RFD16N02L,
RFD16N02LSM
1997年5月
16A ， 20V ， 0.022 Ohm的N通道，
逻辑电平功率MOSFET
描述
该RFD16N02L和RFD16N02LSM是N沟道功率
MOSFET的使用MegaFET工艺制造。这
过程，其使用特征尺寸接近的
LSI电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它们被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关变流
器，电机驱动器和继电器驱动器。这表现
通过特殊的栅极氧化物的设计来实现这
提供全额定导在在3V至5V栅极偏置
范围，从而直接促进真正的开关电源控制
从逻辑电平（5V）的集成电路。
特点
16A ， 20V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS驱动，
与TTL电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
订购信息
产品型号
RFD16N02L
RFD16N02LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
16N02L
16N02L
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X
9A ，获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，如：
RFD16N02LSM9A.
G
以前发育类型TA49243 。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏
（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4341
1
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
20
20
±10
16
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55至175
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 15V ，我
D
16A,
R
L
= 0.93, V
GS
= 5V,
R
GS
= 5
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
20
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V V
DD
16V,
I
D
≈
16A,
V
GS
= 0V至5V R = 1.0Ω
L
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
95
25
27
-
50
30
1.5
1300
724
250
-
-
最大
-
2
1
50
±100
0.022
120
-
-
-
-
80
60
36
1.8
-
-
-
1.65
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
80
单位
V
ns
2
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
典型性能曲线
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
（续）
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
V
GS
= 4V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
100
25
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
o
C
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
100
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
V
DD
= 15V
-55
o
C
75
25
o
C
50
175
o
C
100
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
图7.饱和特性
I
D
= 32A
75
I
D
= 16A
I
D
= 8A
50
I
D
= 2A
25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
25
T
J
= 25
o
C，脉冲宽度= 250μs的
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS
栅极电压和漏极电流
250
V
DD
= 15V ，我
D
= 16A ，R
L
= 0.93
200
切换时间（纳秒）
t
r
归一化导通电阻
2.0
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 5V ，我
D
= 16A
t
f
150
t
D（上）
100
t
D（关闭）
50
1.5
1.0
0.5
0
0
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
10
50
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间栅的功能
阻力
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
RFD16N02L,
RFD16N02LSM
1997年5月
16A ， 20V ， 0.022 Ohm的N通道，
逻辑电平功率MOSFET
描述
该RFD16N02L和RFD16N02LSM是N沟道功率
MOSFET的使用MegaFET工艺制造。这
过程，其使用特征尺寸接近的
LSI电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它们被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关变流
器，电机驱动器和继电器驱动器。这表现
通过特殊的栅极氧化物的设计来实现这
提供全额定导在在3V至5V栅极偏置
范围，从而直接促进真正的开关电源控制
从逻辑电平（5V）的集成电路。
特点
16A ， 20V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS驱动，
与TTL电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
订购信息
产品型号
RFD16N02L
RFD16N02LSM
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
16N02L
16N02L
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X
9A ，获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，如：
RFD16N02LSM9A.
G
以前发育类型TA49243 。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏
（法兰）
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4341
1
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
20
20
±10
16
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55至175
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 16A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 15V ，我
D
16A,
R
L
= 0.93, V
GS
= 5V,
R
GS
= 5
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
20
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V V
DD
16V,
I
D
≈
16A,
V
GS
= 0V至5V R = 1.0Ω
L
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
95
25
27
-
50
30
1.5
1300
724
250
-
-
最大
-
2
1
50
±100
0.022
120
-
-
-
-
80
60
36
1.8
-
-
-
1.65
100
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 16A
I
SD
= 16A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
80
单位
V
ns
2
RFD16N02L ， RFD16N02LSM
典型性能曲线
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
（续）
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
V
GS
= 4V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
100
25
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
o
C
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
100
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
V
DD
= 15V
-55
o
C
75
25
o
C
50
175
o
C
100
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
图7.饱和特性
I
D
= 32A
75
I
D
= 16A
I
D
= 8A
50
I
D
= 2A
25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
25
T
J
= 25
o
C，脉冲宽度= 250μs的
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS
栅极电压和漏极电流
250
V
DD
= 15V ，我
D
= 16A ，R
L
= 0.93
200
切换时间（纳秒）
t
r
归一化导通电阻
2.0
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 5V ，我
D
= 16A
t
f
150
t
D（上）
100
t
D（关闭）
50
1.5
1.0
0.5
0
0
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
10
50
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间栅的功能
阻力
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
QQ：2881677436 复制
