RF7115

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS

发射模块

符合RoHS &无铅产品

封装形式：模块（ 7mmx8mm ）

GSM GaAs裸片

LB RF IN 2

pHEMT制

开关

特点

降低了解决方案的尺寸Integrat-

ING天线开关和Har-

首一过滤，减少时间

市场

包装7x8x1.2mm

IEC 61000-4-2标准

输入/输出匹配到50Ω

DC模块的天线接口

GSM850 / 900 P

OUT

=33.5dBm

DCS / PCS P

OUT

=30.5dBm

新的限流器

VSENSE 1

B1 3

B2 4

VBATT 5

B3 6

TX EN 7

VRAMP 8

完全集成的

功率控制电路

和开关解码器

21天线

16 RX 4

15 RX 3

14 RX 2

13 RX 1

HB RF 9

DCS / PCS GaAs裸片

功能框图

应用

GSM850/EGSM900/DCS/PCS

制品

GPRS 12级能

力星模块

3V四频手机

便携式电池供电分析装备

换货

产品说明

的RF7115是含有高功率，高效率的发送模块

RFMD的功率之星

集成的功率控制，集成的pHEMT前端

天线开关和谐波滤波功能。所有这一切结合起来，亲

类谐波发射控制和RX和TX插入损耗韦迪为最佳。

该装置自包含与没有50Ω输入和输出端

需要匹配元件。集成的功率控制功能的基础

在RFMD已获专利的功率之星

控制被结合，省去了

定向耦合器，检波二极管，功率控制ASIC的，和其他电源

控制电路;这允许直接驱动的来自DAC模块输出

放。本设备被设计为用作发射链中的最后部

GSM850 ， EGSM900 ，DCS和PCS GMSK和省去了PA的到

天线开关模块匹配。板载电源控制提供了70分贝

控制范围。集成天线开关实现真正的四频TX和RX

功能。内置电流限制器选项可以被用于最小化功率

变化的不匹配状态。

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MEMS

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

冯A0 DS060808

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 22

RF7115

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

输入射频功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

+10

50

20:1

-20至+85

-55到+150

单位

V

V

DBM

%

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

总体功率控制

V

坡道

功率控制“开”

功率控制“关”

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

功率控制范围

V

坡道

P

OUT

BW

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

1.5

0.2

15

0.25

20

10

2

50

2.0

2.5

3.5

3.0

5.5

1

20

V

V

pF

μA

us

dB

兆赫

V

V

μA

马克斯。 P

OUT

电路，电压提供给输入

分钟。 P

OUT

电路，电压提供给输入

DC至2MHz

V

坡道

=V

RAMP最大

V

坡道

= 0V至V

RAMP最大

V

坡道

= 0.25V到V

RAMP最大

总体电源

电源电压

电源电流

特定网络阳离子

标称工作范围

P

IN

<-30dBm ， TX启用=低，

V

坡道

= 0V ，温度= -20 ° C至+ 85°C ，

V

BATT

=5.5V

总体控制信号

B1，B2， B3的“低”

B1，B2， B3的“高”

B1 ， B2 ， B3 “大电流”

TX启用“低”

TX启用“高”

TX启用“大电流”

0

1.25

0

1.25

0

2.0

1

0

2.0

1

0.5

3.0

2

0.5

3.0

2

V

uA

V

V

uA

2 22

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

冯A0 DS060808

RF7115

参数

GSM850模式

工作频率范围

最大输出功率

824

33.0

32.8

31.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

37

2

42

4

-88

<-100

正向隔离1

正向隔离2

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

10:1

20:1

-50

-29

-40

6

-83

-87

-41

-15

-35

-36

2.5:1

34.0

849

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

@ V

BATT

=3.0V

在P

OUT

最大

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

869MHz至894MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

1930MHz至1990MHZ ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

TxEnable位置=低，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 = B2 =低， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 = B2 =低， B3 =高

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<33.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<33.0dBm为50Ω

负载。无损坏或永久退化

的一部分。

50

Ω

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

冯A0 DS060808

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 22

RF7115

参数

GSM900模式

工作频率范围

最大输出功率

880

33.0

32.8

31.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

35

2

40

4

-85

-89

<-100

正向隔离1

正向隔离2

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

10:1

20:1

50

Ω

-60

-27

-40

6

-79

-83

-87

-41

-15

-35

-36

2.5:1

33.5

915

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

在P

OUT

最大

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

为925MHz到935MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

935MHz到960MHz的， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

1805MHz至1880MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

TxEnable位置=低，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 =高， B2 =低， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 =高， B2 =低， B3 =高

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<33.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<33.0dBm为50Ω

负载

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

4 22

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

冯A0 DS060808

RF7115

参数

DCS1800模式

工作频率范围

最大输出功率

1710

30.0

29.8

28.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

32

2

37

4

-92

<-100

<-100

正向隔离1

正向隔离2

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

10:1

20:1

-60

-20

-40

6

-87

-87

-84

-53

-15

-35

-36

2.5:1

31.0

1785

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

在P

OUT

最大

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

1805MHz至1880MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

为925MHz到935MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

935MHz到960MHz的， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

TxEnable位置=低，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 =低， B2 =高， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

= + 6dBm的，V

坡道

=0.25V,

B1 =低， B2 =高， B3 =高

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<30.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<30.0dBm为50Ω

负载。无损坏或永久退化

的一部分。

50

Ω

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

冯A0 DS060808

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 22

RF7115

0

特点

降低解决方案尺寸

集成天线开关

和谐波滤波来

缩短上市时间

包7x8x1.2mm

IEC 61000-4-2标准

输入/输出匹配到50Ω

DC模块的天线接口

GSM850 / 900

P

OUT

=33.5dBm

DCS / PCS P

OUT

=30.5dBm

新的限流器

符合RoHS &无铅产品

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS

发射模块

GSM GaAs裸片

LB RF IN 2

VSENSE 1

B1 3

B2 4

VBATT 5

B3 6

TX EN 7

VRAMP 8

完全集成的

功率控制电路

和开关解码器

pHEMT制

开关

21天线

16 RX 4

15 RX 3

14 RX 2

13 RX 1

应用

GSM850 / EGSM900 / DCS /

PCS产品

GPRS 12级有能力

电源星模块

3V四频手机

便携式电池供电

设备

HB RF 9

DCS / PCS GaAs裸片

产品说明

该RF7115是一种高功率，高效率的传输

含RFMD的功率模块之星

集成电源

控制，集成的pHEMT前端天线开关和

谐波滤波功能。所有这一切结合起来，

类谐波发射控制为最佳，

RX和TX插入损耗。该设备是自足

与没有匹配的50Ω输入端和输出端

所需的组件。集成的功率控制功能

基于RFMD已获专利的力星化

控制

结合，省去了定向耦合器，

功能框图

检波二极管，功率控制ASIC的，和其他电源

控制电路;这使得该模块被驱动

直接从DAC输出。该设备是专为

作为发射链中的GSM850的最后部分使用，

EGSM900 ，DCS和PCS GMSK和省去

对于PA和天线开关模块匹配。板载

功率控制提供了70分贝控制范围。在英特

磨碎的天线开关实现真正的四频TX和RX

功能。内置电流限制器选项可以利用

最大限度地减少不匹配条件的功率变化。

订购信息

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓PHEMT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

RF7115

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS反式

MIT模块

RF7115SB

功率放大器模块5件样品包

RF7115PCBA - 41X完全组装的评估板

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

冯A0 060808

11-365

RF7115

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

输入射频功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

+10

50

20:1

-20至+85

-55到+150

单位

V

V

DBM

%

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

总体功率控制

V

坡道

功率控制“开”

功率控制“关”

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

功率控制范围

V

坡道

P

OUT

BW

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

1.5

0.2

15

0.25

20

10

2

50

2.0

2.5

V

V

pF

μA

us

dB

兆赫

马克斯。 P

OUT

电路，电压提供给输入

分钟。 P

OUT

电路，电压提供给输入

DC至2MHz

V

坡道

=V

RAMP最大

V

坡道

= 0V至V

RAMP最大

V

坡道

= 0.25V到V

RAMP最大

总体电源

电源电压

3.0

电源电流

1

3.5

5.5

20

V

V

μA

特定网络阳离子

标称工作范围

P

IN

<-30dBm ， TX启用=低，

V

坡道

= 0V ，温度= -20 ° C至+ 85°C ，

V

BATT

=5.5V

总体控制信号

B1，B2， B3的“低”

B1，B2， B3的“高”

B1 ， B2 ， B3 “大电流”

TX启用“低”

TX启用“高”

TX启用“大电流”

0

1.25

0

1.25

0

2.0

1

0

2.0

1

0.5

3.0

2

0.5

3.0

2

V

uA

V

V

uA

11-366

冯A0 060808

RF7115

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

824

33.0

32.8

31.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

37

2

42

4

-88

<-100

正向隔离1

-50

6

-83

-87

-41

34.0

849

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

@ V

BATT

=3.0V

在P

OUT MAX

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

869MHz至894MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

1930MHz至1990MHZ ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

TxEnable位置=低，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 = B2 =低， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 = B2 =低， B3 =高

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<33.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<33.0dBm为50Ω

负载。无损坏或永久退化

要分手了。

50

Ω

GSM850模式

工作频率范围

最大输出功率

正向隔离2

-29

-15

DBM

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

10:1

20:1

-40

-35

-36

2.5:1

DBM

DBM

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

冯A0 060808

11-367

RF7115

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

880

33.0

32.8

31.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

35

2

40

4

-85

-89

<-100

正向隔离1

-60

6

-79

-83

-87

-41

33.5

915

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

在P

OUT MAX

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

为925MHz到935MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

935MHz到960MHz的， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

1805MHz至1880MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>+5dBm

TxEnable位置=低，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 =高， B2 =低， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 =高， B2 =低， B3 =高

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

在所有功率水平（ 5dBm的对于33dBm ）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<33.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<33.0dBm为50Ω

负载

50

Ω

GSM900模式

工作频率范围

最大输出功率

正向隔离2

-27

-15

DBM

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

10:1

20:1

-40

-35

-36

2.5:1

DBM

DBM

11-368

冯A0 060808

RF7115

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

RAMP最大

, P

IN

=4dBm,

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

1710

30.0

29.8

28.0

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

32

2

37

4

-92

<-100

<-100

正向隔离1

-60

6

-87

-87

-84

-53

31.0

1785

兆赫

DBM

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

25 ％的占空比，脉宽1154us

50％的占空比，脉宽2308us

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

= V

RAMP最大

在P

OUT MAX

, V

BATT

=3.5V

全功率输出保证最低

驱动电平

1805MHz至1880MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

为925MHz到935MHz ， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

935MHz到960MHz的， RBW = 100kHz时，

P

OUT

>0dBm

TxEnable位置=低，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 =低， B2 =高， B3 =高

TxEnable位置=高，P

IN

=+6dBm,

V

坡道

=0.25V,

B1 =低， B2 =高， B3 =高

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

在所有功率水平（为0dBm至30dBm的）

Spurious<-36dBm ，设置V

坡道

哪里

P

OUT

<30.0dBm为50Ω负载

集V

坡道

其中，P

OUT

<30.0dBm为50Ω

负载。无损坏或永久退化

要分手了。

50

Ω

DCS1800模式

工作频率范围

最大输出功率

正向隔离2

-20

-15

DBM

所有谐波高达12.75GHz

所有的非谐波杂散

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

10:1

20:1

-40

-35

-36

2.5:1

DBM

DBM

输入和输出阻抗

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.15<1.5V

冯A0 060808

11-369