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
R
θJC
R
θJA
V
DD
= 25V ，我
D
= 8A,
V
GS =
5V ，R
GS
= 12.5
图15，图16
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
6-164
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
典型性能曲线
除非另有规定编
（续）
1.4
2.5
V
DS
= 15V
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 16V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
I
D
= 16A
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
归一漏极至源极
抗性
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
4
1.5
1.0
0.5
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.4
1.3
归一化门
阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
1.4
I
D
= 250A
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
-50
0
50
100
150
200
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图9.归一化栅极阈值VS结
温度
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
1600
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
37.5
8
1200
6
25
800
门
来源
电压
4
12.5
2
漏源电压
0
I G
(
REF
)
20 ------------------------
-
I G
(
法案
)
T，时间（μs ）
I G
(
REF
)
80 ------------------------
-
I G
(
法案
)
0
400
V
DS ，
漏源极电压（ V）
图11.电容VS漏源极电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流
6-166
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
，漏源极电压（ V）
2000
50
10
R
L
= 3.125, V
GS
= 5V
I
G（ REF ）
= 0.60毫安
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
= 0.75 BV
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
DD
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
数据表
2003年12月
16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道逻辑电平功率MOSFET
使用MegaFET工艺制造。这个过程中，
它使用特征尺寸接近LSI的
集成电路给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它们被设计
用于与应用程序逻辑电平（5V）的驱动源使用
如可编程控制器，汽车开关，
开关稳压器，开关转换器，马达继电器
驱动器和发射极开关，用于双极型晶体管。这
性能是通过一个特殊的栅极氧化物来实现
设计，在门的偏见提供全额定导
在3V至5V的范围内，从而促进真正的开关电源
直接从逻辑电路的电源电压控制。
以前发育类型TA09871 。
特点
16A ， 50V
r
DS （ ON）
= 0.047
UIS SOA额定值曲线（单脉冲）
设计优化5V栅极驱动器
可以直接从CMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
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组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD16N05L
RFD16N05LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
RFD16N05L
RFD16N05LSM
符号
D
注：订购时，包括整个零件编号。添加后缀9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD16N05LSM9A
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
2003仙童半导体公司
RFD16N05L ， RFD16N05LSM牧师B1
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD16N05L,
RFD16N05LSM
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
16
45
±10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250毫安，V
GS
= 0V ，图10中
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250毫安，图9中
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
C
= 150
o
C
民
50
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 40V,
I
D
= 16A,
R
L
= 2.5
图17,18
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
14
30
42
14
-
-
-
-
-
-
最大
-
2
1
50
100
0.047
0.056
60
-
-
-
-
100
80
45
3
2.083
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
I
D
= 16A ，V
GS
= 4V
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
热阻结到外壳
热阻结到环境
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
（关闭）
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
R
θJC
R
θJA
V
DD
= 25V ，我
D
= 8A,
V
GS =
5V ，R
GS
= 12.5
图15，图16
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
2003仙童半导体公司
RFD16N05L ， RFD16N05LSM牧师B1
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
典型性能曲线
除非另有说明
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
125
150
15
0.8
20
0.6
0.4
10
5
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
10
2
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
I
D
最大持续
10
2
IDM
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
1
DC
10
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.10
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
2
图3.正向偏置安全工作区
图4.非钳位电感式开关SOA
（单脉冲UIS SOA ）
45
I
DS
，漏源电流（A）
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
V
GS
= 5V
30
I
DS （ ON）
，漏源ON电流（A）
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
45
V
DS
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
30
V
GS
= 3V
15
15
V
GS
= 2V
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
0
0
1.5
3.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
6.0
图5.饱和特性
图6.传热特性
2003仙童半导体公司
RFD16N05L ， RFD16N05LSM牧师B1
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
典型性能曲线
除非另有说明
（续）
1.4
V
DS
= 15V
归一漏极至源极
抗性
归一漏极至源极
抗性
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
4
5
6
7
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 16V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
2.5
I
D
= 16A
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
1.5
1.0
0.5
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.4
1.3
归一化门
阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
1.4
I
D
= 250A
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
-50
0
50
100
150
200
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图9.归一化栅极阈值VS结
温度
2000
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
DS
，漏源极电压（ V）
1600
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
37.5
8
1200
6
25
800
门
来源
电压
4
12.5
2
漏源电压
0
I G
(
REF
)
20 ------------------------
-
I G
(
法案
)
T，时间（μs ）
I G
(
REF
)
80 ------------------------
-
I G
(
法案
)
0
400
V
DS ，
漏源极电压（ V）
图11.电容VS漏源极电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流
2003仙童半导体公司
RFD16N05L ， RFD16N05LSM牧师B1
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
50
10
R
L
= 3.125, V
GS
= 5V
I
G（ REF ）
= 0.60毫安
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
= 0.75 BV
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
DD
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
RFD16N05L ， RFD16N05LSM
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图13.松开能源利用检测电路
图14.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图15.开关时间测试电路
图16.电阻开关波形
当前
调节器
V
DS
（隔离
SUPPLY ）
V
DD
同一类型
作为DUT
Q
G（ TOT ）
Q
gd
Q
gs
D
V
DS
V
GS
12V
电池
0.2F
50k
0.3F
G
DUT
0
I
G（ REF ）
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G（ REF ）
0
图17.栅极电荷测试电路
图18.栅极电荷波形
2003仙童半导体公司
RFD16N05L ， RFD16N05LSM牧师B1
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