初步
RF5176
3V的W-CDMA ，电力1900MHZ /
3V线性功率放大器
2
典型应用
3V 1850-1910MHz CDMA-2000手机
3V 1920-1980MHz W- CDMA手机
扩频系统
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
2
功率放大器
产品说明
该RF5176是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管（ HBT）的过程中，并一直
设计用作在3V的最终RF放大器
的CDMA -2000和W- CDMA手机以及其它
应用程序在1850MHz至2000MHz频段。该
器件是自包含的，并且输出可以很容易地
相匹配，以获得最佳的功率，效率，和直链
性特点在所有推荐的电源电压。
该设备具有连续可变偏置电路，以
允许空闲电流被用于一个给定的输出优化
力。
1.00
0.90
0.60
0.24 （典型值）
4.00
平方米。
4 PLC的
0.65
0.30
3 0.20
2.10
平方米。
12°
最大
0.05
尺寸（mm） 。
0.75
0.50
0.50
注意包的取向。
0.23
0.13
4 PLC的
注意事项：
1阴影铅引脚1 。
2引脚1标识符必须存在于包被鉴定顶面
标志或在封装体的特征。精确的形状和尺寸是可选的。
3尺寸适用于镀金端子：为0.02毫米测量
和0.25毫米的末端。
4封装翘曲0.05 mm最大。
5芯厚度允许： 0.305毫米最大。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
Q1B
NC
NC
封装形式： LCC ， 20引脚， 4x4的
砷化镓MESFET
硅CMOS
在RF
特点
单3V电源
27dBm的线性输出功率
26分贝线性增益
40 ％的线性效率
板载Power Down模式
20
VREG1 1
VCC BIAS 2
19
18
17
NC
16
15 NC
14 NC
BIAS
VREG2 3
VS2 4
BIAS GND 5
6
NC
13 VCC1
12 VCC1
11 NC
7
8
RF OUT
9
RF OUT
10
RF OUT
订购信息
RF5176
RF5176 PCBA
3V W- CDMA功率1900MHZ / 3V线性电源
扩音器
完全组装的评估板
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
NC
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
冯A0 010910
2-197
RF5176
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
偏置电压（ V
BIAS
)
初步
等级
+8.0
+5.0
+3.0
+3.0
+6
-30到+100
-30至+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
参数
整体
可用频率范围
典型频率范围
线性增益
二次谐波（包括
二次谐波陷阱）
三次谐波
最大线性输出功率
（W-CDMA调制）的
总的线性效率
邻道功率
Rejection@5MHz
邻道功率
Rejection@10MHz
噪声功率
输入VSWR
输出负载VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25℃ ，V
CC
=3.4V,
频率= 1920MHz至1980MHz ，V
REG
=2.5V,
除非另有说明
1850
1850至1910年
1920年至1980年
26
-55
-50
27
40
-40
-50
-144
< 2:1
2000
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
P
OUT
=27dBm
P
OUT
= 27dBm的， W- CDMA调制，
3GPP 3.2 03-00 DPCCH + 1 DPDCH
P
OUT
= 27dBm的， W- CDMA调制，
3GPP 3.2 03-00 DPCCH + 1 DPDCH
P
OUT
=+27dBm,
RX频带2110MHz至2170MHz频率
无振荡
V
mA
A
ns
A
V
V
-38
-48
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
5:1
3.0
3.4
80
10
5.0
电源
电源电压
空载电流
当前VREG
开/关时间
总电流（关机）
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
REG
=2.5V
总引脚1和3 ，V
REG
=2.5V
V
REG
ULOW
见另类偏置网络表的后续
荷兰国际集团的应用原理。
0
2.5
10
0.2
2-198
冯A0 010910
初步
针
1
功能
VREG1
描述
偏压控制为第一阶段。需要被从它的公称分压
2.5V采用240KΩ的电阻分压网络最终的价值和
360kΩ 。 V
REG1
和V
REG2
可以被调整以最小化空闲电流为
一个给定的输出功率。另类V
REG
电压可以被用作
在应用原理图定义。
供应的偏置电路。
偏压控制为第二阶段。需要被从分频的
2.5V的使用240KΩ的电阻分压器网络的标称值和
240KΩ 。另类V
REG
作为在应用程序中定义的电压可以被用来
阳离子原理。
第二级的偏置电路源。为了获得最佳的线性度，与去耦
绕过15pF的和100nF的电容器。
通过连接一个15nH电感接地平面。直流回用于第二
级的偏置电路。
当前未使用。
当前未使用。
RF输出和电源的最后阶段。这是无与伦比的
收集器的最后阶段。它需要一个输出匹配网络，
包括一个DC阻断电容。
同销8 。
同销8 。
当前未使用。
电源为所述第一级和级间匹配。需要分流
电容为12pF的靠近引脚以实现最佳匹配。
同销12 。
当前未使用。
当前未使用。
RF输入。需要隔直电容和并联电感提供
2 ： 1的VSWR。
当前未使用。
基极偏置为第一阶段。为了获得最佳的线性度，与去耦和为15pF
100nF的电容。
当前未使用。
当前未使用。
接地连接。包装的背面应焊接
向顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与
多个过孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
RF5176
接口示意图
2
3
VCC BIAS
VREG2
2
功率放大器
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
PKG
BASE
VS2
BIAS GND
NC
NC
RF OUT
RF OUT
RF OUT
NC
VCC1
VCC1
NC
NC
在RF
NC
Q1B
NC
NC
GND
冯A0 010910
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QQ：2881677436 复制
