RF5122

3V至4.5V ， 2.4GHz至2.5GHz

线性功率放大器

符合RoHS &无铅产品

封装形式： QFN封装， 8引脚， 2.2mmx2.2mmx0.6mm

VCC

特点

单电源3.0V至

3.6V

24分贝最小增益

输入和输出匹配

50Ω

2400MHz的至2500MHz频

昆西范围

+ 18dBm的@ <2.5 ％ （典型值）的EVM ，

120毫安@ 3.3V

CC

RF IN 1

输入

MATCH

8

VC1

7

6 VC2

INTERSTAGE

MATCH

产量

MATCH

VREG 2

偏置电路

动力

探测器

5 RF OUT

3

PDETECT

4

N / C

应用

的IEEE802.11b / g / n的无线局域网

应用

2.5GHz的ISM频段应用

系统蒸发散

商业和消费

系统

便携式电池供电

设备

扩频和MMDS

系统

功能框图

产品说明

的RF5122是一个线性的，中等功率，高效率，两级放大器集成电路

专为电池供电的无线网络应用，如PC卡，迷你设计

PCI ，和Compact Flash应用程序。该设备采用先进的制造

的InGaP砷化镓异质结双极晶体管（HBT）的过程，并具有

被设计用作在2.5GHz的OFDM和其他电子数的最终RF放大器

频谱发射。该器件采用2.2mmx2.2mm ， 8引脚， QFN与提供

背面地面。的RF5122被设计为保持线性度在宽范围内

的电源电压和功率输出。该RF5122还具有内置功率检测器

并在内部集成了输入，级间和输出匹配元件

这减少了外部使用的元件数量，并可以更容易地其纳入

速度上的任何设计。

订购信息

RF5122

RF5122PCBA-41X

3V至4.5V ， 2.4GHz至2.5GHz线性功率放大器

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A5 DS070517

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 12

RF5122

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

REG

)

直流电源电流

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

湿气敏感度

ESD HBM

MM

等级

-0.5到+5.0

-0.5 3.5

400

+5

-30至+85

-40到+150

JEDEC 2级

450

50

单位

V

DC

V

mA

DBM

°C

°C

V

V

注意！ ESD敏感器件。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而

以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，

也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成

从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式

RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利

cuitry ，建议随时申请和规格不

另行通知。

基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况

锡永） 。

参数

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

CC

=3.3V,

V

REG

= 2.8V脉冲在1％到100 ％的占空比，

Frequency=2450MHz,

每评估板电路原理图，除非

另有规定编

整体

频率

输出功率

EVM *

收益

增益变化

功率检测器

P

OUT

=8dBm

P

OUT

=18dBm

当前

操作

静

I

REG

当前

关闭

电源

V

REG1

, V

REG2

输入电压

输出VSWR

输入回波损耗

开启时间**

二次谐波

2.40

18

2.5

24

25.5

2.50

GHz的

DBM

IEEE802.11g

IEEE802.11n

在最大数据速率， OFDM调制

RMS ，平均

在+ 18dBm的RF P

OUT

和54Mbps的

-30 ° C至+ 85°C

4

1.25

%

dB

-DB

V

V

mA

mA

mA

0.4

1.25

1.35

120

85

2

0.7

1.50

145

在+ 18dBm的RF P

OUT

和54Mbps的

数据速率@ <3.5 ％ RMS EVM ，意思是说，

T = -30 ° C至+ 50°C

V

CC

=+3.3V

DC

工作范围

工作范围

10

3.0

2.75

3.3

2.8

-15

0.5

4.5

2.9

10:1

-10

1.0

-27

μA

V

DC

V

DC

dB

μS

DBM

输出稳定在90 ％的最终收益

基本频率为2400MHz的之间

至2500MHz ; RF P

OUT

= + 18dBm的。见注释2 。

注意事项：

*该EVM规范获得与具有小于0.7％的EVM楼层的信号发生器。

**该功率放大器必须具有选通偏压输入在1 ％至99％的占空比操作，没有任何的EVM或其他参数的退化。

注2 ：为了获得最佳的谐波抑制，请参阅谐波抑制的应用原理。

2 12

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RF5122

针

1

功能

在RF

描述

RF输入。输入匹配阻抗为50Ω，直流模块内部设置。

接口示意图

VCC

INTERSTAGE

MATCH

输入

MATCH

2

3

4

5

VREG

PDETECT

N / C

RF OUT

偏置电流控制电压为所述第一和第二放大级。

功率检测器，它提供一个输出电压正比于射频

输出功率电平。可能需要外部去耦电容的稳定性。

可能需要外部电路，使输出电压到需要的水平。

一定要留下，因为没有连接，没有接地。

RF输出。输出匹配阻抗为50Ω，直流模块内部设置。

VCC2

产量

MATCH

RF OUT

6

7

8

PKG

BASE

VC2

VC1

VCC

GND

电压源的第二放大级。

电压供应给所述第一放大级。

电源电压偏置基准和控制电路。可以连接

随着V

C1

和V

C2

（跟单电源电压），只要V

CC

不

超过+ 4.5V

DC

在这种配置。

QFN封装的中心金属底座提供了DC和RF地面

以及用于所述放大器的散热器。

封装图

指数

区域

2 PLCS

0.10 C

0.10 C

2 PLCS

0.63

0.53

0.152

REF

2.20

B

A

2.20

0.65

0.05

0.00

座位

飞机

C

0.10

最大

1.20

典型值

1.00

0.28

0.18

0.31

0.21

尺寸（mm） 。

阴影铅引脚1 。

0.10 M C A B

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RF5122

引脚输出

VCC

VC1

7

8

RF IN 1

6 VC2

VREG 2

5 RF OUT

3

PDETECT

4

N / C

4 12

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RF5122

的操作和应用信息论

的RF5122是一个两级功率放大器（PA ）以24dB的最小增益在2.4GHz的最小增益至2.5GHz的ISM

乐队。该RF5122集成了输入，级间和输出匹配元件，从而使材料的最小法案

（ BOM ）元件数的终端应用。该RF5122的设计主要针对的IEEE802.11b / g / n的无线局域网应用中，

可用的电源电压和电流是有限的。该放大器将工作到（及以下）的最低预期电压做

可以通过在笔记本电脑一个典型的PCMCIA插槽，并保持所需的线性度，在降低电源电压。

该RF5122需要3.3V标称值（或更大）只有单一正电源运行，以规格全。功率控制

通过一个偏置控制输入引脚提供（V

REG

） 。在内部提供了DC阻断帽和评估板电路

（可从RF Micro Devices公司（ RFMD ） ）针对3.3V优化

DC

应用程序。

为了获得最佳效果，请从评估板功放电路布局应密切复制成为可能，特别是在地

布局和接地过孔。引脚4

必须

将其保持为一个PCB上，以无连接的功率放大器的正常工作。其他配置

也可能工作，但设计过程变得更容易和更快，如果布局是从RF5122评估板复制。

可应要求提供了RFMD PCBA设计的Gerber文件。该RF5122是一个非常容易的部分实现，但关怀税务局局长

设计电路在2.5GHz的运行时扣器的布局和元件选择始终是可取的。该RF5122评价

电路板布局和原理图都可以用0201 （美国）大小的组件，这将有助于缩小总量的总体规模

区域PA的和预期的设计的组件。请联系RFMD销售或应用工程额外

数据和指导。

为了获得最佳性能，它复制（尽可能地）的评估电路板的布局是非常重要的。该RF5122具有

主要特点与V的电压

REG

2.8V的

DC

。如果您更喜欢使用一个控制电压，显著differ-

耳鼻喉科比2.8V

DC

或不同的频率比推荐的频率范围，请联系RFMD销售或应用工程

neering额外的数据和指导。

QFN8封装面积与其他小外形封装领域

套餐类型

SOT 23-6

QFN12

SOT 23-5

QFN8

长度（mm ）

3.1

3.0

2.9

2.2

宽度（mm）

3.0

3.0

2.8

2.2

面积（mm

2

)

9.30

9.00

8.12

4.84

三角形（Δ ） （毫米

2

），以QFN8

4.46

4.16

3.28

0.00

一个应用示意图，用于2.5GHz的操作包括具有两个额外的组件， 1并联电感和一个

并联电容器，对提高二次谐波抑制输出。这种布局提供了 20分贝rejecetion在5GHz带

最小的BOM数量。

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