RF5117C

3V ， 1.8GHz的至2.8GHz

线性功率放大器

封装形式： QFN ， 16引脚， 3× 3

VCC

14

特点

单3.3V电源

+ 30dBm的饱和输出

动力

26分贝小信号增益

高线性度

1800MHz至2800MHz频

昆西范围

+ 17dBm的P

O

， 11G ， <3 ％ EVM

RF IN 1

BIAS GND1 2

PWR SEN 3

PWR REF 4

16

15

13

12 RF OUT

11 RF OUT

10 RF OUT

BIAS

5

VREG1

6

VREG2

7

BIAS GND 2

8

NC

VCC

9 NC

NC

应用

IEEE802.11b的无线局域网应用

系统蒸发散

IEEE802.11G WLAN应用

系统蒸发散

2.5GHz的ISM频段应用

系统蒸发散

商业和消费

系统

便携式电池供电

设备

扩频和MMDS

系统

功能框图

产品说明

该RF5117C是线性的，中等功率，高效率功放IC

专为电池供电的无线网络应用，如PC设计

卡，迷你PCI ，和Compact Flash应用程序。该装置是制造

捕获的原始图像采用先进的砷化镓异质结双极晶体管

（HBT）的过程，并且被设计用作最后的RF放大器

2.5GHz的WLAN和其他扩频发射机。该设备是亲

vided在一个3mmx3mm ，16引脚，无引线芯片载体与背侧

地面上。该RF5117C被设计为保持线性在宽范围内

的电源电压和功率输出。

订购信息

RF5117C

RF5117C PCBA

3V ， 1.8GHz的至2.8GHz线性功率放大器

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A6 DS071018

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

NC

1 12

RF5117C

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

REG

)

直流电源电流

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

湿气敏感度

等级

-0.5到+6.0

-0.5 3.5

600

+10

-40至+85

-40到+150

JEDEC 2级

单位

V

DC

V

mA

DBM

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

频带

最大线性输出功率

VCC=3.0V

VCC=5.0V

线性效率

误差向量幅度（ EVM）的

小信号增益

反向隔离

二次谐波

802.11B邻道功率

备用信道功率

隔离

输入阻抗

输入VSWR

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

T为25 ° C，V

CC

=3.0V, V

REG

=2.7V,

频率= 2450MHz的，每评估板电路

原理图。

1800年至2800年

兆赫

与802.11b调制（ 11Mbit / s）和

满足802.11B频谱屏蔽。

22

27

25

2.5

24

30

-35

-38

-56

35

45

50

2:1

2.1

2.7

0

3.0

0.5

-32

-52

26

28.5

DBM

DBM

%

%

dB

dB

dBc的

dBc的

dBc的

dB

Ω

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

在“关”状态，磷

IN

=-5.0dBm

随着外部匹配

随着外部匹配

V

V

提供给控制输入电压;设备

“ON”时

提供给控制输入电压;设备

“关”的

P

O

= 17dBm的， EVM增加了11g中，

54MBPS信号输入

P

IN

=-7dBm

掉电

V

REG

“ON”时

V

REG

“关”的

电源

工作电压

消耗电流

3.0 5.0

500

200

110

V

REG

电流（总）

5

10

10

15

220

V

mA

mA

mA

mA

mA

在最大输出功率

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

空载电流，V

CC

=3.0V, V

REG

=2.7V

V

CC

=3.0V

V

CC

=5.0V

2 12

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支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

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RF5117C

针

1

功能

在RF

描述

RF输入。匹配网络与DC模块，请参照主板评测

原理图的细节。

接口示意图

VCC

键合线

电感

在RF

BIAS

2

3

BIAS GND1

PWR SEN

地面的第一级偏置电路。未连接。

压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用一个外部

纳尔反馈路径，以提供RF功率控制功能，用于在

RF5117C 。功率控制功能是基于采样的RF驱动器

该RF5117C的最后阶段。

见第5脚。

RF OUT

PWR SEN

PWR REF

BIAS

4

5

PWR REF

VREG1

一样的3脚。

该引脚需要一个稳定的电源，以维持正常的偏置电流。

见3脚。

VREG1

BIAS

VREG2

BIAS

GND1

BIAS

GND2

6

7

8

9

10

VREG2

BIAS GND2

NC

NC

RF OUT

相同的引脚5 。

地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能连接

地面用一个10nH到电感器。

未连接。

未连接。

RF输出和偏置输出级。用于输出的电源

晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成

四分之一波长微带线是射频接地，另一端，或

通过支持所需要的直流电流的RF电感器。

同10脚。

同10脚。

见第5脚。

见第5脚。

RF OUT

BIAS

11

12

13

RF OUT

RF OUT

VCC

见引脚10 。

见引脚10 。

14

15

16

PKG

BASE

VCC

NC

NC

GND

级间匹配和偏置第一级的输出。连接级间匹配 - 见引脚1 。

荷兰国际集团的电容器这种垫很短的痕迹。连接低频旁路

电容器该引脚与长期跟踪。请参阅评估电路板布局

详细信息。

同销13 。

见引脚1 。

未连接。

未连接。

接地连接。包装的背面应连接到

通过一个短的路径接地平面，即，该装置下通孔将

所需。

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3 12

RF5117C

封装图

-A-

3.00 SQ 。

0.15 C A

2 PLCS

1.00

0.85

0.80

0.65

0.05 C

1.50 TYP

2 PLCS

0.15 C B

0.05

0.01

12°

最大

2 PLCS

0.15 C B

-B-

1.37 TYP

2 PLCS

0.15 C A

-C-

尺寸（mm） 。

0.10 M C A B

座位

飞机

2.75 SQ 。

0.60

0.24

典型值

0.45

0.00

4 PLC的

阴影铅引脚1 。

0.30

0.18

1.65

平方米。

1.35

0.23

0.13

4 PLC的

0.50

0.55

0.30

4 12

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RF5117C

的操作和应用信息论

该RF5117C是一个两阶段的设备与26分贝在2.4GHz至2.5GHz的ISM频带的标称增益。该RF5117C设计

主要为的IEEE802.11b / 11G的WLAN应用中可用的电源电压和电流是有限的。该放大器

将运营（及以下）通过在一台笔记本电脑典型的PCMCIA插槽提供最低的预期电压，并且将main-

泰恩所需的线性度，在降低电源电压。

该RF5117C需要3.0V标称值（或更大）只有单一正电源运行，以规格全。功率控制

通过两个偏置控制输入引脚提供（V

REG1

和V

REG2

） ，但在大多数应用中，这些被连接在一起，并用作

单个控制输入。

对所用的部件的输入和输出一些外部匹配，从而允许部分在其它应用程序中使用

外的2.4GHz至2.5GHz的ISM频带（如MMDS） 。输入和该装置的输出需要的一系列直流 - 嵌段

荷兰国际集团的电容器。在某些情况下，作为一个匹配元件的电容器也可以用作阻挡盖子。所使用的电路

评估板上进行了优化，标称3.0V的应用。

为了获得最佳效果，请从评估板功放电路布局应密切复制成为可能，特别是在地

布局和接地过孔。其它配置也有效，但在设计过程更容易，更快如果布局是

从RF5117C评估板复制。我们的设计Gerber文件可以根据要求提供。

该RF5117C不是一个困难的部分实现，但关怀的电路布局和元件选择始终是最好的时候

在设计电路为2.5GHz运行。最关键的无源元件在电路是输入，级间和输出

把匹配的组件（C1 ，C5和C11 ） 。在这些情况下，适合于RF应用的高Q电容器上使用了我们的

评估板（ BOM是应要求提供） 。高Q零件不要求在每个设计中，但它是非常强烈recom-

修补原始设计可以与我们的评估电路板所用的相同或类似的部分实现。然后，成本较低的

组件可以取代自己的位置，因此很容易测试较便宜的组件对性能的影响。 Gen-

ERAL RFMD的经验表明，质量更好的无源器件的成本略高超过抵消

在大批量制造的成品率的显著改善。采用成本较低的组件通常

导致1至2分贝劣化增益。

级间匹配电容，C11 ，随着内部键合线的组合电感，电路：短长度

CUIT电路板走线，这电容的寄生电感，调谐小信号增益响应峰值。跟踪

C11和销13和14之间的长度应保持尽可能的短。

在实践中，V

CC

和输出级的偏置电源将被连接到同一电源。将其与其它隔离C11是重要

射频和低频旁路电容在此供电线路。这可以通过使用一个适当长的传输线来实现

这是射频短路上的另一端。理想的情况是此行的长度将是四分之一波长，但它仅需要长

足以让对级间匹配其他电源旁路电容的影响降到最小。如果电路板空间是一个反面

欧洲核子研究中心，这种隔离还可以实现与射频扼流电感或铁氧体磁珠。此外，较高的值电容

比对应用原理图所示，可以使用，如果旁路电容必须进行更密切。史密斯圆图可以用来亲

韦迪的价值选择和器件布局的初步指导意见。要知道自谐振频率（ SRF ）的高值

电容器。该SRF必须是工作频率之上。

输出匹配电容C 5，从IC位于130mils （该距离应尽可能接近重复越好） 。

由于变化的FR-4的特性和印刷电路板制造过程中的变化，一些益处将由小得

调整这些传输线长度时，评估电路板布局被复制到另一个设计。在此之前全

速度制造，早期的原型电路板布局应包括围绕C5一些额外的地面接触区域

优化这部分电路。史密斯圆图可以帮助确定所期望的值和传输线长度，其可以是

同样，在之前生产的电路板进行调整。

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支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 12

RF5117C

0

典型应用

IEEE802.11b的无线局域网应用

IEEE802.11G WLAN应用

2.5GHz的ISM频段应用

产品说明

该RF5117C是一个线性的，中等功率，高效率的

功放IC专为电池供电的设计

WLAN应用，如PC卡，迷你PCI和

紧凑型闪存的应用。该装置被制

采用先进的砷化镓异质结双极

晶体管（HBT）的过程，并且已被设计为用

在2.5GHz的WLAN和其他最终RF放大器

扩频发射机。该装置中所提供的

3mmx3mm ，16引脚，无引线芯片载体与背侧

地面上。该RF5117C旨在维持线性

在宽范围的电源电压和功率输出。

3V ， 1.8GHz的至2.8GHz

线性功率放大器

商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

扩频和MMDS系统

-A-

3.00 SQ 。

0.15 C A

2 PLCS

1.00

0.85

0.80

0.65

0.05 C

1.50 TYP

2 PLCS

0.15 C B

0.05

0.01

12°

最大

2 PLCS

0.15 C B

-B-

1.37 TYP

2 PLCS

0.15 C A

-C-

尺寸（mm） 。

0.10 M C A B

座位

飞机

2.75 SQ 。

0.60

0.24

典型值

0.45

0.00

4 PLC的

阴影铅引脚1 。

0.30

0.18

1.65

平方米。

1.35

0.23

0.13

4 PLC的

0.50

0.55

0.30

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： QFN ， 16引脚， 3×3

特点

单3.3V电源

+ 30dBm的饱和输出功率

VCC

VCC

NC

NC

26分贝小信号增益

- 高线性度

12 RF OUT

11 RF OUT

10 RF OUT

16

RF IN 1

BIAS GND1 2

PWR SEN 3

PWR REF 4

5

VREG1

15

14

13

1800MHz至2800MHz频率范围

+ 17dBm的P

O

， 11G ， <3 ％ EVM

BIAS

6

VREG2

7

BIAS GND 2

8

NC

9 NC

订购信息

RF5117C

RF5117C PCBA

3V ， 1.8GHz的至2.8GHz线性功率放大器

完全组装的评估板

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A5 060517

2-573

RF5117C

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

REG

)

直流电源电流

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

湿气敏感度

等级

-0.5到+6.0

-0.5 3.5

600

+10

-40至+85

-40到+150

JEDEC 2级

单位

V

DC

V

mA

DBM

°C

°C

请参阅“处理PSOP和PSSOP产品”

对特别处理的信息16-15页。

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

频带

最大线性输出功率

VCC=3.0V

VCC=5.0V

线性效率

误差向量幅度（ EVM）的

小信号增益

反向隔离

二次谐波

802.11B邻道

动力

备用信道功率

隔离

输入阻抗

输入VSWR

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

T为25 ° C，V

CC

=3.0V, V

REG

=2.7V,

频率= 2450MHz的，每评估板电路

原理图。

1800年至2800年

兆赫

与802.11b调制（ 11Mbit / s）和

满足802.11B频谱屏蔽。

22

27

25

2.5

24

30

26

-35

-38

-56

45

50

2:1

2.7

0

28.5

DBM

DBM

%

%

dB

dB

dBc的

dBc的

dBc的

dB

Ω

P

O

= 17dBm的， EVM增加了11g中，

54MBPS信号输入

P

IN

=-7dBm

-32

-52

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

在“关”状态，磷

IN

=-5.0dBm

随着外部匹配

随着外部匹配

提供给控制输入电压;设备

“ON”时

提供给控制输入电压;设备

“关”的

35

掉电

V

REG

“ON”时

V

REG

“关”的

2.1

3.0

0.5

V

V

电源

工作电压

消耗电流

3.0 5.0

500

200

110

5

10

V

mA

mA

mA

mA

mA

在最大输出功率

P

OUT

= 21dBm ，V

CC

=3.0V

空载电流，V

CC

=3.0V, V

REG

=2.7V

V

CC

=3.0V

V

CC

=5.0V

220

10

15

V

REG

电流（总）

2-574

转A5 060517

RF5117C

针

1

功能

在RF

描述

RF输入。匹配网络与DC模块，请参照评价

电路板原理图的细节。

接口示意图

VCC

键合线

电感

在RF

BIAS

2

3

BIAS GND1

PWR SEN

地面的第一级偏置电路。未连接。

压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用的

外部反馈路径，以提供RF功率控制功能，用于在

RF5117C 。功率控制功能是基于采样的RF

开车到RF5117C的最后阶段。

见第5脚。

RF OUT

PWR SEN

PWR REF

BIAS

4

5

PWR REF

VREG1

一样的3脚。

该引脚需要一个稳定的电源，以维持正常的偏置电流。

见3脚。

VREG1

BIAS

VREG2

BIAS

GND1

BIAS

GND2

6

7

8

9

10

VREG2

BIAS GND2

NC

NC

RF OUT

相同的引脚5 。

地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能连接

地面用一个10nH到电感器。

未连接。

未连接。

见第5脚。

见第5脚。

11

12

13

RF OUT

RF OUT

VCC

RF输出和偏置输出级。为输出的电源

把晶体管需要被供给到该引脚。这是可以做到

通过四分之一波长度的微带线是射频接地的

另一端，或通过支持所需要的直流电流的射频电感

BIAS

租金。

同10脚。

见引脚10 。

同10脚。

级间匹配和偏置第一级的输出。级间连接

匹配电容，这片具有较短的线路。连接低频

昆西旁路电容来此引脚具有悠久痕迹。看评测

电路板布局的详细信息。

同销13 。

未连接。

未连接。

接地连接。包装的背面应连接

通过一个短的路径接地平面，即，该装置下通孔将

是必需的。

见引脚10 。

见引脚1 。

RF OUT

14

15

16

PKG

BASE

VCC

NC

NC

GND

见引脚1 。

转A5 060517

2-575

RF5117C

的操作和应用信息论

该RF5117C是一个两阶段的设备与26分贝在2.4GHz至2.5GHz的ISM频带的标称增益。该RF5117C是

主要为的IEEE802.11b / 11G的WLAN应用中可用的电源电压和电流是有限的而设计的。

这个放大器将运营（及以下）由一个典型的PCMCIA插槽提供的最低预期电压在一个lap-

顶级PC ，并保持所需的线性度，在降低电源电压。

该RF5117C需要3.0V标称值（或更大）只有单一正电源运行，以规格全。动力

控制是通过两个偏置控制输入引脚提供（V

REG1

和V

REG2

） ，但在大多数应用中，这些都与

在一起，并用作单个控制输入。

对所用的部件的输入和输出一些外部匹配，从而允许部分在其它应用程序中使用

外2.4GHz的系统蒸发散至2.5GHz的ISM频带（如MMDS） 。输入和该装置的输出需要一个

一系列的隔直流电容器。在某些情况下，作为一个匹配元件的电容器也可以用作阻挡

帽。评估板上使用的电路进行了优化，标称3.0V的应用。

为了获得最佳效果，请从评估板功放电路布局应密切复制成为可能，特别是

地面布局和接地过孔。其它配置也工作，但设计过程更容易和更快的话

布局从RF5117C评估板复制。我们的设计Gerber文件可以根据要求提供。

该RF5117C不是一个困难的部分实现，但护理电路设计和元件选择始终是最好

在设计电路时，在2.5GHz的运行。最关键的无源元件在电路是输入，间

级和输出匹配元件（C1 ，C5和C11 ） 。在这些情况下，高Q电容器适用于射频应用

系统蒸发散是我们的评估板使用（ BOM是应要求提供） 。高Q值的部件不需要在每一个设计中，

但它是非常强烈建议在最初的设计可以与所使用的相同或相似的部件来实现我们的

评估板。然后，成本更低的部件可被取代在其位置，使得它容易被测试的影响

较便宜的组件的性能。一般RFMD的经验表明，较好的成本略高

优质的无源元件是超过了大批量的生产产量的显著改善抵消

制造业。使用较少的昂贵的部件通常会导致一个1至2分贝劣化增益。

级间匹配电容，C11 ，随着内部键合线的组合电感的短长度

电路板走线，而这个电容的寄生电感，调谐小信号增益响应峰值。

C11和引脚13和14之间的走线长度应保持尽可能的短。

在实践中，V

CC

和输出级的偏置电源将被连接到同一电源。它从隔离C11是重要

其他射频和低频旁路电容在此供电线路。这可以通过使用一个适当长反式来实现

任务线是短接的射频上的另一端。理想的情况是此行的长度将是四分之一波长，但它只

需要有足够长的时间，以便对级间匹配其他电源旁路电容器的影响减至最小。如果

电路板空间是一个问题，这种隔离还可以实现与射频扼流电感或铁氧体磁珠。另外，

高值电容比的应用原理图所示，可以使用，如果旁路电容必须进行更密切。一

史密斯圆图可以用来提供价值选择和器件布局的初步指导意见。要知道自谐振的

楠频率较高值电容（ SRF ） 。该SRF必须是工作频率之上。

输出匹配电容C 5，从IC位于130mils （该距离应尽可能接近重复上尽

sible ） 。由于变化的FR-4的特性和印刷电路板制造过程中的变化，将得到一些好处

小调整这些传输线的长度，当评估电路板布局被复制到另一个

设计。在此之前全速率生产，早期的原型电路板布局应该包括一些额外的外露

周围的C5接地区域，以优化此部分电路。史密斯圆图可以帮助确定所需的值，

传输线的长度，从而可以在生产之前被类似地调整在电路板上。

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转A5 060517

RF5117C

该RF5117C可用于与IEEE802.11g的调制用了一些修改。销2不应该被连接到

接地端和4.7kΩ的电阻器应放置在V

REG1

线。这是通过切割完成评估板上

V

REG1

跟踪和放置电阻上开行。所有其它组件不应该被修改和IEEE802.11g的

概略应当尽可能紧密地遵循。

功率检测与PWR森和PWR REF线实现的。这些引脚的输出晶体管collec-

器和需要被上拉至通过电阻供电。压水堆REF提供一个输出电流成比例的

输出级的偏置电流，和PWR SEN提供一个输出电流成比例的合计（RF和偏压）的当前

输出级。该上拉电阻转换这些电流电压之间，并且这两个引脚上的电压差

是成比例的RF电流。见该图中，“V

REF

-V

SENSE

与P

OUT

“ ，对于该信号的响应。这种差异

比量信号可以被供给到功率控制电路的其他地方的最终产品，或者它可以在将PA与额外处理

附加电路和用于调整三角

REG

电压（ S）来实现自动电平控制。联系RFMD销售或

应用工程进行额外的数据和指导使用此功能。

该RF5117C一直主要特点与V的电压

REG1

和V

REG2

2.7V的

DC

。然而， RF5117C

将工作从一个大范围的控制电压。如果您更喜欢使用一个控制电压比显著的不同

2.7V

DC

，请联系RFMD销售或应用工程提供额外的数据和指导。

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