RF5187Low
线性电源
扩音器
RF5187
低功率线性放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: SOIC - 8弹头
特点
单3V至6V电源
10dBm的到20dBm的超线性
输出功率
14分贝增益在2.14GHz时
掉电模式
800MHz至2500MHz的运行
在RF
1
在RF
2
PC
3
VCC
4
8
RF OUT
7
RF OUT
6
RF OUT
5
RF OUT
BIAS
电路
应用
2.14GHz时UMTS系统
数字通信系统
PCS通信系统
商业和消费系
TEMS
包装基地
GND
功能框图
产品说明
的RF5187是高度线性,低功耗放大器集成电路。它已被设计为用
作为应用程序,如W-CDMA的基站驾驶员RF放大器。该
RF5187需要一个输入和输出匹配网络和电源供给线。
该装置被制造在一个先进的砷化镓HBT工艺制造,并且是
封装在一个8引脚塑料封装,背面地面。
订购信息
RF5187
RF5187PCBA-41X
低功率线性放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A7 DS060630
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF5187
绝对最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
功率控制电压(V
PC
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.5
-0.5到+ 5V
300
+20
20:1
-40至+85
-40至+100
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
输出功率
OP1dB
小信号增益
输入VSWR
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25℃ ,V
CC
= 5.0V ,我
CC
=240mA,
频率= 2140MHz时,P
OUT
=13dBm
800
13
29
13
1.5:1
41
2.7
0.2
5
2
43
3.1
0.5
2500
兆赫
DBM
DBM
15
dB
与外部匹配网络。
双色调规格
输出IP3
45
3.7
DBM
V
V
6
240
10
V
mA
μA
V
PC
=0.2V
每个音13dBm的。
为了获得240毫安空闲电流。
阈值电压器件的输入。
功率控制
V
PC
功率控制“关”
电源
电源电压
电源电流
掉电电流
注:对于基础设施类的操作,最大允许电流在所有工作条件是260毫安。这意味着需要一个
外部有源偏置控制网络来控制我
CC
在温度和正常的工艺差异。推荐的有源偏置控制税务局局长
CUIT包含在数据表中。
最大连续允许耗散功率(我
CC
*V
CC
-P
RF
)这部分是1.3W 。对于V
CC
= 5.0V ,这意味着一个I
CC
极限260毫安的。
A V
CC
6.0V都会有我
CC
极限215毫安的。
恒定我
CC
180毫安到220毫安提供了高线性度和低功耗的完美结合。参阅W-CDMA中的ACP
曲线在数据表的底部。
2第8
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF5187
针
1
功能
在RF
描述
RF输入。该输入是直流耦合,因此外部隔直电容
如果需要该引脚连接到直流通路。最佳匹配至50Ω的
通过提供2.4pF和外部串联电容器则得到
2.4pF的并联电容器。这些数据均是典型的2140MHz时;其他val-
可能需要的其它频率的UE。
相同的引脚1 。
电源控制引脚。为了获得最佳性能,在电压
该引脚可被用来设置正确的偏置电平。对于低功耗线性应用
系统蒸发散,所以建议一个恒定的偏置控制回路中使用(参见
数据表评估板原理图) 。 0.5V或更低的V的电压
PC
使器件进入掉电状态。
电源引脚的偏置电路。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频去耦附近itors应连接。
RF输出和偏置输出级。用于输出的电源
晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成
四分之一波长微带线被高频接地,另一端,或
通过支持所需要的直流电流的RF电感器。最佳
负载阻抗是通过提供1.8pF和一个并联电容器实现
串联电容3.3pF的。这些数据均是典型的2140MHz时;其他val-
可能需要的其它频率的UE。因为有多个输出
可用引脚(其在内部相连) ,一个销可用于
连接的偏置,另一个用于连接一个(第三个)谐波陷波滤波器,
与其他引脚用于RF输出。
相同的引脚5 。
相同的引脚5 。
相同的引脚5 。
接地连接。包装的背面应连接到
通过一个短的路径接地平面(即,该设备下的通孔可以是
需要)。
接口示意图
2
3
在RF
PC
4
5
VCC
RF OUT
6
7
8
PKG
BASE
RF OUT
RF OUT
RF OUT
GND
封装图
0.157
0.150
0.0192
0.0138
0.004
0.002
-A-
0.196
0.189
0.050
0.244
0.230
裸露
散热器
0.065
0.055
0.123
0.107
8 MAX
0 ° MIN
0.035
0.016
0.087
0.071
0.0098
0.0075
尺寸以英寸。
阴影铅引脚1 。
转A7 DS060630
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
RF5187
评估板电路图
2140MHz时的操作
J1
在RF
50
Ω μstrip
C2
3 pF的
1
C1
2.4 pF的
2
3
C6
1000 pF的
4
8
7
6
5
P1-1
包装基地
VCC
V
CC
= 5 V
F = 2140 MHz的
P
OUT
= 13 dBm的
C8
1 uF的
C7
1000 pF的
C5
33 pF的
L1
4.7 nH的
P1-3
C3
1.5 pF的
P1
1
2
3
CON3
VCC
GND
VPC
C3
3.3 pF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
VPC
BIAS
电路
恒定偏置电路
5.0 V
R1 R3
要通过LPF VCC引脚
Q1
Q2
要通过LPF VPC销
R2 R4
偏置点
mA
100
120
150
180
200
220
240
R1
Ω
120
120
120
120
120
120
120
R2
Ω
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
R3
Ω
3.6
3.0
2.5
2.0
1.8
1.7
1.6
R4
Ω
820
820
820
820
820
820
820
4 8
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF5187
评估板布局
主板尺寸1.5 “ ×1.0 ”
板厚度0.031 “ ,板材料FR- 4
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF5187
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
2.14GHz时UMTS系统
数字通信系统
PCS通信系统
商业和消费系统
低功率线性放大器
产品说明
的RF5187是高度线性,低功耗放大器集成电路。它
已被设计为用作驱动RF放大器
应用,如W-CDMA的基站。该RF5187
需要一个输入和输出匹配网络和功率
供给进料管线。该器件在一个制造
先进砷化镓HBT工艺制造,并且是封装
年龄在8引脚塑料封装,背面地面。
0.157
0.150
0.0192
0.0138
0.004
0.002
-A-
0.196
0.189
0.050
0.244
0.230
阴影铅引脚1 。
裸露
散热器
0.065
0.055
0.123
0.107
8 MAX
0 ° MIN
0.035
0.016
0.087
0.071
0.0098
0.0075
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: SOIC - 8弹头
特点
单3V至6V电源
10dBm的到20dBm的超线性输出
动力
14分贝增益在2.14GHz时
·掉电模式
800MHz至2500MHz的运行
在RF
1
在RF
2
PC
3
VCC
4
包装基地
GND
8
RF OUT
7
RF OUT
6
RF OUT
5
RF OUT
BIAS
电路
订购信息
RF5187
低功率线性放大器
RF5187PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
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RF5187
绝对最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
功率控制电压(V
PC
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.5
-0.5到+ 5V
300
+20
20:1
-40至+85
-40至+100
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
整体
频带
输出功率
OP1dB
小信号增益
输入VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25℃ ,V
CC
= 5.0V ,我
CC
=240mA,
频率= 2140MHz时,P
OUT
=13dBm
800
13
29
13
1.5:1
41
2.7
0.2
43
3.1
0.5
2500
15
兆赫
DBM
DBM
dB
与外部匹配网络。
双色调规格
输出IP3
45
3.7
DBM
V
V
每个音13dBm的。
为了获得240毫安空闲电流。
阈值电压器件的输入。
功率控制
V
PC
功率控制“关”
电源
电源电压
5
6
V
电源电流
240
mA
掉电电流
2
10
μA
V
PC
=0.2V
注:对于基础设施类的操作,最大允许电流在所有工作条件是260毫安。这意味着需要
外部有源偏置控制网络,控制我
CC
在温度和正常的工艺差异。推荐的有源偏置
控制电路包含在数据表中。
最大连续允许耗散功率(我
CC
*V
CC
-P
RF
)这部分是1.3W 。对于V
CC
= 5.0V ,这意味着一个I
CC
极限
260毫安。 A V
CC
6.0V都会有我
CC
极限215毫安的。
恒定我
CC
180毫安到220毫安提供了高线性度和低功耗的完美结合。参阅W-CDMA的
ACP曲线在数据表的底部。
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转A7 060630
RF5187
针
1
功能
在RF
描述
RF输入。该输入是直流耦合,因此外部隔直电容
如果需要该引脚连接到直流通路。最佳匹配
50Ω是通过提供2.4pF的外部串联电容器获得和
然后2.4pF的并联电容器。这些数据均是典型的2140MHz时;
可能需要的其它值用于其它频率。
相同的引脚1 。
电源控制引脚。为了获得最佳性能,在电压
该引脚可被用来设置正确的偏置电平。对于低功耗线性应用程序
阳离子,建议一个恒定的偏置控制回路中使用
(见数据表评估板电路图) 。的0.5V或更低的电压
在V
PC
使器件进入掉电状态。
电源引脚的偏置电路。外部低频旁路
如果没有其他的低频去耦电容是应连接
酒店附近。
RF输出和偏置输出级。为输出的电源
把晶体管需要被供给到该引脚。这是可以做到
通过被高频接地的四分之一波长微带线
另一端,或通过支持所需要的直流电流的射频电感
租金。最佳负载阻抗是通过提供一个分流实现
1.8pF的电容器和3.3pF的串联电容器。这些值
典型的2140MHz时;可能需要的其他frequen-其他值
资本投资者入境计划。由于有多个可用输出引脚(其中内部的
连接),一个引脚可用于连接的偏置,另一个为
连接一个(第三个)谐波陷波滤波器,以及其他引脚用于RF
输出。
相同的引脚5 。
相同的引脚5 。
相同的引脚5 。
接地连接。包装的背面应连接
通过短路径的接地平面(即设备下孔
可能需要) 。
接口示意图
2
3
在RF
PC
4
5
VCC
RF OUT
6
7
8
PKG
BASE
RF OUT
RF OUT
RF OUT
GND
转A7 060630
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