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初步
0
典型应用
GSM / DCS手机
GSM / DCS / PCS手机
四频GSM手机
产品说明
-A-
7.00 TYP
6.75 TYP
3.50 TYP
3.37 TYP
0.10 C B
2 PLCS
RF6001
小数N分频RF合成器
调制器和数字中频滤波器
多频EDGE
RX
手机
多频GPRS手机
0.10 C A
2 PLCS
5
0.08 C
的RF6001是组合合成器和信号亲
cessing集成电路,其中随着RF2710 / RF2716 Very-
低中频接收芯片,构成了RFMD的低成本GSM
收发器解决方案。高性能的分数N分频
合成器提供了许多功能,包括完全dig-
ITAL GMSK调制器的模拟I / Q条款
接口和极低的电流消耗。该
信号处理器部分提供了一个数字接收滤波器
路径设计,以配合RF2710 / RF2716 。该
如果输入是数字化,过滤,下变频到
基带I和Q信号。灵活的基带接口
面可为模拟或数字操作进行配置
化。芯片的功能是通过一个三线控制
串行数据接口( SDI)的总线。
0.90
0.85
0.05
0.00
0.70
0.65
2 PLCS
0.10 C B
2 PLCS
0.10 C A
-B-
0.30
0.18
3
-C-
飞机
0.10 M C A B
座位
0.60
典型值
0.24
0.60
典型值
0.24
注意事项:
1.阴影铅引脚1 。
2.模具厚度允许为0.305毫米最大。
( 0.012英寸最大) 。
3
尺寸适用于镀终端中并且是
0.20毫米至0.25mm之间测量
航站楼提示。
4.
封装翘曲最大0.08毫米。
申请裸露焊盘和终端。
5
Exlude裸露焊盘的嵌入部分
从衡量。
0.50
0.30
典型值
0.50
5.25
SQ
4.95
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
OSCO
DCD
VDD
TXI
封装形式: QFN , 48引脚, 7x7的
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
MCKO /
TXQB
女士/
TXIB
MDI /
TXQ
SSB
!
硅CMOS
LDTO
SCLK
SDI
41
40
39
38
砷化镓MESFET
特点
分数N合成器与数字
RXEN
硅锗双CMOS
48
IIN 1
47
46
45
44
43
42
37
ENR /
36
IOUT
GMSK调制器
35
CLKR /
IBOUT
FSR /
QOUT
DRI /
QBOUT
数字
VREG
DAC
LPF
信号处理电路与使用
RF2710 / RF2716 VLIF接收器
通用基带接口
集成的RF发射VCO的
IBIN 2
数字处理
ADC
抽取
下变频
信道滤波器
ADC
DAC
LPF
产量
MUX
标准连续出版物
接口
QBIN 3
34
秦4
33
TXST 5
32 DRQ
10
6 GPO1
TX
接口
GMSK
调制器
31 OSCM
7 GPO2
30 OSCOM
DCAD 8
ADC
VREG
串行
程序设计
接口
29 DCV2
部分的
分频器
3
VDDRX 9
控制和
校准
PA RAMP
控制
VCO2
环路滤波器
28 GND
订购信息
RF6001
RF6001 PCBA
小数N分频RF合成器,调制器和Dig-
ITAL IF滤波器
完全组装的评估板
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
OSCB 10
REF 。
OSC 。
电荷泵
相位检测器
27 DCV1
OSCA 11
DAC 1和DAC 2
OSC 。
VREG
VCO1
26 VCO1P
DCO 12
VCO
VREG
25 VCO1N
13
BGDC
14
DAC1
15
DAC2
16
TXEN
17
VTC
18
VCC
19
VT
20
21
DCP
22
VCO2
23
VCO1
24
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
转A6 030528
VCCV
12-19
RF6001
初步
请联系
RF Micro Devices公司
应用工程
在( 336 ) 678-5570
了解更多信息。
12-20
转A6 030528
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调制器和数字中频滤波器
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cessing集成电路,其中随着RF2710 / RF2716 Very-
低中频接收芯片,构成了RFMD的低成本GSM
收发器解决方案。高性能的分数N分频
合成器提供了许多功能,包括完全dig-
ITAL GMSK调制器的模拟I / Q条款
接口和极低的电流消耗。该
信号处理器部分提供了一个数字接收滤波器
路径设计,以配合RF2710 / RF2716 。该
如果输入是数字化,过滤,下变频到
基带I和Q信号。灵活的基带接口
面可为模拟或数字操作进行配置
化。芯片的功能是通过一个三线控制
串行数据接口( SDI)的总线。
0.90
0.85
0.05
0.00
0.70
0.65
2 PLCS
0.10 C B
2 PLCS
0.10 C A
-B-
0.30
0.18
3
-C-
飞机
0.10 M C A B
座位
0.60
典型值
0.24
0.60
典型值
0.24
注意事项:
1.阴影铅引脚1 。
2.模具厚度允许为0.305毫米最大。
( 0.012英寸最大) 。
3
尺寸适用于镀终端中并且是
0.20毫米至0.25mm之间测量
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4.
封装翘曲最大0.08毫米。
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0.50
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姒必-CMOS
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OSCO
DCD
VDD
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砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
MCKO /
TXQB
女士/
TXIB
MDI /
TXQ
SSB
!
硅CMOS
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SCLK
SDI
41
40
39
38
砷化镓MESFET
特点
分数N合成器与数字
RXEN
硅锗双CMOS
48
IIN 1
47
46
45
44
43
42
37
ENR /
36
IOUT
GMSK调制器
35
CLKR /
IBOUT
FSR /
QOUT
DRI /
QBOUT
数字
VREG
DAC
LPF
信号处理电路与使用
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通用基带接口
集成的RF发射VCO的
IBIN 2
数字处理
ADC
抽取
下变频
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ADC
DAC
LPF
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接口
QBIN 3
34
秦4
33
TXST 5
32 DRQ
10
6 GPO1
TX
接口
GMSK
调制器
31 OSCM
7 GPO2
30 OSCOM
DCAD 8
ADC
VREG
串行
程序设计
接口
29 DCV2
部分的
分频器
3
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控制和
校准
PA RAMP
控制
VCO2
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VCO1
26 VCO1P
DCO 12
VCO
VREG
25 VCO1N
13
BGDC
14
DAC1
15
DAC2
16
TXEN
17
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18
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RF6001PCBA
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