RF51983 V
1950年兆赫W-
CDMA线性
电源扩增
费里模块
RF5198
3V 1950MHZ W- CDMA线性电源
扩增fi er模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式： QFN ， 16引脚， 3× 3
VCCBIAS
VCC1/IM
特点
输入/输出内部
Matched@50Ω
27.5dBm线性输出功率
42 ％的峰值效率线
-41dBc ACLR @ ± 5MHz的
集成的功率检测器
HSDPA有能力
RF IN 1
16
15
14
MN间
NC
13
12 VCC2
11 ，电源Vcc2
Q2
GND 2
国际市场简讯
Q1
VMODE 3
VREG 4
5
VDET
BIAS
OMN
集成
动力
探测器
IM
10 VCC2
9 RF OUT
8
NC
应用
3V W- CDMA频带1手机
多模式的W-CDMA的3G手 -
套
3V TD-SCDMA手机
扩频系统
6
NC
7
NC
功能框图
产品说明
该RF5198是一种高功率，高效率线性功率放大器模块专
专为3V手持系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造，并且被设计用作最后的射频扩增
费里在3V W- CDMA手持式数字蜂窝设备，扩频系统，
在1920MHz至1980MHz频段和其他应用程序（频段1 ） 。该RF5198
具有数字控制引脚为低功耗应用，以降低静态电流。这
功率放大器还包括一个功率检测器电路。的RF5198是在16针组装，
3mmx3mm ， QFN封装。
订购信息
RF5198
RF5198PCBA-41X
3V 1950MHz W- CDMA线性功率放大器模块
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A5 DS060310
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF5198
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
模式电压（V
模式
)
工作温度
储存温度
湿度敏感度等级
（ IPC / JEDEC J- STD- 20 ）
等级
+8.0
+5.2
+3.9
+10
+3.9
-30到+110
-40到+150
MSL2@260
单位
V
V
V
DBM
V
°C
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
高功率模式
(V
模式
低）
工作频率范围
线性增益
谐波
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACLR1 @ ± 5MHz的
ACLR2 @ ± 10MHz的
输入VSWR
输出VSWR稳定性
耐用性
噪声功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25 ° C环境，V
CC
=3.4V, V
CCBIAS
=3.4V,
V
REG
=2.8V, V
模式
= 0V ，而P
OUT
=27.5dBm
对于所有参数（除非另有规定） 。
调制是3GPP 3.2 03-00
DPCCH+1DPDCH.
1920
26.0
27.5
38
352
42
394
-41
-52
2:1
28.5
1980
32.0
-10
47
435
-37
-48
6:1
10:1
-154
-133
-140
-143
-148
-107
兆赫
dB
DBM
DBM
%
mA
dBc的
dBc的
无oscillation>-70dBc
无损伤
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX =为925MHz到
960MHz的（ EGSM ）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 1805MHz到
1880MHz （ DCS ）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2110MHz至
2170MHz频率（ W- CDMA ） ， TX / RX偏移=为130MHz
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2110MHz至
2170MHz频率（ W- CDMA ） ， TX / RX偏移= 190MHz
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2400MHz的到
2480MHz （蓝牙）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， TX = 1932.3MHz到
1980MHz ， RX = 1893.5MHz至1919.6MHz
（ PHS）的
中频移f
O
+ 5MHz的带CW信号= -40dBc
中频移f
O
+ 10MHz的用CW信号= -40dBc
f=2f
o
, 3f
o
反向IM产品
IM为5MHz
IM 10MHz的
-31
-41
dBc的
dBc的
2第8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060310
RF5198
参数
低功耗模式
(V
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
线性效率
ACLR @ ± 5MHz的
ACLR @ ± 10MHz的
我最大
CC
输入VSWR
输出VSWR稳定性
耐用性
反向IM产品
IM为5MHz
IM 10MHz的
-31
-41
3.2
0.6
V
CC
BIAS
高功率待机电流
(I
CC1
/I
CC2
/I
CCBIAS
)
低功耗空闲电流
(I
CC1
/I
CC2
/I
CCBIAS
)
V
REG
当前
V
模式
当前
RF开启/关闭时间
DC开启/关闭时间
总电流（关机）
V
REG
低电压（掉电）
V
REG
高电压（ Recom-
谁料）
V
REG
高电压（工作）
V
模式
电压
V
模式
电压
0
2.75
2.7
0
2.0
2.8
1.5
50
45
70
60
2.4
150
1.2
2
0.2
0.5
0.5
2.95
3.0
0.5
3.0
4.3
105
95
5.0
300
3.4
4.3
dBc的
dBc的
V
V
V
mA
mA
mA
uA
uS
uS
uA
V
V
V
V
V
高功率模式
低功耗模式
V
CCBIAS
=3.4V, V
REG
= 2.8V ， T = + 25 ° C，
R
DET
=一个5.1kΩ ，Z
负载
=50Ω
1920
0.3
0.65
2.2
0.70
2.5
0.78
2.8
1980
兆赫
V
V
V
P
OUT
=0W
P
OUT
= + 16dBm时，V
CC1,2
=1.5V, V
模式
=2.5V
P
OUT
= + 27.5dBm ，V
CC1,2
=3.4V,
V
模式
=0.2V
V
模式
=低V
REG
=2.8V
V
模式
=高和V
REG
=2.8V
低功率直流到直流转换器
中频移f
O
+ 5MHz的带CW信号= -40dBc
中频移f
O
+ 10MHz的用CW信号= -40dBc
105
1920
23
16
18.3
21.0
-41
-54
125
2:1
6:1
10:1
无oscillation>-65dBc
无损伤
25.3
-37
-48
145
26
1980
31
兆赫
dB
DBM
%
dBc的
dBc的
mA
P
OUT
=+16dBm
P
OUT
=+16dBm
P
OUT
=+16dBm
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=1.5V, V
CCBIAS
=3.4V,
V
REG
=2.8V, V
模式
= 2.8V ，和P
OUT
=16dBm
对于所有参数（除非另有规定） 。
调制是3GPP 3.2 03-00
DPCCH+1DPDCH.
电源
电源电压（V
CC1
和V
CC2
)
峰值包络
功率检测器
工作频率
直流输出电压
转A5 DS060310
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
RF5198
针
1
2
3
4
5
功能
在RF
GND
VMODE
VREG
VDET
描述
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
接地连接。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平时，器件被偏置下，以提高在较低的输出电平的效率。
稳压电源的放大器偏置电路。在掉电模式下，
双方V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
外部负载电阻（ RDET ）需要在该引脚。低通滤波器或
平均化的功能，也需要降低电压纹波（由于
调制）到可接受的量。隔离器是必需的功率放大器的RF上
输出为PDET的正常运行时的功放操作成非50Ω
负载阻抗。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
RF输出。内部交流耦合。
输出级集电极供电。请参见原理图所需的克斯特
最终的组件。
同10脚。
同10脚。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
级间匹配。连接到引脚15 。
第一阶段收集器的供应和级间匹配。
电源输入端提供直流偏置电压的电路。
接地连接。包装的背面应焊接到一
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面具有多个
过孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
接口示意图
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
NC
NC
NC
RF OUT
VCC2
VCC2
VCC2
NC
IM
VCC1/IM
VCCBIAS
GND
封装图
3.00
引脚1号
A
1.45
引脚1号
3.00
1.45
0.28
典型值
0.18
0.05
0.15 C
2 PLCS
B
0.15 C
2 PLCS
0.40
典型值
0.20
0.10 M C A B
0.50 TYP
0.203 REF
0.08 C
0.08 C
0.925
0.775
阴影区域代表引脚1 。
0.102 REF
尺寸（mm） 。
C
4 8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060310
RF5198
应用原理
VCC的偏置可被连接
到VCC ;但是， VCC必须
以上1.5 V.维护
的8.2nH电感器可以是
需要VCC1隔离
和VCC2取决于布局。
V
CC
10
μF
VCC BIAS
1 nF的
16
在RF
1
国际市场简讯
8.2 nH的
15
14
MN间
Q1
Q2
13
12
1 nF的
11
放置1 nF的电容旁
为RF5198以最小的痕迹
长到PA 。
2
VMODE
1 nF的
3
4
VREG
1 nF的
RDET
5.1 kΩ
5
BIAS
OMN
10
集成
动力
探测器
9
8
RF OUT /
Z
负载
匹配
部件
（见下表）
6
7
VDET
注意：
附加平均或低通滤波需要在此
销，以减少电压纹波由于W-CDMA的
调制。低通截止频率是通过选择
可接受的幅度波动和上升/下降之间权衡
时间。 5.1 kΩ电阻接地提供DC回报
用于检测器的温度补偿电路。
电路优化各种输出功率的要求
输出功率（dBm ）
28
27.5
26.5
26
25
匹配元件
12nH
不适用
0.5pF
1.0pF
1.5pF
GRM1555C1HR50BZ01E （村田制作所）
GRM1555C1H1R0BZ01E （村田制作所）
GRM1555C1H1R5BZ01E （村田制作所）
样品编号
LQG15HN12NJ02D （村田制作所）
典型效率（％ ）
41
42
42
42
41
转A5 DS060310
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 8
RF5198
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V W- CDMA频带1手机
多模W- CDMA 3G手机
3V TD-SCDMA手机
扩频系统
3V 1950MHZ W- CDMA线性电源
扩增fi er模块
产品说明
该RF5198是一种高功率，高效率线性扩增
费里的模块专为3V手持系设计
TEMS 。该设备采用先进的第三个生产
代的GaAs HBT工艺制造，并且被设计为利用
如在3V W-CDMA中的手持式数字最终RF放大器
蜂窝设备，扩频系统和其它
在1920MHz至1980MHz频段应用（频段1 ） 。
该RF5198具有数字控制引脚为低功耗应用程序
阳离子以降低静态电流。该PA还包括
一个功率检测器电路。该RF5198是在组装
16引脚， 3mmx3mm ， QFN封装。
3.00
引脚1号
A
1.45
引脚1号
3.00
1.45
0.28
典型值
0.18
0.05
0.15 C
2 PLCS
B
0.15 C
2 PLCS
0.40
典型值
0.20
0.10 M C A B
0.50 TYP
0.203 REF
0.08 C
0.08 C
0.925
0.775
阴影区域代表引脚1 。
0.102 REF
尺寸（mm） 。
C
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
VCCBIAS
封装形式： QFN ， 16引脚， 3×3
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
VCC1/IM
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
特点
输入/输出内部匹配50Ω @
27.5dBm线性输出功率
NC
42 ％的峰值效率线
-41dBc ACLR @ ± 5MHz的
12 VCC2
16
RF IN 1
15
14
MN间
IM
13
集成的功率检测器
HSDPA有能力
GND 2
国际市场简讯
Q1
11 ，电源Vcc2
Q2
BIAS
OMN
VMODE 3
VREG 4
5
VDET
10 VCC2
集成
动力
探测器
订购信息
3V 1950MHz W- CDMA线性功率放大器MOD-
ULE
RF5198PCBA - 41XFully组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
RF5198
9 RF OUT
8
NC
6
NC
7
NC
功能框图
转A5 060310
2-1
RF5198
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
模式电压（V
模式
)
工作温度
储存温度
湿度敏感度等级
（ IPC / JEDEC J- STD- 20 ）
等级
+8.0
+5.2
+3.9
+10
+3.9
-30到+110
-40到+150
MSL2@260
单位
V
V
V
DBM
V
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
高功率模式
(V
模式
低）
工作频率范围
线性增益
谐波
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACLR1 @ ± 5MHz的
ACLR2 @ ± 10MHz的
输入VSWR
输出VSWR稳定性
耐用性
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25 ° C环境，V
CC
=3.4V,
V
CCBIAS
=3.4V, V
REG
=2.8V, V
模式
=0V,
和P
OUT
= 27.5dBm的所有参数
（除非另有规定） 。调制
3GPP 3.2 03-00 DPCCH + 1DPDCH 。
1920
26.0
27.5
38
352
28.5
1980
32.0
-10
47
435
-37
-48
6:1
10:1
42
394
-41
-52
2:1
兆赫
dB
DBM
DBM
%
mA
dBc的
dBc的
f=2f
o
, 3f
o
无oscillation>-70dBc
无损伤
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX =为925MHz到
960MHz的（ EGSM ）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 1805MHz到
1880MHz （ DCS ）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2110MHz至
2170MHz频率（ W-CDMA） ，发送/接收
Offset=130MHz
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2110MHz至
2170MHz频率（ W-CDMA） ，发送/接收
Offset=190MHz
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， RX = 2400MHz的到
2480MHz （蓝牙）
-50<P
OUT
< + 27.5dBm ， TX = 1932.3MHz到
1980MHz ， RX = 1893.5MHz至1919.6MHz
（ PHS）的
中频移f
O
+ 5MHz的带CW信号= -40dBc
中频移f
O
+ 10MHz的用CW信号= -40dBc
-154
-133
-140
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
-143
dBm / Hz计
-148
-107
dBm / Hz计
dBm / Hz计
反向IM产品
IM为5MHz
IM 10MHz的
-31
-41
dBc的
dBc的
2-2
转A5 060310
RF5198
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=1.5V,
V
CCBIAS
=3.4V, V
REG
=2.8V, V
模式
=2.8V,
和P
OUT
= 16dBm的所有参数（除非
另有规定） 。调制是3GPP
3.2 03-00 DPCCH + 1DPDCH 。
1920
23
16
18.3
26
21.0
-41
-54
125
2:1
1980
31
25.3
-37
-48
145
6:1
10:1
反向IM产品
IM为5MHz
IM 10MHz的
-31
-41
3.2
0.6
1.5
50
45
3.4
4.3
4.3
105
95
5.0
300
dBc的
dBc的
V
V
V
mA
mA
mA
uA
uS
uS
uA
V
V
V
V
V
中频移f
O
+ 5MHz的带CW信号= -40dBc
中频移f
O
+ 10MHz的用CW信号= -40dBc
兆赫
dB
DBM
%
dBc的
dBc的
mA
P
OUT
=+16dBm
P
OUT
=+16dBm
低功耗模式
(V
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
线性效率
ACLR @ ± 5MHz的
ACLR @ ± 10MHz的
我最大
CC
输入VSWR
输出VSWR稳定性
耐用性
105
P
OUT
=+16dBm
无oscillation>-65dBc
无损伤
电源
电源电压（V
CC1
和V
CC2
)
V
CC
BIAS
高功率待机电流
(I
CC1
/I
CC2
/I
CCBIAS
)
低功耗空闲电流
(I
CC1
/I
CC2
/I
CCBIAS
)
V
REG
当前
V
模式
当前
RF开启/关闭时间
DC开启/关闭时间
总电流（关机）
V
REG
低电压（掉电）
V
REG
高电压（ Recom-
谁料）
V
REG
高电压（工作）
V
模式
电压
V
模式
电压
低功率直流到直流转换器
V
模式
=低V
REG
=2.8V
V
模式
=高和V
REG
=2.8V
70
60
2.4
150
1.2
2
0.2
0
2.75
2.7
0
2.0
2.8
0.5
0.5
2.95
3.0
0.5
3.0
峰值包络
功率检测器
工作频率
直流输出电压
1920
0.65
2.2
0.3
0.70
2.5
1980
0.78
2.8
兆赫
V
V
V
高功率模式
低功耗模式
V
CCBIAS
=3.4V, V
REG
= 2.8V ， T = + 25 ° C，
R
DET
=一个5.1kΩ ，Z
负载
=50Ω
P
OUT
=0W
P
OUT
= + 16dBm时，V
CC1,2
=1.5V, V
模式
=2.5V
P
OUT
= + 27.5dBm ，V
CC1,2
=3.4V,
V
模式
=0.2V
转A5 060310
2-3
RF5198
针
1
2
3
4
5
功能
在RF
GND
VMODE
VREG
VDET
描述
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
接地连接。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当
置高，器件在低输出偏置下，提高工作效率
放平。
稳压电源的放大器偏置电路。在掉电
模式下，两个V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
外部负载电阻（ RDET ）需要在该引脚。低通滤波器
或平均化的功能，也需要降低电压纹波（由于
到调制）到可接受的量。隔离器是必需的
PA的射频输出PDET正常运行时， PA工作成
非50Ω负载阻抗。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
RF输出。内部交流耦合。
输出级集电极供电。请参见原理图所需
的外部元件。
同10脚。
同10脚。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
级间匹配。连接到引脚15 。
第一阶段收集器的供应和级间匹配。
电源输入端提供直流偏置电压的电路。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
接口示意图
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
NC
NC
NC
RF OUT
VCC2
VCC2
VCC2
NC
IM
VCC1/IM
VCCBIAS
GND
2-4
转A5 060310
RF5198
应用原理
VCC的偏置可被连接
到VCC ;但是， VCC必须
以上1.5 V.维护
的8.2nH电感器可以是
需要VCC1隔离
和VCC2取决于布局。
V
CC
10
μF
VCC BIAS
1 nF的
16
在RF
1
15
8.2 nH的
14
MN间
13
12
1 nF的
11
Q2
放置1 nF的电容旁
为RF5198以最小的痕迹
长到PA 。
2
VMODE
1 nF的
3
4
VREG
1 nF的
RDET
5.1 kΩ
5
国际市场简讯
Q1
BIAS
OMN
集成
动力
探测器
10
9
8
RF OUT /
Z
负载
匹配
部件
（见下表）
6
7
VDET
注意：
附加平均或低通滤波需要在此
销，以减少电压纹波由于W-CDMA的
调制。低通截止频率是通过选择
可接受的幅度波动和上升/下降之间权衡
时间。 5.1 kΩ电阻接地提供DC回报
用于检测器的温度补偿电路。
电路优化各种输出功率的要求
输出功率（dBm ）
28
27.5
26.5
26
25
匹配元件
12nH
不适用
0.5pF
1.0pF
1.5pF
样品编号
LQG15HN12NJ02D （村田制作所）
GRM1555C1HR50BZ01E （村田制作所）
GRM1555C1H1R0BZ01E （村田制作所）
GRM1555C1H1R5BZ01E （村田制作所）
典型效率（％ ）
41
42
42
42
41
转A5 060310
2-5
QQ：2880707522 复制
