RF3S49092SM
数据表
2004年9月
20A / 10A ， 12V ， 0.060 / 0.140欧姆，逻辑
水平，互补功率MOSFET
这些互补功率MOSFET的制造
采用先进的MegaFET过程。该方法中，其中
使用特征尺寸接近LSI的集成
电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。该产品实现了全额定导通在
在3V至5V的范围内栅偏压，从而促进真正的
开关直接逻辑电平（ 5V ）电源控制集成
电路。
以前发育类型TA49092 。
特点
20A ， 12V （ N沟道）
图10A ，12V （ P沟道）
r
DS （ ON）
= 0.060Ω （ N沟道）
r
DS （ ON）
= 0.140Ω （ P沟道）
温度补偿PSPICE
模型
导通电阻VS栅极驱动电压曲线
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
符号
S2
订购信息
产品型号
RF3S49092SM
包
MO-169AB
BRAND
F3S49092
G2
注：订货时，使用整个零件编号。如需订购
MO- 169AB卷带，加上SUF科幻X 9A的零件编号，也就是说，
RF3S49092SM9A.
D1
G1
S1
包装
JEDEC MO- 169AB
G2
S2
G1
S1
2004仙童半导体公司
RF3S49092SM版本C
RF3S49092SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
N沟道
12
12
±10
20
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
50
0.33
-55至175
300
260
P沟道
-12
-12
±10
10
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
50
0.33
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
,
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲（图5，图26）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6，图27 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子（ N沟道）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图13）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图12）
V
DS
= 12V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 20A ，V
GS
= 5V ， （图9，图11 ）
V
DD
= 6V ，我
D
≈
20A ，R
L
= 0.24,
V
GS
= 5V ，R
GS
= 25
（图10 ）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
12
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 9.6V,
I
D
= 20A,
R
L
= 0.42
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
18
60
50
60
-
20
12
0.9
750
700
275
-
-
最大
-
-
1
50
±100
0.060
100
-
-
-
-
140
25
15
1.2
-
-
-
3.00
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
N沟道源极到漏极二极管产品规格
参数
源极到漏极电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 20A
I
SD
= 20A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
100
单位
V
ns
2004仙童半导体公司
RF3S49092SM版本C
RF3S49092SM
典型性能曲线（ N沟道）
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
（续）
1
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
单脉冲
0.01
10
-5
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
100
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
J
=最大额定，T
C
= 25
o
C
1000
T
C
= 25
o
下下
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
D
，漏电流（ A）
=
I
25
175 - T
C
150
10
5ms
10ms
100ms
1s
DC
100
V
GS
= 5V
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
跨
可能限流
在这个区域
10
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
I
D
，漏电流（ A）
40
V
GS
= 4V
30
20
V
GS
= 3V
10
脉冲宽度=为80μs ，T
C
= 25
o
C
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
6
7
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图7.饱和特性
图6.松开电感式开关能力
2004仙童半导体公司
RF3S49092SM版本C
RF3V49092 ， RF3S49092SM
数据表
1999年11月
文件编号4600.1
20A / 10A ， 12V ， 0.060 / 0.140欧姆，逻辑
水平，互补功率MOSFET
这些互补功率MOSFET的制造
采用先进的MegaFET过程。该方法中，其中
使用特征尺寸接近LSI的集成
电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。该产品实现了全额定导通在
在3V至5V的范围内栅偏压，从而促进真正的
开关直接逻辑电平（ 5V ）电源控制集成
电路。
以前发育类型TA49092 。
特点
20A ， 12V （ N沟道）
图10A ，12V （ P沟道）
r
DS （ ON）
= 0.060Ω （ N沟道）
r
DS （ ON）
= 0.140Ω （ P沟道）
温度补偿PSPICE
模型
导通电阻VS栅极驱动电压曲线
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
符号
S2
订购信息
产品型号
RF3V49092
RF3S49092SM
包
TS-001AA
MO-169AB
BRAND
F3V49092
F3S49092
G2
D1
注：订货时，使用整个零件编号。如需订购
MO- 169AB卷带，加上SUF科幻X 9A的零件编号，也就是说，
RF3S49092SM9A.
G1
S1
包装
JEDEC TS- 001AA （备用）
S1
G1
S2
G2
G2
S2
JEDEC MO- 169AB
G1
S1
4-30
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
1-888- INTERSIL或321-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RF3V49092 ， RF3S49092SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
N沟道
12
12
±10
20
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
50
0.33
-55至175
300
260
P沟道
-12
-12
±10
10
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
50
0.33
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
脉冲（图5，图26）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6，图27 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子（ N沟道）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图13）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图12）
V
DS
= 12V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 20A ，V
GS
= 5V ， （图9，图11 ）
V
DD
= 6V ，我
D
≈
20A ，R
L
= 0.24,
V
GS
= 5V ，R
GS
= 25
（图10 ）
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
12
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 9.6V,
I
D
= 20A,
R
L
= 0.42
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
TS- 001AA和MO- 169AB
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
18
60
50
60
-
20
12
0.9
750
700
275
-
-
最大
-
-
1
50
±100
0.060
100
-
-
-
-
140
25
15
1.2
-
-
-
3.00
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
N沟道源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 20A
I
SD
= 20A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
100
单位
V
ns
4-31
RF3V49092 ， RF3S49092SM
典型性能曲线（ N沟道）
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
（续）
1
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
单脉冲
0.01
10
-5
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
100
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
J
=最大额定，T
C
= 25
o
C
1000
T
C
= 25
o
下下
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
D
，漏电流（ A）
=
I
25
175 - T
C
150
10
5ms
10ms
100ms
1s
DC
100
V
GS
= 5V
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
跨
可能限流
在这个区域
10
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.01
1
10
0.1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
I
D
，漏电流（ A）
40
V
GS
= 4V
30
20
V
GS
= 3V
10
脉冲宽度=为80μs ，T
C
= 25
o
C
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
6
7
注意：
请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图7.饱和特性
图6.松开电感式开关能力
4-33
QQ：2881677436 复制
