RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
数据表
1999年7月
网络文件编号
3988.3
15A ， 60V ， 0.150欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些P沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个方法，该方法使用了特征
尺寸接近LSI集成电路，使
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA09833 。
特点
15A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.150
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD15P06
RFD15P06SM
RFP15P06
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F15P06
F15P06
RFP15P06
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD15P06SM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
漏极（法兰）
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
4-103
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
-60
-60
15
是指峰值电流曲线
±20
参见UIS曲线
80
0.533
-55至175
300
260
单位
V
V
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（图5） （注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
TO- 220AB ， TO- 251AA ， TO- 252AA
TO- 251AA ，TO- 252AA
TO-220AB
V
GS
= 0V至-20V
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= 0V至-2V
V
DD
= -48V ，我
D
= 15A,
R
L
= 3.20
I
G（ REF ）
= 0.65毫安
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
≈
15A ，V
GS
= -10V ， （图9）
V
DD
= -30V ，我
D
= 7.5A
R
L
= 4.0, V
GS
= -10V
R
G
= 12.5
（图13）
民
-60
-2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
16
30
50
20
-
-
-
-
1150
300
56
-
-
-
最大
-
-4.0
-1
-25
±100
0.150
60
-
-
-
-
100
150
75
3.5
-
-
-
1.875
100
62
单位
V
V
A
A
nA
W
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（ Notte的2 ）
反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲：脉冲持续时间
≤
最大300毫秒，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= -15A
I
SD
= -15A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
125
单位
V
ns
4-104
RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
-12
除非另有规定编
-16
0.8
0.6
0.4
-8
-4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
ψJC ，
归
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-100
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
-200
V
GS
= -20V
-100
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T C
I = I 25
-----------------------
-
150
I
D
，漏电流（ A）
100s
-10
1ms
V
GS
= -10V
跨
可能限流
在这个区域
-10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T
C
= 25
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
-1
-1
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
-100
10
0
10
1
T，脉冲宽度（ S）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-105
RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
典型性能曲线
-50
-40
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 150
o
C
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
-10
-30
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
除非另有规定编
（续）
-20
V
GS
= -7V
-1
0.1
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
V
GS
= -6V
-10
V
GS
= -4.5V
0
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= -5V
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
-40
-55
o
C
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -15V
25
o
C
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10V ，我
D
= 15A
-32
2.0
-24
175
o
C
-16
1.5
1.0
-8
0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
V
GS
，门源电压（ V）
-10
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4-106
RFD15P06 ， RFD15P06SM ， RFP15P06
典型性能曲线
1400
V
DS
，漏源极电压（ V）
1200
C，电容（pF ）
1000
800
600
C
OSS
400
200
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
C
国际空间站
除非另有规定编
（续）
-60
V
DD
= BV
DSS
-45
R
L
= 3.33
I
G（ REF ）
= 0.65毫安
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
-7.5
-10
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
-30
-5
-15
-2.5
C
RSS
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
+
V
DD
V
DD
0V
V
GS
DUT
t
P
I
AS
0.01
I
AS
t
P
BV
DSS
V
DS
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
V
DS
R
L
V
GS
0
t
r
10%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
-
V
DD
V
GS
R
GS
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
DUT
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-107
QQ：2881677436 复制
