RFD16N03L ， RFD16N03LSM
数据表
1999年4月
网络文件编号
4013.2
16A ， 30V ， 0.025欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道功率MOSFET，采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI电路，给出了最优
利用硅，保证了出色的性能。
它们被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和
继电器驱动器。这种性能是通过完成
特殊的栅氧化层设计，提供全额定
在导在3V至5V的范围内栅极偏置，从而
直接推动真正的开关电源控制的逻辑电平
（5V）的集成电路。
以前发育类型TA49030 。
特点
16A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.025
温度补偿PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS驱动，
与TTL电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD16N03L
RFD16N03LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
16N03L
16N03L
符号
漏
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀9A ，
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，如RFD16N03LSM9A 。
门
来源
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
漏
（法兰）
6-156
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
PSPICE 是是MicroSim公司的商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD16N03L ， RFD16N03LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD16N03L ， RFD16N03LSM
30
30
±10
16
是指峰值电流曲线
图6，图16，图17
90
0.606
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C（图1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
LC-
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
科幻gure 3
的TO- 251和TO- 252
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 24V,
I
D
= 16A,
R
L
= 1.5
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
（图15 ， 20 ， 21
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图13）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图12）
V
DS
= 30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V （图11）
V
DD
= 15V ，我
D
≈
16A,
R
L
= 0.93, V
GS
= 5V,
R
GS
= 5
（图18,19 ）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
95
25
27
-
50
30
1.5
1650
575
200
-
-
最大
-
2
1
50
±100
0.025
120
-
-
-
-
80
60
36
1.8
-
-
-
1.65
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图14）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
75
单位
V
ns
6-157
RFD16N03L ， RFD16N03LSM
典型性能曲线
除非另有规定编
（续）
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
V
GS
= 3.5V
25
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
o
C
0
V
GS
= 3V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
100
0
2.0
3.0
4.0
1.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
5.0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
100
r
DS （ ON）
，漏极到源极
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
175
o
C
100
I
D
= 32A
ON电阻（mΩ ）
75
I
D
= 16A
I
D
= 8A
50
I
D
= 2A
75
25
o
C
50
25
25
T
J
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
250
V
DD
= 15V ，我
DD
= 16A ，R
L
= 0.93
200
切换时间（纳秒）
t
r
归一漏极至源极
抗性
2.0
V
GS
= 5V ，我
D
= 16A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
t
f
150
t
D（上）
100
t
D（关闭）
50
1.5
1.0
0.5
0
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
6-159
RFD16N03L ， RFD16N03LSM
典型性能曲线
除非另有规定编
（续）
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
2.0
I
D
= 250A
阈值电压
归一化门
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
o
C)
T
J
，结温（
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
30
5
V
DD
= BV
DSS
24
V
DD
= BV
DSS
4
V
GS
，门源电压（ V）
2500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
2000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
OSS
V
DS
，漏源极电压（ V）
18
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.875
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
V
GS
= 5V
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
3
1500
12
2
1000
6
1
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
25
20
0
T，时间（S ）
80
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图14.电容VS漏源极电压
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
6-160
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFD16N03L,
RFD16N03LSM
16A ， 30V ，额定雪崩N沟道逻辑电平
增强型功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
1995年12月
特点
16A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS驱动，
与TTL电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
+175
o
C的工作温度
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
描述
该RFD16N03L和RFD16N03LSM是N沟道功率
MOSFET的使用MegaFET工艺制造。这
过程，其使用特征尺寸接近的
LSI电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它们被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关变流
器，电机驱动器和继电器驱动器。这表现
通过特殊的栅极氧化物的设计来实现这
提供全额定导在3V的栅极偏置 - 5V
范围，从而直接促进真正的开关电源控制
从逻辑电平（5V）的集成电路。
包装可用性
产品型号
RFD16N03L
RFD16N03LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
16N03L
16N03L
门
来源
符号
漏
门
来源
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X
9A ，获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，如：
RFD16N03LSM9A.
以前发育类型TA49030 。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
RFD16N03L,
RFD16N03LSM
30
30
±10
16
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55到+175
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
单位
V
V
V
A
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司1995年
网络文件编号
4013.1
5-31
特定网络阳离子RFD16N03L ， RFD16N03LSM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 15V ，我
D
= 16A,
R
L
= 0.93, V
GS
= 5V,
R
GS
= 5
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DD
= 24V,
I
D
= 16A,
R
L
= 1.5
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
95
25
27
-
50
30
1.5
1650
575
200
-
-
最大
-
2
1
50
100
0.022
120
-
-
-
-
80
60
36
1.8
-
-
-
1.65
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
G(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
源极 - 漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
75
单位
V
ns
5-32
QQ：2881677436 复制
