RFD14N06L ， RFD14N06LSM ， RFP14N06L
数据表
1999年7月
网络文件编号
4088.3
14A ， 60V ， 0.100欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道功率MOSFET，采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI集成电路，使
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这样的表现完成
通过特殊的栅极氧化层设计，提供全额定
电导在3V的栅极偏置 - 5V的范围内，从而
直接推动真正的开关电源控制的逻辑电平
（5V）的集成电路。
以前发育类型TA09870 。
特点
14A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.100
温度补偿PSPICE
模型
可以直接从CMOS ， NMOS和TTL驱动
电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFD14N06L
RFD14N06LSM
RFP14N06L
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
14N06L
14N06L
FP14N06L
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A ，以
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即RFD14N06LSM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
门
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
6-1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFD14N06L ， RFD14N06LSM ， RFP14N06LS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD14N06L ， RFD14N06LSM ，
RFP14N06LS
60
60
±10
14
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
48
0.32
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流是连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，图13中
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ，图12
V
DS
= 48V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 14A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 30V ，我
D
= 7A,
R
L
= 4.28, V
GS
= 5V,
R
GS
= 0.6
图10 ，18，19
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 48V,
I
D
= 14A,
R
L
= 3.43
图20 ， 21
-
-
-
-
-
-
-
的TO- 251和TO- 252
TO-220
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
13
24
42
16
-
-
-
-
670
185
50
-
-
-
最大
-
2
1
50
100
0.100
60
-
-
-
-
100
40
25
1.5
-
-
-
3.125
100
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
图14
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 14A
I
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
6-2
RFD14N06L ， RFD14N06LSM ， RFP14N06L
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
12
0.8
0.6
0.4
0.2
0
除非另有规定编
16
8
4
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
热阻抗
Z
θ
JC ，
归
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
-3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
P
DM
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
I
DM
，峰值电流容量（ A）
100
跨
可能限流
在这个区域
100
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
D
，漏电流（ A）
10
100s
175
–
T C
I
=
I 25
---------------------
150
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
10ms
100ms
DC
200
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
6-3
RFD14N06L ， RFD14N06LSM ， RFP14N06L
典型性能曲线
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
35
30
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
0
1.5
6.0
3.0
4.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
7.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= +150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
1
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
V
DD
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
25
o
C
-55
o
C
175
o
C
250
200
I
D
= 7A
150
I
D
= 14A
I
D
= 28A
100 I
D
= 3.5A
50
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5.0
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
160
V
DD
= 25V ，我
D
= 14A ，R
L
= 1.78
140
切换时间（纳秒）
120
100
80
t
f
60
40
t
D（上）
20
0
0
10
20
30
40
50
t
r
归一漏极至源极
抗性
t
D（关闭）
2.5
V
GS
= 5V ，我
D
= 14A
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间与门源
阻力
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
6-4
RFD14N06L ， RFD14N06LSM ， RFP14N06L
典型性能曲线
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
除非另有规定编
（续）
2.0
I
D
= 250A
阈值电压
归一化门
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
800
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
60
V
DS
，漏源电压（V ）
10
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
V
GS
，栅源电压（V ）
C
国际空间站
C，电容（pF ）
600
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
OSS
200
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
400
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 3.57
I
G（ REF ）
= 0.4毫安
V
GS
= 5V
I G
(
REF
)
I G
(
REF
)
5.0
15
2.5
0
0
-
20
---------------------
I G
(
法案
)
吨，时间（ ms）的
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
6-5
QQ：2881677436 复制
