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RF5125
3V至5V , 2.4GHz至2.5GHz
线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
VCC
VC1
NC
16
NC 1
15
14
13
12 RF OUT /
VC2
特点
单电源3.0V至
5.0V
+ 21dBm , <4.0 % EVM ,
185mA@V
CC
=3.3V
28分贝典型小信号增益
50Ω输入和级间匹配
ING
2400MHz的至2500MHz频
昆西范围
+ 23dBm的, <4 % EVM ,
250mA@V
CC
=5.0V
NC 4
5
NC
6
VREG1
7
VREG2
8
PDTECT
RF IN 3
RF IN 2
NC
11 RF OUT
输入
MATCH
INTERSTAGE
MATCH
10 RF OUT
偏置电路
动力
探测器
9 NC
应用
的IEEE802.11b / g / n的无线局域网应用
系统蒸发散
2.5GHz的ISM频段应用
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
扩频和MMDS
系统
功能框图
产品说明
的RF5125是一个线性的,中等功率,高效率,两级放大器集成电路
专为电池供电的无线网络应用,如PC卡,迷你设计
PCI ,和Compact Flash应用程序。该设备采用先进的制造
的InGaP砷化镓异质结双极晶体管(HBT)的过程,并具有
被设计用作在2.5GHz的OFDM和其他电子数的最终RF放大器
频谱发射。该器件采用3mmx3mm , 16引脚提供QFN有
擦屁股地。的RF5125被设计为保持线性度在一个很宽范围的
电源电压和功率输出。
订购信息
RF5125
RF5125PCBA-41X
3V至5V , 2.4GHz至2.5GHz线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A23 DS070515
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
RF5125
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
REG
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+6.0
-0.5 3.5
600
+5
-30至+85
-40到+150
JEDEC 2级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往,不承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利,造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ,建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC (本文件修订版的时候RoHS状况
锡永) 。
参数
总体而言 -
54Mbps的OFDM信号
频带
最大线性输出功率
V
CC
=3.3V
V
CC
=5.0V
EVM
收益
输入阻抗
输出VSWR
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = + 25 ° C,V
CC
=3.3V, V
REG
=2.8V,
频率= 2450MHz的,每评估板电路
原理图。
2500至00年
兆赫
采用802.11g调制( 54Mbit / s)的
会议802.11克频谱屏蔽。
20.0
22.0
2.0
2.0
26
49
21.0
23.0
3.0
3.5
29
50
22.0
24.0
4.0
4.0
33
51
10:1
DBM
DBM
%
%
dB
Ω
P
OUT
= + 21dBm , 54M OFDM ,V
CC
=3.3V
DC
P
OUT
= + 23dBm的, 54M OFDM ,V
CC
=5.0V
DC
P
OUT
= + 21dBm , 54M OFDM ,V
CC
=3.3V
DC
在内部匹配的输入和级间
上述-43dBm无杂散
V
DC
V
DC
V
V
CC
=3.3V
V
CC
=3.3V
V
CC
=5.0V
5V操作需要输出匹配修订
功率检测器( P_detect )
P
OUT
=8dBm
P
OUT
=21dBm
P
OUT
=23dBm
0.2
0.85
0.22
1.05
1.3
3.0
2.7
170
3.3
2.8
185
250
静态电流
漏电流
V
REG
(偏置)电流(总)
10
1
1
95
25
2
2
150
5
6
mA
nA
mA
mA
3.6
3.0
220
0.25
1.2
电源
工作电压
V
REG
(偏置)电压
(V
REG1
, V
REG2
)
消耗电流
V
DC
V
DC
mA
RF P
OUT
= + 21dBm ,V
CC
=3.3V,
54Mbps的OFDM
RF P
OUT
= + 23dBm的,V
CC
=5.0V,
54Mbps的OFDM
RF =关闭
V
CC
=+3.3V
DC
;在RF = OFF ; V
REG
关闭
V
CC
=3.3V
V
CC
=5.0V
2 12
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF5125
1
2
功能
NC
在RF
描述
未连接。可被连接到地(GND ) 。
RF输入。见评估板原理图的细节。
VCC
INTERSTAGE
MATCH
输入
MATCH
接口示意图
3
4
5
6
7
8
9
10
在RF
NC
NC
VREG1
VREG2
PDETECT (或
N / C * )
NC
RF OUT
RF输入。见评估板原理图的细节。
未连接。可被连接到地(GND ) 。
不要连接。
注意: VCC的电压可以被施加到该引脚不损坏,或者影响─
荷兰国际集团时, RF5125的性能。
偏置电流的控制电压的第一阶段。
偏置电流控制电压为第二阶段。该VREG2引脚可
通过一个外部电阻电桥连接VREG1 。
提供一个输出电压成比例的输出RF电平。
*在使用时PDETECT功能没有必要,该引脚可
悬空。
不连接。
RF输出。
见第2脚。
RF OUT
BIAS
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
RF OUT
RF OUT /
VC2
NC
VC1
NC
VCC
GND
同10脚。
电源为第二级放大器。如图所示连接的评价
板原理图。
未连接。可被连接到地(GND ) 。
电源的第一级放大器。如图所示连接的评价
板原理图。
未连接。可被连接到地(GND ) 。
电源电压偏置参考电路和控制电路。可能是CON-
与连接的VC1和VC2 (单电源供电) 。
QFN封装的中心金属底座提供了DC和RF地面
以及用于所述放大器的散热器。
见引脚10 。
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RF5125
封装图
0.10 C A
-A-
0.05 C
2 PLCS
3.00
1.50 TYP
2 PLCS
0.90
0.85
0.70
0.65
0.10 C B
0.05
0.00
3.00
12°
最大
2 PLCS
0.10 C B
-B-
1.37 TYP
2 PLCS
-C-
座位
飞机
2.75 SQ
0.10 M C A B
0.10 C A
0.60
0.24
典型值
0.30
0.18
引脚1号
R.20
1.65
平方米。
1.35
0.50
0.30
尺寸(mm) 。
阴影铅引脚1 。
0.50
引脚输出
VCC
VC1
NC
NC
13
16
15
14
NC 1
12 RF OUT / VC2
RF IN 2
11 RF OUT
RF IN 3
10 RF OUT
NC 4
9 NC
5
NC
6
VREG1
7
VREG2
8
PDETECT
4 12
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RF5125
的操作和应用信息论
的RF5125是一个两阶段( 2级),功率放大器(PA )与26分贝( 29分贝典型)的在2.4GHz的最小增益,以
2.5GHz的工业,科学和医疗( ISM)频段。该RF5125具有50Ω内部输入和级间匹配。只有
RF5125输出级需要匹配。该RF5125的设计主要针对的IEEE802.11g / n无线局域网
(WLAN)的应用中,可用的电源电压和电流是有限的。这个放大器将运营和下面的
最低预期的电压由一个典型的PC卡(PCMCIA或CardBus的)槽在膝上型个人计算机(PC)提供。该
RF5125保持所需的线性度,在降低电源电压。
该RF5125在3.0V的单电源电压工作
DC
至5.0V
DC
提供额定性能。功率控制是亲
经过两(2)偏压控制输入引脚vided (Ⅴ
REG1
和V
REG2
) 。为了获得最佳的性能和较低的电流,还有一个68Ω
电阻放置, R2 。在大多数应用中,这些二(2)偏压控制输入引脚被连接在一起(R1和R2之前)
并用作单个控制输入。
上有RF5125输入或电路间没有必要的匹配。只有RF5125输出级需要匹配
允许RF5125在需要的材料最少的终端产品应用的法案来实现( BOM )元件数
而最低的BOM成本。在大多数情况下,该电容器用作RF5125输出匹配电路的一部分也被用于
实现DC阻断。该RF5125PCBA评估板(可从RF Micro Devices公司( RFMD ))的优化
3.3V
DC
电源输入。
为了获得最佳效果, RF5125PCBA评估电路板的电路布局应密切复制成为可能。特别地,
RF5125PCBA评估板地面布局,接地过孔和输出匹配元件和位置应该复制
无偏差。其他的PCB布局配置可以提供可接受的RF5125的性能;然而,最终产品
设计过程将更快和生产直通率( FTY )更好,如果RF5125PCBA评估板设计跟着
时序。 RFMD可应要求提供RF5125PCBA设计和Gerber文件。
虽然并不难实现,实现了先进国家的表现, RF5125采用频率大于
2GHz的,在护理中的电路布局和元件选择是明智的。主要关注与RF5125 PCB布局是
选择和输出匹配元件的放置(材料RF5125PCBA清单(BOM )可应要求提供) 。
高Q值(品质因数),电容器和电感器不需要在每一个基于RF5125设计;但是,它是强烈建
谁料,该RF5125PCBA评估电路板的BOM被精确地对所有初始终端产品的设计遵循。在初始基线
基于RF5125的PCB线性能,成本更低(低Q值)输出匹配电路部件可以被取代,并
评价对初始设计的性能。 RFMD的经验表明,最终产品瓷厂改进超过
偏置“高Q ”和“低Q”的组件之间的成本差异。
输出匹配电容C10 (或C11 ),其连接所述RF5125和接插件J2 ( RFOUT ),为间
在显示
RF5125PCBA评估板电路图。
这种电容器中选择值和定位参考
的50Ω的传输线。这个匹配电容器是单2.2pF并联电容器,其位置取决于供给
施加电压。与标称3.0V
DC
至3.6V
DC
供电电压,所述传输线的距离应为115mils
(这被标记为安置为C10) 。为5V的电源电压,所述传输线的长度应为101mils
(其被标记为安置为C11) 。通知的分流输出电容仅被放置在同一时间酮( C 10或
C11 ) 。传输线的长度和厚度应尽可能地制作任何客户PCB布局。应有
到印刷电路板材料的变化(例如, FR4)和印刷电路板的制造变化,客户可以从少量的调整中受益
到传输线的长度制成时RF5125PCBA评估板被复制以产生一个最终产品
PCB设计。最初的PCB布局应包括近C10或C11接触地面面积,使其很容易RF5125输出电路
优化;史密斯图表为基础的设计工具可以用来帮助确定所希望的电容值和传送
锡永线物理特性。另外,在一个更敏感匹配使用单个电容器输出电路的匹配结果
和略减RF5125带宽。在此配置中, RF5125将表现出足够的输出频谱的带宽来
满足的IEEE802.11b / g的要求适当匹配时。
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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电话:13910052844(微信同步)
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