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恒忆无线闪存
( W18 / W30 SCSP )
32WQ和64WQ家庭与异步RAM
数据表
产品特点
设备架构
- 闪存密度: 32兆, 64兆
- 异步PSRAM密度: 16兆, 32兆
- 顶部,底部或双闪存参数
CON组fi guration
器件电压
- 闪存VCC = 1.8 V ;闪存VCCQ = 1.8 V或3.0 V
- RAM VCC = 1.8 V或3.0 V
包装设备
- 88球( 8 ×10有源矩阵球)
- 面积: 8×10毫米
- 高度:1.9以上1.4mm以下
PSRAM性能
- 70 ns的初始接入, 25 ns的异步页读取时
1.8 V的I / O
- 70 ns的初始接入异步PSRAM在1.8 V
I / O
- 70 ns的初始接入, 25 ns的异步页
读为3.0 V的I / O
SRAM性能
- 在1.8 V或3.0 V 70 ns的初始访问I / O
质量和可靠性
- 扩展级温度: -25°C至+85°C
- 最小100K闪存块擦除周期
- 90纳米ETOX IX闪存技术
- 130纳米ETOX 第八闪存技术
闪存性能
- 在1.8 V 65 ns的初始访问I / O
- 在3.0 V 70 ns的初始访问I / O
- 在1.8 V或3.0 V 25 ns的异步I / O页
- 14纳秒的同步读取(T
CHQV
)在1.8 V的I / O
- 20纳秒的同步读取(T
CHQV
)在3.0 V的I / O
- 增强的工厂编程:
3.10微秒/字(典型值)
闪存架构
- 同时读 - 写/擦除
- 非对称结构的阻隔
- 4 - KWord的参数块(顶部或
底部)
- 32 KWord的主区块
- 4 - Mbit的分区大小
- 128位一次性可编程
( OTP )保护寄存器
- 零延迟块锁定
- 绝对的写保护,块
锁定使用F- VPP和F -WP #
FLASH软件
- 恒忆闪存数据集成
( FDI)和通用闪存接口
( CFI )
订单号: 251407-13
2007年11月
本资料所提供之恒忆产品。没有执照,明示或暗示,被禁止的或
另有,任何知识产权权利的授予此文档。除非在NUMONYX的条款及
出售该产品的条件恒忆不承担任何责任,恒忆公司不作任何明示或暗示的保证
担保,涉及销售恒忆的产品和/或使用包括责任或与适用性的担保
特定用途,适销性,或不侵犯任何专利,版权或其它知识产权的担保。恒忆
产品并非设计用于医疗,救生,生命维持,关键控制或安全系统,使用或核设施应用领域。
LL埃加勒线和否认ERS
恒忆BV可能会更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
恒忆BV可能有涉及到提交专利或正在申请的专利,商标,版权或其他知识产权
标的物。文件和其他材料和信息的提供不提供任何许可证,明示或暗示,禁止反言或
否则,对此类专利,商标,版权或其他知识产权。
设计者不得依赖于不存在或存在任何功能或说明标有“保留”的特点或“未定义”恒忆保留这些为
今后对其定义的权利,对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。
请联系您当地的恒忆销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有订单号和本文档中提及的文件副本,或其他文献中恒忆也可以通过访问获得
恒忆公司网站
http://www.numonyx.com 。
恒忆,恒忆徽标和的StrataFlash的商标或恒忆BV或其在其他国家的子公司的注册商标。
*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。
版权所有 2007年,恒忆BV ,并保留所有权利。
数据表
2
2007年11月
订单号: 251407-13
32WQ和64WQ家庭与异步RAM
目录
1.0
介绍
.............................................................................................................. 6
1.1
命名法..................................................................................................... 6
1.2
约定....................................................................................................... 7
功能概述
.................................................................................................. 8
2.1
框图................................................ .................................................. 8 ..
2.2
闪存存储器映射和分区............................................. ........................... 9
包装信息
............................................................................................... 10
Ballout和信号说明
................................................................................. 13
4.1
信号Ballout ................................................ .................................................. 13
4.2
信号说明................................................ ............................................ 14
最大额定值和工作条件............................................. ...............
16
5.1
绝对最大额定值............................................... .................................. 16
5.2
工作条件................................................ ......................................... 16
5.3
Capacitance...................................................................................................... 17
电气规格
........................................................................................... 18
6.1
直流特性................................................ ............................................. 18
AC特性
................................................................................................... 20
7.1
闪光交流特性............................................... ...................................... 20
7.2
SRAM交流特性............................................... ..................................... 20
7.3
PSRAM交流特性............................................... .................................... 22
7.4
AC设备测试条件.............................................. .................................... 27
闪存功耗
....................................................................................... 28
设备操作
..................................................................................................... 29
9.1
公交运营................................................ ................................................. 29
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0 Flash命令定义
..................................................................................... 33
11.0 Flash读Operations.............................................................................................
33
12.0闪存程序操作
....................................................................................... 33
13.0闪存擦除操作
............................................................................................ 33
14.0 FLASH安全模式
............................................................................................... 33
15.0闪存读取配置寄存器
........................................................................... 33
16.0 SRAM Operations.....................................................................................................
34
16.1上电顺序和初始化........................................... ........................ 34
16.2数据保存方式.............................................. ........................................... 34
17.0 PSRAM Operations...................................................................................................
36
17.1上电顺序和初始化........................................... ........................ 36
17.1.1的16Mbit PSRAM上电顺序(非页面模式) ................................. 36
17.2待机模式/深度掉电模式......................................... ...................... 37
17.3 PSRAM特殊的读取和写入约束........................................... ................ 37
A
B
C
D
写状态机
................................................................................................ 38
通用闪存接口............................................... ...........................................
38
闪存流程图
..................................................................................................... 38
附加信息
............................................................................................ 38
2007年11月
订单号: 251407-13
数据表
3
32WQ和64WQ家庭与异步RAM
E
F
订购信息(有效订单项)
................................................................39
订购信息(退休项)
..............................................................40
数据表
4
2007年11月
订单号: 251407-13
32WQ和64WQ家庭与异步RAM
修订历史
日期
2003年6月
九月
2003
2004年5月
2004年8月
调整
-001
-002
-006
-007
初始版本
描述
改变PSRAM读值。
增加了新的等效瞬态负载测试电路图。
一般的文字编辑。
格式化的数据表,并根据新的布局移动部分周围。
加入90纳米的产品信息。
添加的行项目。
加入DC和AC规格的新生产线项目和编辑相关章节。
添加的行项目。
加入32WQ产品信息。
添加的行项目。
除去从第16上电顺序;加为70ns PSRAM (非页面模式)规范
更新订购信息
更新订购信息与在职和退休的行项目。
最新的AC规格&电规格为38F2030W0YxQE & 38F2040W0YxQE
Rempved 38F2030W0YxQE & 38F2040W0YxQE行项目
更新订购信息
应用恒忆品牌。
2005年1月
2005年6月
2005年10月
2007年6月
2007年8月
2007年11月
-008
-009
-010
-011
-012
13
2007年11月
订单号: 251407-13
数据表
5
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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