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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第58页 > RF5163PCBA-41X
RF5163
0
典型应用
支持802.11b / g / n的无线接入点
PCS通信系统
2.4GHz的ISM频段应用
产品说明
的RF5163是一个线性的,中等功率,高效率的
功放IC专为低电压操作而设计
化。该设备采用先进的砷化镓制造
砷化镓异质结双极晶体管( HBT )亲
塞斯,并且已被设计为用作为最终的射频
放大器,支持802.11b / g / n的无线接入点的发射台。该
设备在一个4mmx4mm ,16引脚,无引线芯片提供
载体与背面接地。该RF5163是专
保持线性度在宽范围的电源电压的
和功率输出。
-A-
2 PLCS
0.10 C A
0.05 C
3V- 5V , 2.5GHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
宽带扩频系统
4.00 SQ 。
2.00
典型值
0.10 C B
2 PLCS
0.70
0.65
0.90
0.85
0.05
0.00
12°
最大
0.10 C B
2 PLCS
-B-
-C-
1.87
典型值
3.75 SQ
0.10 C A
2 PLCS
座位
飞机
阴影铅引脚1 。
尺寸(mm) 。
0.10 M C A B
0.60
0.24
典型值
0.35
0.23
引脚1号
0.20 R
2.25
平方米。
1.95
0.75
典型值
0.50
0.65
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
单3.3V或5V电源
+ 33dBm的饱和输出功率(典型值)。
20分贝大信号增益(典型值)。
2.0 % EVM @ + 26dBm的, 54Mbps的(典型值)。
VCC1
VCC1
14
16
RF IN 1
VREG1GND 2
P DOWN 3
P DETECT 4
5
VREG1
VCC
15
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
GND
独立的电源检测/掉电引脚
1800MHz至2500MHz频率范围的
订购信息
RF5163
3V- 5V , 2.5GHz的线性功率放大器,哑光锡
(无铅)完成
RF5163L
3V- 5V , 2.5GHz的线性功率放大器,锡铅表面处理
RF5163PCBA - 41XFully组装的评估板
RF5163PCBA -WD完全组装的评估板,与驱动程序
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
BIAS
9 GND
8
NC
6
VREG2
7
VREG2 GND
功能框图
转A12 061114
2-627
RF5163
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
PC
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+5.5
-0.5到3.3
1000
+15
-10至+85
-40到+150
JEDEC 3级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
整体
频带
合规
输出功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
2500至00年
+26
单位
条件
T为25 ° C,V
CC
=5.0V, V
REG1,2
=3V,
Freq=2450MHz
兆赫
DBM
的IEEE802.11g和IEEE802.11b
采用802.11g调制( 54兆位/秒),并
会议802.11克频谱模板@ <2.5 %
最大EVM ( RMS ,平均值) 。
增幅比EVM地板; RF P
OUT
=+26dBm
@ + 6dBm的射频针
请参阅操作理论。
无振荡
引脚3 ( P_DOWN ) Voltage<0.6V
DC
引脚3 ( P_DOWN ) Voltage>2.5V
DC
EVM
收益
输入阻抗
输出VSWR
2.0
20
10:1
0.6
5.0
%
dB
Ω
掉电
V
CC
和V
CC1
是“ON”时
V
CC
和V
CC1
是“关”
4.0
3.0 5.0
520
260
3.0
5
V
DC
V
DC
V
mA
mA
V
mA
电源
工作电压
消耗电流
V
REG
(偏置)电压(V
REG1
,
V
REG2
)
V
REG
(偏置)电流(总)
关机“ON” ,P
OUT
=+26dBm
空载电流
2-628
转A12 061114
RF5163
1
2
3
4
功能
在RF
VREG1
GND
P DOWN
P DETECT
描述
RF输入。匹配网络与DC块需要;看评测
电路板原理图的细节。
第一级的偏置电路接地。保持PCB走线短接
马上到地平面。
掉电引脚。适用<0.6V
DC
这两个V功率可达
CC
和V
CC1
。申请
2.5V
DC
到3.5V
DC
断电。如果函数不希望引脚可
接地。
该P_DOWN和P_DETECT引脚可以结合使用一个
外部反馈路径,以提供RF功率控制功能,用于在
RF5163 。功率控制功能是基于采样的RF驱动器
到RF5163的最后阶段。如果函数是不希望的,销可以是
左终结处理。
第一级的偏置输入 - 需要稳定的电压来维持所需
I
CC
.
第二级的偏置输入 - 需要稳定的电压保持
我想要的
CC
。可连接后串联电阻引脚5输入。
第二级的偏置电路接地。地面用10nH到电感器。
无连接(N / C ) 。
接地连接。为了获得最佳性能,请保持PCB走线的长度
短暂。
同11脚。
RF输出和偏置输出级。为输出的电源
把晶体管需要被供给到该引脚。这是可以做到
通过四分之一波( λ / 4)微带线是射频接地的
另一端,或通过支持所需要的直流电流的射频电感
租。
同11脚。
同销8 。
电源引脚为第一阶段。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频率的去耦器应连接
聘用。
VCC
RF OUT
接口示意图
见引脚14 。
5
6
7
8
9
10
11
VREG1
VREG2
VREG2
GND
NC
GND
RF OUT
RF OUT
12
13
14
RF OUT
GND
VCC1
在RF
BIAS
15
16
PKG
BASE
VCC1
VCC
GND
同14脚。
电源引脚偏置电路。外部低频旁路
如果没有其他的低频去耦电容是应连接
聘用。
接地连接。包装的背面应连接
通过尽可能短的连接尽可能地平面,例如
该设备在PCB过孔建议。
见引脚1和2 。
转A12 061114
2-629
RF5163
的操作和应用信息论
RF5163PCBA评估板
的RF5163是一个两阶段的设备与为20dB在2.4GHz的标称增益至2.5GHz工业,科学和医疗
CAL ( ISM)频段。的RF5163主要设计用于固定需要格外的IEEE802.11g /正WLAN应用
为+ 23dBm的至+ 28dBm的线性RF输出功率。
该RF5163需要5.0V标称的单一正电源运行,以规格全。提供功率控制
经过两(2)单独的和独立的方法。第一种方法是通过两(2)偏置控制引脚(Ⅴ
REG1
V
REG2
) 。在大多数应用中,这两个V
REG1
和V
REG2
都连接在一起,并用作单个控制输入。第二个
方法是通过使用专用的电源关闭( P_Down )引脚。申请不到( < ) 0.6V
DC
到RF5163
P_Down引脚完全变成“ON”两个V
CC
和V
CC1
电源电路。采用2.5V
DC
到3.5V
DC
到RF5163 P_Down销
完全变成“OFF”两种V
CC
和V
CC1
电路。通过使用P_Down销转动RF5163 “ON”和/或“OFF”是accom-
plished不考虑系统电压稳压器导通和关断稳定时间限制。
对所用的输入和RF5163的输出,从而允许RF5163一些外部匹配在其他使用
外2.4GHz的应用至2.5GHz的ISM频带(如IEEE802.16d / E在2.3GHz的频带) 。输入和
该装置的输出所需要的一系列隔直流电容器。在某些情况下,电容器用作匹配部件
还可以作为阻挡盖。在RF5163PCBA和RF5163PCBA - WD评估板所使用的电路
对于V的优化
CC
=+5.0V
DC
操作。
该RF5163是不难实现,但是,关心印刷电路板布局和元件选择是非常
建议实施能够为2.5GHz电路时。关键无源器件在RF5163PCBA Evalua-
灰板电路的级间和输出匹配元件( C13 , C15 , C16和) 。在这些情况下,高Q值(品质
因子)适用于RF应用的电容器用于评估板(材料的评估板清单(BOM )
可应要求提供) 。高Q值元件不需要在每一个设计,但强烈建议
最初的设计上RF5163PCBA评估板使用相同的组件来实现。建立后
初始基线性能,成本更低的部件可以被取代,以评估性能的影响。
输入匹配电感器L1和隔直流电容器C14有助于调小信号增益的峰值
反应以及提高PA的线性度。 PA的输入阻抗将不会与该输入匹配50Ω
所以不要用史密斯圆图,为价值选择和器件布局指导。随着输入到50Ω输入匹配
如图所示的评估板电路图,功放会达到预期效果与期望的输入回波损耗
-2dB 。输入的L1应放在参考位置上所示RF5163PCBA评估板
原理图。
级间匹配电容,C13 ,随着内部键合线的组合电感的短长度
的电路板迹线,电容器的寄生电感,调谐小信号增益响应的峰值。该
C13和RF5163之间的走线长度引脚14和15应尽可能接近评估电路板原理图POS-
sible 。
输出匹配电容C15和C16 。这些电容放在参考位置沿反
使命线段TL1和TL2 ,如在RF5163PCBA评估板电路图。这些细分市场
应密切复制成为可能。由于变化的FR-4的特性和印刷电路板制造过程
变化,一些利益是从的小调整, TL1和TL2的长度时获得评估板是继承
标识。在此之前全规模生产,早期的原型电路板布局应该包括一些额外的外露
周围C15和C16的接地区域,以优化此部分电路。 AC耦合电容器,C10,可以放置
非常接近C15 。输出匹配完成后,在C15 。
R 3在RF5163引脚4( P_Detect )脱敏从C12的值的P_Detect线。如果没有R3 , C12的值可能
影响在一定的操作条件下的误差矢量幅度(EVM) 。
2-630
转A12 061114
RF5163
该RF5163一直主要特点与V的电压
REG1
和V
REG2
为+ 3.0V
DC
。然而, RF5163将
从大范围的控制电压下工作。如果使用不同的控制电压需要,请联系RFMD销售或应用程序
系统蒸发散工额外的数据和指导。
RF5163PCBA -WD评估板:
该RF5163PCBA -WD评估板的开发是为了帮助RF5163的潜在客户提供一个COM
pletely表征介质结合了高线性驱动放大器级高功率放大器的解决方案。在应用程序
要求20dB以上,以22分贝放大级的增益阳离子,在RF5163PCBA -WD评估板设计可能是
为实现更高的增益结合超线性射频功率输出为高的峰均功率比的应用程序
阳离子(例如,正交频分复用(OFDM )调制)。
下面的图1示出了主要部件阵容为超线性定应用(例如,接入点(AP) )反
米特能够产生+ 26dBm的RF P的
OUT
与放大器级(驱动器+最后阶段功放IC , RF2373 +
< 2.5 % EVM的RF5163 ) EVM的贡献, RMS (平均值) 。
天线
最大总发射EVM ( RMS ,平均值) @ 54Mbps的:
RF噘= + 26dBm的发射与'链' EVM < 3.8 %
RFMD RF2959
WLAN "g"
Transciever IC
RFMD RF5163
PA IC
G=20dB
在RF = + 6dBm的; RF输出= + 26dBm的
EVM < 2.0 %
Vcc=+5Vdc
RFMD RF2373
驱动放大器
G=15dB
在RF = -9dBm ; RF输出= + 6dBm的
EVM < 1 %
VCC = + 5VDC
OFDM
(IEEE802.11g/n)
MAC + BBP IC
VCC = 3伏直流
RF输出= -9dBm
@54Mbps
EVM < 3 %
ETHERNET
处理器
PA舞台EVM贡献
<2.5 %@ + 26dBm的RF噘
图1的IEEE802.11g / N AP发射器的构成要件阵容
转A12 061114
2-631
RF5163
3V- 5V , 2.5GHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
包装: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
单3.3V或5V电源支持部门
+ 33dBm的饱和输出
功率(典型值)。
20分贝大信号增益(典型值)。
2.0 % EVM @ + 26dBm的,
54Mbps的(典型值)。
独立的电源
检测/掉电引脚
1800MHz至2500MHz的频
昆西范围
VCC1
VCC1
14
VCC
GND
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
BIAS
9 GND
8
NC
16
RF IN 1
VREG1GND 2
P DOWN 3
P DETECT 4
5
VREG1
15
VREG2
支持802.11b / g / n的无线接入点
PCS通信系统
2.4GHz的ISM频段应用
系统蒸发散
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
宽带扩频
系统
功能框图
产品说明
该RF5163是一种线性的,中等功率,高效率的功放IC设计specif-
ically用于低电压操作。该设备采用先进的GAL-制造
lium砷化镓异质结双极晶体管( HBT )工艺,并已
专为使用中的802.11b / g / n的无线接入点和Transmit最终RF放大器
字符。该装置被设置在一个4mmx4mm ,16引脚,无引线芯片载体与
擦屁股地。的RF5163被设计为保持线性度在一个很宽范围的
电源电压和功率输出。
订购信息
RF5163
RF5163L
RF5163PCBA-41X
RF5163PCBA-WD
3V- 5V , 2.5GHz的线性功率放大器,哑光锡(无铅) FIN-
伊什
3V- 5V , 2.5GHz的线性功率放大器,锡铅表面处理
完全组装的评估板
完全组装的评估板,与驱动程序
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A12 DS061114
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
VREG2 GND
应用
6
7
1 14
RF5163
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
PC
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+5.5
-0.5到3.3
1000
+15
-10至+85
-40到+150
JEDEC 3级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
合规
输出功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C,V
CC
=5.0V, V
REG1,2
=3V,
Freq=2450MHz
2500至00年
+26
兆赫
的IEEE802.11g和IEEE802.11b
DBM
采用802.11g调制( 54兆位/秒),并
会议802.11克频谱模板@ <2.5 % MAX-
imum EVM ( RMS ,平均值) 。
增幅比EVM地板; RF P
OUT
=+26dBm
@ + 6dBm的射频针
请参阅操作理论。
无振荡
V
DC
V
DC
V
mA
mA
V
mA
关机“ON” ,P
OUT
=+26dBm
空载电流
引脚3 ( P_DOWN ) Voltage<0.6V
DC
引脚3 ( P_DOWN ) Voltage>2.5V
DC
EVM
收益
输入阻抗
输出VSWR
2.0
20
10:1
0.6
4.0
3.0 5.0
520
260
3.0
5
5.0
%
dB
Ω
掉电
V
CC
和V
CC1
是“ON”时
V
CC
和V
CC1
是“关”
电源
工作电压
消耗电流
V
REG
(偏置)电压(V
REG1
, V
REG2
)
V
REG
(偏置)电流(总)
2 14
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A12 DS061114
RF5163
1
2
3
4
功能
在RF
VREG1 GND
P DOWN
P DETECT
描述
接口示意图
RF输入。匹配网络与DC块需要;看到评估板
见引脚14 。
原理图的细节。
第一级的偏置电路接地。保持PCB走线短,连接被立即
ately到地平面。
掉电引脚。适用<0.6V
DC
这两个V功率可达
CC
和V
CC1
。申请
2.5V
DC
到3.5V
DC
断电。如果函数不希望引脚可
接地。
该P_DOWN和P_DETECT引脚可以配合使用一个外部
纳尔反馈路径,以提供RF功率控制功能的RF5163 。
功率控制功能是基于采样的RF驱动器到最终
阶段RF5163的。如果函数是不希望的,销可以左untermi-
经过NAT 。
第一级的偏置输入 - 需要稳定的电压,以保持理想的我
CC
.
第二级的偏置输入 - 需要稳定的电压来维持所需
I
CC
。可连接后串联电阻引脚5输入。
第二级的偏置电路接地。地面用10nH到电感器。
无连接(N / C ) 。
接地连接。为了获得最佳性能,请保持PCB走线长度短。
同11脚。
RF输出和偏置输出级。用于输出的电源
晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成
四分之一波长( λ / 4)微带线是射频接地,另一端,或
通过支持所需要的直流电流的RF电感器。
同11脚。
同销8 。
电源引脚为第一阶段。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频去耦采用应连接。
在RF
VCC
5
6
7
8
9
10
11
VREG1
VREG2
VREG2 GND
NC
GND
RF OUT
RF OUT
RF OUT
12
13
14
RF OUT
GND
VCC1
BIAS
15
16
PKG
BASE
VCC1
VCC
GND
同14脚。
电源引脚偏置电路。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频去耦采用应连接。
接地连接。包装的背面应连接到
通过尽可能短的连接成为可能,例如,印刷电路板的通孔的接地平面
该设备下建议。
见引脚1和2 。
转A12 DS061114
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 14
RF5163
的操作和应用信息论
RF5163PCBA评估板
的RF5163是一个两阶段的设备与为20dB在2.4GHz的标称增益至2.5GHz工业,科学和医疗
( ISM)频段。的RF5163主要设计用于固定需要格外线性RF的IEEE802.11g /正WLAN应用
为+ 23dBm的至+ 28dBm的输出功率。
该RF5163需要5.0V标称的单一正电源运行,以规格全。提供功率控制
经过两(2)单独的和独立的方法。第一种方法是通过两(2)偏置控制引脚(Ⅴ
REG1
和V
REG2
) 。在
大多数应用中,这两个V
REG1
和V
REG2
都连接在一起,并用作单个控制输入。第二种方法是通过
使用专用的电源关闭( P_Down )引脚。申请不到( < ) 0.6V
DC
到RF5163 P_Down引脚完全变成“ ON”
双方V
CC
和V
CC1
电源电路。采用2.5V
DC
到3.5V
DC
到RF5163 P_Down引脚完全变为“OFF”两个V
CC
和V
CC1
税务局局长
cuits 。通过使用P_Down销转动RF5163 “ON”和/或“OFF”来完成,而不考虑系统的电压调整
荡器的导通和关断稳定时间限制。
对所用RF5163的输入和输出一些外部匹配,从而允许RF5163在其他应用中使用
外系统蒸发散的2.4GHz至2.5GHz ISM频段(如IEEE802.16d / E在2.3GHz的频段) 。输入和输出
设备需要一系列隔直流电容器。在某些情况下,作为一个匹配元件的电容器也可以用作
堵盖。在RF5163PCBA和RF5163PCBA - WD评估板采用的电路为V优化
CC
=+5.0V
DC
操作。
该RF5163是不难实现,但是,关心印刷电路板布局和元件选择是高市盈率
实施能为2.5GHz电路时ommended 。关键无源器件在RF5163PCBA评估板
电路级间和输出匹配元件( C13 , C15 , C16和) 。在这些情况下,高Q值(品质因数)的电容
适用于RF应用中使用的评估板(材料的评估板清单(BOM) ,可应
要求提供)。高Q值元件不需要在每一个设计,但强烈建议在最初的设计方案需要
mented与上RF5163PCBA评估板所用的相同的部件。成立初始基线后perfor-
曼斯,成本更低的部件可以被取代,以评估性能的影响。
输入匹配电感器L1和隔直流电容器C14有助于调小信号增益响应的峰值
以及提高PA的线性度。 PA的输入阻抗不会50Ω此输入匹配,所以不要使用
史密斯圆图,为价值选择和器件布局指导。随着输入到50Ω输入匹配上所示的
评估板电路图,功放会达到预期效果与 -2dB的预期输入回波损耗。输入L1应
可以参照的位置上所示的RF5163PCBA评估板电路图。
级间匹配电容,C13 ,随着内部键合线的组合电感,电路:短长度
扣器电路板迹线,电容器的寄生电感,调谐小信号增益响应的峰值。跟踪
C13和RF5163的引脚长度14和15应尽可能靠近评估板电路图越好。
输出匹配电容C15和C16 。这些电容器被放置参照沿着传输位置
线段TL1和TL2 ,如在RF5163PCBA评估板电路图。这些片段应该被复制
尽可能接近。由于变化的FR-4的特性和印刷电路板制造过程中的变化,一些好处是
从小幅调整TL1和TL2的长度时获得评估板是重复的。之前的满刻度manufactur-
荷兰国际集团,早期的原型电路板布局应该包括各地的C15和C16的一些额外的地面接触的区域为了优化
程度降低这部分电路的。 AC耦合电容器,C10,也可以放在非常接近至C15 。输出匹配完成后,在
C15.
R 3在RF5163引脚4( P_Detect )脱敏从C12的值的P_Detect线。没有R 3 , C12的值可能会影响
误差向量幅度(EVM)在一定的操作条件。
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RF5163
该RF5163一直主要特点与V的电压
REG1
和V
REG2
为+ 3.0V
DC
。然而, RF5163将操作
从大范围的控制电压。如果使用不同的控制电压需要,请联系RFMD销售或应用工程
其他数据和指导。
RF5163PCBA -WD评估板:
该RF5163PCBA -WD评估板的开发是为了帮助RF5163的潜在客户提供了完全煤焦
acterized介质结合了高线性驱动放大器级高功率放大器的解决方案。在实际应用中需要
20dB以上至22分贝放大级增益的RF5163PCBA -WD评估板设计可用于实现
较高的增益结合超线性射频功率输出为高的峰均功率比的应用(例如,正交频
昆西分复用( OFDM)调制) 。
封装图
-A-
2 PLCS
0.10 C A
0.05 C
4.00 SQ 。
2.00
典型值
0.10 C B
2 PLCS
0.70
0.65
0.90
0.85
0.05
0.00
12°
米斧
0.10 C B
2 PLCS
-B-
-C-
1.87
典型值
3.75 SQ
0.10 C A
2 PLCS
座位
飞机
阴影铅引脚1 。
昏暗的ensions在M M 。
0.10 M C A B
0.60
0.24
典型值
0.35
0.23
引脚1号
0.20 R
2.25
SQ 。
1.95
0.75
典型值
0.50
0.65
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