性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ，
RFP10P03L
10A ， 30V ， 0.200Ω ，逻辑电平
P沟道功率MOSFET
描述
这些产品是P沟道功率MOSFET的制造
捕获的原始图像采用MegaFET过程。这个过程中，它使用
特征尺寸接近LSI电路，使opti-
妈妈利用硅，保证了出色的perfor-
曼斯。它们被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
和继电器驱动器。这些晶体管可以直接操作
从集成电路。
1997年5月
特点
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.200
温度补偿
PSPICE模型
PSPICE热模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
符号
订购信息
产品型号
RFD10P03L
RFD10P03LSM
RFP10P03L
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
10P03L
10P03L
F10P03L
G
D
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
以得到
TO-252AA
变种在磁带和卷轴，即
RFD10P03LSM9A..
以前发育类型TA49205 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
3515.1
1
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ，
RFP10P03L
-30
-30
±10
10
参见图5
参见UIS曲线
65
0.43
-55至175
300
单位
V
V
V
A
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20KΩ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（ 0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒）
W
W/
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= -30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 10A ，V
GS
= -5V
I
D
= 10A ，V
GS
= -4.5V
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
RFD10P03L ， RFD10P03LSM
RFP10P03L
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0 -5V
V
GS
= 0到-1V
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= -24V,
I
D
10A,
R
L
= 2.4
V
DD
= 15V ，我
D
10A
R
L
= 1.5, R
GS
= 5,
V
GS
= -5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
50
35
20
-
25
13
1.2
1035
340
35
-
-
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
-30
-1
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-2
-1
-50
±100
0.200
0.220
100
-
-
-
-
80
30
16
1.5
-
-
-
2.30
100
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
（注1 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极正向电压
反向恢复时间
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -10A
I
SD
= -10A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
75
单位
V
ns
2
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
-12
-10
I
D
，漏电流（ A）
-8
-6
-4
-2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
Z
θJC
归一热阻抗
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
P
DM
t
1
t
2
注： DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-100
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100s
-100
T
C
= 25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= -10V
V
GS
= -5V
跨
可能限流
在这个区域
175
–
T C
I = I
-----------------------
-
25
150
-10
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
-1
-1
10ms
100ms
DC
-100
-10
V
DSS
MAX = -30V
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
-5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
3
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
-50
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
-25
脉冲宽度= 250μs的，
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
-20
V
GS
= -10V
V
GS
= -5V
（续）
-10
起始物为
J
= 150
o
C
-15
V
GS
= -4V
-10
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
V
GS
=-3.5V
-5
V
GS
= -3V
0
0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
注：请参阅应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
-25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -15V
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.饱和特性
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
-55
o
C
r
DS （ON ） ，
漏极至源极
25
o
C
175
o
C
400
I
D
= -20A
I
D
= -10A
I
D
= -5A
I
D
= -2.5A
200
T
C
= 25
o
C
-20
-15
-10
ON电阻（mΩ ）
300
100
-5
0
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
-10.0
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2.0
归一漏极至源极
抗性
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= -5V ，我
D
= -10.0A
1.2
I
D
= - 250uA
1.5
1.1
1.0
1.0
0.5
0.9
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
125
归一化门
阈值电压
切换时间（纳秒）
1.0
t
r
100
t
D（关闭）
75
t
f
50
25
0.4
-80
0
t
D（上）
（续）
150
V
DD
= -15V ，我
D
= -10A ，R
L
= 1.50
0.8
0.6
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.开关时间与栅极电阻
-30
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DD
ΔBV
DSS
-22.5
V
DD
= BV
DSS
-5.00
V
GS
，门源电压（ V）
1200
1000
C，电容（pF ）
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
C
国际空间站
-3.75
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
V
DS
，漏源极电压（ V）
-25
-15
R
L
= 3.0
I
G（ REF ）
= -0.25mA
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.50
-7.5
0.25 BV
DSS
-1.25
V
GS
= -5V
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T， TIME （
s)
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.00
注：请参阅应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图15.电容VS漏源极电压
5
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ，
RFP10P03L
10A ， 30V ， 0.200Ω ，逻辑电平
P沟道功率MOSFET
描述
这些产品是P沟道功率MOSFET的制造
捕获的原始图像采用MegaFET过程。这个过程中，它使用
特征尺寸接近LSI电路，使opti-
妈妈利用硅，保证了出色的perfor-
曼斯。它们被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
和继电器驱动器。这些晶体管可以直接操作
从集成电路。
1997年5月
特点
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.200
温度补偿
PSPICE模型
PSPICE热模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
符号
订购信息
产品型号
RFD10P03L
RFD10P03LSM
RFP10P03L
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
10P03L
10P03L
F10P03L
G
D
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
以得到
TO-252AA
变种在磁带和卷轴，即
RFD10P03LSM9A..
以前发育类型TA49205 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
漏极（法兰）
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
3515.1
1
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ，
RFP10P03L
-30
-30
±10
10
参见图5
参见UIS曲线
65
0.43
-55至175
300
单位
V
V
V
A
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20KΩ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（ 0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒）
W
W/
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= -30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 10A ，V
GS
= -5V
I
D
= 10A ，V
GS
= -4.5V
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
RFD10P03L ， RFD10P03LSM
RFP10P03L
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0 -5V
V
GS
= 0到-1V
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= -24V,
I
D
10A,
R
L
= 2.4
V
DD
= 15V ，我
D
10A
R
L
= 1.5, R
GS
= 5,
V
GS
= -5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
50
35
20
-
25
13
1.2
1035
340
35
-
-
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
-30
-1
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-2
-1
-50
±100
0.200
0.220
100
-
-
-
-
80
30
16
1.5
-
-
-
2.30
100
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
（注1 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极正向电压
反向恢复时间
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -10A
I
SD
= -10A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
75
单位
V
ns
2
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
-12
-10
I
D
，漏电流（ A）
-8
-6
-4
-2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
Z
θJC
归一热阻抗
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
P
DM
t
1
t
2
注： DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-100
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100s
-100
T
C
= 25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= -10V
V
GS
= -5V
跨
可能限流
在这个区域
175
–
T C
I = I
-----------------------
-
25
150
-10
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
-1
-1
10ms
100ms
DC
-100
-10
V
DSS
MAX = -30V
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
-5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
3
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
-50
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
-25
脉冲宽度= 250μs的，
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
-20
V
GS
= -10V
V
GS
= -5V
（续）
-10
起始物为
J
= 150
o
C
-15
V
GS
= -4V
-10
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
V
GS
=-3.5V
-5
V
GS
= -3V
0
0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
注：请参阅应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
-25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -15V
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.饱和特性
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
-55
o
C
r
DS （ON ） ，
漏极至源极
25
o
C
175
o
C
400
I
D
= -20A
I
D
= -10A
I
D
= -5A
I
D
= -2.5A
200
T
C
= 25
o
C
-20
-15
-10
ON电阻（mΩ ）
300
100
-5
0
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
-10.0
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2.0
归一漏极至源极
抗性
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= -5V ，我
D
= -10.0A
1.2
I
D
= - 250uA
1.5
1.1
1.0
1.0
0.5
0.9
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4
RFD10P03L ， RFD10P03LSM ， RFP10P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
125
归一化门
阈值电压
切换时间（纳秒）
1.0
t
r
100
t
D（关闭）
75
t
f
50
25
0.4
-80
0
t
D（上）
（续）
150
V
DD
= -15V ，我
D
= -10A ，R
L
= 1.50
0.8
0.6
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.开关时间与栅极电阻
-30
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DD
ΔBV
DSS
-22.5
V
DD
= BV
DSS
-5.00
V
GS
，门源电压（ V）
1200
1000
C，电容（pF ）
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
C
国际空间站
-3.75
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
V
DS
，漏源极电压（ V）
-25
-15
R
L
= 3.0
I
G（ REF ）
= -0.25mA
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.50
-7.5
0.25 BV
DSS
-1.25
V
GS
= -5V
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T， TIME （
s)
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.00
注：请参阅应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图15.电容VS漏源极电压
5
QQ：2881677436 复制
