建议

0

典型应用

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

砷化镓HBT预驱动器，用于基站放大器 AB类操作支持GSM / EDGE / CDMA

功率放大级的商用无线

基础设施

变送器的应用

产品说明

的RF3802是专门为无线基础设施设计

结构的应用程序。使用高度可靠的GaAs HBT的

制造过程中，这种高性能的双级

放大器实现了高输出功率在较宽的频

昆西范围。该RF3802功率放大器还提供excel-

通过使用一个借出效率和热稳定性

耐热增强型表面贴装氮化铝封装。易于

集成是通过掺入完成

提供实现优化的评估电路板设计

正确的50Ω操作。各种评估板偏置CON-

音型可用来满足广泛的无线

更少的基础设施应用：

AMPS / GSM850 / EDGE850

GSM900 / EDGE900

IS- 95 / CDMA2000 / AMPS

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

-A-

销1

0.005 A

0.0025

0.200 REF

阴影圈候

引脚1的位置。

0.024

0.198

0.180

REF

0.236

尺寸以英寸。

0.156

0.025

R.008

0.050

典型值

0.028

典型值

0.050

REF

0.0780

最大

0.020

7 PL

封装形式：氮化铝

特点

5W输出功率

- 高线性度

35％的功率附加效率

氮化铝包装

宽带平台的设计方法

VCC1 1

VREF 2

RF IN 3

V_BIAS 4

BIAS

电路

8 RF OUT / VCC2

7 RF OUT / VCC2

6 RF OUT / VCC2

5 RF OUT / VCC2

订购信息

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

RF3802PCBA -410完全组装的评估板 - GSM850

RF3802PCBA -411完全组装的评估板 - GSM900

包装基地

GND

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

冯A1 040927

4-631

RF3802

建议

请联系

RF Micro Devices公司

应用工程

在（ 336 ） 678-5570

了解更多信息。

4-632

冯A1 040927

建议

0

典型应用

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

砷化镓HBT预驱动器，用于基站放大器 AB类操作支持GSM / EDGE / CDMA

功率放大级的商用无线

基础设施

变送器的应用

产品说明

的RF3802是专门为无线基础设施设计

结构的应用程序。使用高度可靠的GaAs HBT的

制造过程中，这种高性能的双级

放大器实现了高输出功率在较宽的频

昆西范围。该RF3802功率放大器还提供excel-

通过使用一个借出效率和热稳定性

耐热增强型表面贴装氮化铝封装。易于

集成是通过掺入完成

提供实现优化的评估电路板设计

正确的50Ω操作。各种评估板偏置CON-

音型可用来满足广泛的无线

更少的基础设施应用：

AMPS / GSM850 / EDGE850

GSM900 / EDGE900

IS- 95 / CDMA2000 / AMPS

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

-A-

销1

0.005 A

0.0025

0.200 REF

阴影圈候

引脚1的位置。

0.024

0.198

0.180

REF

0.236

尺寸以英寸。

0.156

0.025

R.008

0.050

典型值

0.028

典型值

0.050

REF

0.0780

最大

0.020

7 PL

封装形式：氮化铝

特点

5W输出功率

- 高线性度

35％的功率附加效率

氮化铝包装

宽带平台的设计方法

VCC1 1

VREF 2

RF IN 3

V_BIAS 4

BIAS

电路

8 RF OUT / VCC2

7 RF OUT / VCC2

6 RF OUT / VCC2

5 RF OUT / VCC2

订购信息

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

RF3802PCBA -410完全组装的评估板 - GSM850

RF3802PCBA -411完全组装的评估板 - GSM900

包装基地

GND

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

冯A1 040927

4-631

RF3802

建议

请联系

RF Micro Devices公司

应用工程

在（ 336 ） 678-5570

了解更多信息。

4-632

冯A1 040927

RF3802GaAs

HBT预驱动器

扩音器

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

符合RoHS &无铅产品

封装形式：氮化铝

特点

5W输出功率

高线性度

35％的功率附加效率

耐热增强型的AlN Packag-

ING

宽带平台设计

途径

VCC1 1

VREF 2

RF IN 3

VBIAS 4

BIAS

电路

包装基地

GND

8 RF OUT / VCC2

7 RF OUT / VCC2

6 RF OUT / VCC2

5 RF OUT / VCC2

应用

砷化镓HBT预驱动器，用于Basesta-

化放大器

功率放大级对COM的

商用无线基础设施

AB类操作

GSM / EDGE / CDMA发射机

应用

功能框图

产品说明

该RF3802是专为无线基础设施应用而设计的。运用

的高度可靠的砷化镓HBT的制造工艺，这种高性能的双级

放大器实现高输出功率在一个宽的频率范围内。该RF3802

放大器还通过使用提供了优异的效率和热稳定性

热增强型表面贴装氮化铝封装。易于集成的是accom-

plished通过优化的评估电路板设计提供了结合

实现50Ω正确操作。各种评估板配置可用

能够满足广泛的无线基础设施应用：

AMPS / GSM850 / EDGE850

GSM900 / EDGE900

IS- 95 / CDMA2000 / AMPS

订购信息

RF3802

RF3802PCBA-410

RF3802PCBA-411

砷化镓HBT预驱动放大器

完全组装的评估板 - GSM850

完全组装的评估板 - GSM900

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A6 DS050609

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 12

RF3802

绝对最大额定值

参数

电源电压（V

CC

)

功率控制电压（V

REF

)

直流电源电流

输入射频功率

输出负载VSWR

工作环境温度

储存温度

等级

9

9

2000

23

5:1

+85

+125

单位

V

PC

V

mA

DBM

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

850MHz的频段

频率

P1dB

总有效率

总功率附加效率

大信号功率增益

二次谐波

三次谐波

输入回波损耗

输出回波损耗

OIP3

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

869

36.0

35.5

34.5

17.5

36.5

36.5

35.5

18.5

894

37.0

39.0

38.0

19.5

-40

-40

兆赫

DBM

DBM

%

%

dB

dBc的

dBc的

dB

dB

DBM

DBM

DBM

DBM

dB

23dBm/tone

26dBm/tone

28dBm/tone

30dBm/tone

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

@ P1dB为

@ P1dB为

20dBm<P

OUT

<33dBm

12

12

15

15

41.0

46.0

48.0

49.0

噪音

6.4

2 12

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A6 DS050609

RF3802

参数

900MHz频段

频率

P1dB

总有效率

总功率附加效率

大信号功率增益

二次谐波

三次谐波

输入回波损耗

输出回波损耗

OIP3

12

12

15

15

42.0

46.0

46.0

45.0

噪音

46.0

6.4

54.0

920

35.5

34.5

33.5

17

36.5

35.5

34.5

18

960

37.0

37.0

36.5

20

-30

-50

兆赫

DBM

DBM

%

%

dB

dBc的

dBc的

dB

dB

DBM

DBM

DBM

DBM

dB

23dBm/tone

26dBm/tone

28dBm/tone

30dBm/tone

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

@ P1dB为

@ P1dB为

20dBm<P

OUT

<33dBm

@ P1dB为

@ P1dB为

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

电源

电源电压

电源电流

掉电电流

7

200

8

270

9

350

50

V

mA

μA

I

CCQ

对于我

REF

=22mA

V

REF

=0V, V

CC

=8V

转A6 DS050609

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 12

RF3802

针

1

2

3

4

5

6

7

8

PKG

BASE

功能

VCC1

VREF

在RF

VBIAS

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

GND

描述

对于输入级。

控制有源偏置。

对于输入级。需要RF匹配和DC模块。

供应有源偏置。

对于输出级。需要RF匹配，偏置饲料和DC块。

见第5脚。

见第5脚。

见第5脚。

必须焊接通过尽可能短的路径尽可能地垫。该路径也形成热路径

最低牛逼

J

.

封装图

销1

0.005 A

-A-

0.0025

0.200 REF

0.024

0.200

0.180

REF

0.238

0.050裁判

0.078

REF

0.156

0.025

R.008

0.050

典型值

0.025

典型值

0.175

0.005 TYP

0.022

7 PL

SCALE - 16 ： 1

尺寸以英寸。

0.003 TYP

4 12

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A6 DS050609

RF3802

评估板电路图

GSM850 （ 869MHz至894MHz ）

VCC

R10

1.2

Ω

C33

0.1

μF

+

C34

10

μF

C35

33 pF的

L4

33 nH的

VREF

C38

33 pF的

C39

1000 pF的

C41

0.1

μF

+

C40

10

μF

R4

360

Ω

R5

360

Ω

R7

DNI

R8

DNI

1

2

3

C18

DNI

C19

DNI

C20

DNI

L5

6.8 nH的

4

BIAS

电路

8

7

6

5

C12

1.5 pF的

C13

33 pF的

C15

3.6 pF的

C8

DNI

C9

2.7 pF的

C10

DNI

C16

6.8 pF的

L2

33 nH的

C5

1000 pF的

C11

0.1

μF

C7

33 pF的

+

C6

10

μF

C48

33 pF的

C49

1000 pF的

C51

0.1

μF

+ C50

10

μF

C27

27 pF的

J1

在RF

50

Ω μstrip

C28

3.6 pF的

C14

15 pF的

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

3802400 r.-

VBIAS

C43

33 pF的

C46

0.1

μF

C44 + C45

1000 pF的10

μF

P1

P1-1

1

VREF

香蕉插座

P2

P2-1

1

VCC

香蕉插座

P3

P3-1

1

VBIAS

香蕉插座

P4

1

GND

香蕉插座

评估板电路图

GSM900 （ 920MHz至960MHz的）

VCC

R10

1.2

Ω

C33

0.1

μF

+

C34

10

μF

C35

33 pF的

L4

33 nH的

VREF

C38

33 pF的

C39

1000 pF的

C41

0.1

μF

+

C40

10

μF

R4

360

Ω

R5

360

Ω

R7

开放

R8

开放

1

2

3

C18

开放

C19

开放

C20

开放

L5

6.8 nH的

4

BIAS

电路

8

7

6

5

C12

1.5 pF的

C13

27 pF的

C15

2 pF的

C8

开放

C9

1 pF的

C10

开放

C16

6.8 pF的

L2

33 nH的

C5

1000 pF的

C11

0.1

μF

C7

33 pF的

+

C6

10

μF

C48

33 pF的

C49

1000 pF的

C51

0.1

μF

+

C50

10

μF

C27

22 pF的

J1

在RF

50

Ω μstrip

C28

3.6 pF的

C14

15 pF的

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

3802401 r.-

VBIAS

C43

33 pF的

C46

0.1

μF

C44 + C45

1000 pF的10

μF

P1

P1-1

1

VREF

香蕉插座

P2

P2-1

1

VCC

香蕉插座

P3

P3-1

1

VBIAS

香蕉插座

P4

1

GND

香蕉插座

转A6 DS050609

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 12

RF3802

0

符合RoHS &无铅产品

典型应用

砷化镓HBT预驱动器，用于基站放大器 AB类操作支持GSM / EDGE / CDMA

功率放大级的商用无线

基础设施

变送器的应用

砷化镓HBT预驱动放大器

产品说明

的RF3802是专门为无线基础设施设计

结构的应用程序。使用高度可靠的GaAs HBT的

制造过程中，这种高性能的双级

放大器实现了高输出功率在较宽的频

昆西范围。该RF3802功率放大器还提供excel-

通过使用一个借出效率和热稳定性

耐热增强型表面贴装氮化铝封装。易于

集成是通过掺入完成

提供实现优化的评估电路板设计

正确的50Ω操作。各种评估板组态

配给可用来满足广泛的无线

基础应用：

AMPS / GSM850 / EDGE850

GSM900 / EDGE900

IS- 95 / CDMA2000 / AMPS

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

销1

0.005 A

-A-

0.0025

0.200 REF

0.024

0.200

0.180

REF

0.238

尺寸以英寸。

0.050裁判

0.078

REF

0.156

0.025

R.008

0.050

典型值

0.025

典型值

0.175

0.005 TYP

0.022

7 PL

SCALE - 16 ： 1

0.003 TYP

封装形式：氮化铝

特点

5W输出功率

- 高线性度

35％的功率附加效率

耐热增强型氮化铝包装

宽带平台的设计方法

VCC1 1

VREF 2

RF IN 3

VBIAS 4

BIAS

电路

包装基地

GND

8 RF OUT / VCC2

7 RF OUT / VCC2

6 RF OUT / VCC2

5 RF OUT / VCC2

订购信息

RF3802

砷化镓HBT预驱动放大器

RF3802PCBA -410完全组装的评估板 - GSM850

RF3802PCBA -411完全组装的评估板 - GSM900

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A6 050609

4-631

RF3802

绝对最大额定值

参数

电源电压（V

CC

)

功率控制电压（V

REF

)

直流电源电流

输入射频功率

输出负载VSWR

工作环境温度

储存温度

等级

9

9

2000

23

5:1

+85

+125

单位

V

PC

V

mA

DBM

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

850MHz的频段

频率

P1dB

总有效率

总功率附加效率

大信号功率增益

二次谐波

三次谐波

输入回波损耗

输出回波损耗

OIP3

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

869

36.0

35.5

34.5

17.5

36.5

36.5

35.5

18.5

894

37.0

39.0

38.0

19.5

-40

-40

12

12

噪音

15

15

41.0

46.0

48.0

49.0

6.4

兆赫

DBM

DBM

%

%

dB

dBc的

dBc的

dB

dB

DBM

DBM

DBM

DBM

dB

@ P1dB为

@ P1dB为

20dBm<P

OUT

<33dBm

23dBm/tone

26dBm/tone

28dBm/tone

30dBm/tone

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

900MHz频段

频率

P1dB

总有效率

总功率附加效率

大信号功率增益

二次谐波

三次谐波

输入回波损耗

输出回波损耗

OIP3

920

35.5

34.5

33.5

17

36.5

35.5

34.5

18

960

37.0

37.0

36.5

20

-30

-50

兆赫

DBM

DBM

%

%

dB

dBc的

dBc的

dB

dB

DBM

DBM

DBM

DBM

dB

@ P1dB为

@ P1dB为

20dBm<P

OUT

<33dBm

@ P1dB为

@ P1dB为

12

12

45.0

噪音

15

15

42.0

46.0

46.0

46.0

6.4

54.0

23dBm/tone

26dBm/tone

28dBm/tone

30dBm/tone

I

REF

= 22毫安，V

CC

=V

BIAS

=V

REF

=8V,

Temp=+25°C

电源

电源电压

电源电流

掉电电流

7

200

8

270

9

350

50

V

mA

μA

I

CCQ

对于我

REF

=22mA

V

REF

=0V, V

CC

=8V

4-632

转A6 050609

RF3802

针

1

2

3

4

5

6

7

8

PKG

BASE

功能

VCC1

VREF

在RF

VBIAS

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

RF OUT / VCC2

GND

描述

对于输入级。

控制有源偏置。

对于输入级。需要RF匹配和DC模块。

供应有源偏置。

对于输出级。需要RF匹配，偏置饲料和DC块。

见第5脚。

见第5脚。

见第5脚。

必须焊接通过尽可能短的路径尽可能地垫。该路径也形成热

路径最短牛逼

J

.

转A6 050609

4-633

RF3802

评估板电路图

GSM850 （ 869MHz至894MHz ）

VCC

R10

1.2

Ω

C33

0.1

μF

+

C34

10

μF

C35

33 pF的

L4

33 nH的

VREF

C38

33 pF的

C39

1000 pF的

C41

0.1

μF

+

C40

10

μF

R4

360

Ω

R5

360

Ω

R7

DNI

R8

DNI

1

2

3

C18

DNI

C19

DNI

C20

DNI

L5

6.8 nH的

4

BIAS

电路

8

7

6

5

C12

1.5 pF的

C13

33 pF的

C15

3.6 pF的

C8

DNI

C9

2.7 pF的

C10

DNI

C16

6.8 pF的

L2

33 nH的

C5

1000 pF的

C11

0.1

μF

C7

33 pF的

+

C6

10

μF

C48

33 pF的

C49

1000 pF的

C51

0.1

μF

+ C50

10

μF

C27

27 pF的

J1

在RF

50

Ω μstrip

C28

3.6 pF的

C14

15 pF的

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

3802400 r.-

VBIAS

C43

33 pF的

C46

0.1

μF

C44 + C45

1000 pF的10

μF

P1

P1-1

1

VREF

香蕉插座

P2

P2-1

1

VCC

香蕉插座

P3

P3-1

1

VBIAS

香蕉插座

P4

1

GND

香蕉插座

评估板电路图

GSM900 （ 920MHz至960MHz的）

VCC

R10

1.2

Ω

C33

0.1

μF

+

C34

10

μF

C35

33 pF的

L4

33 nH的

VREF

C38

33 pF的

C39

1000 pF的

C41

0.1

μF

+

C40

10

μF

R4

360

Ω

R5

360

Ω

R7

开放

R8

开放

1

2

3

C18

开放

C19

开放

C20

开放

L5

6.8 nH的

4

BIAS

电路

8

7

6

5

C12

1.5 pF的

C13

27 pF的

C15

2 pF的

C8

开放

C9

1 pF的

C10

开放

C16

6.8 pF的

L2

33 nH的

C5

1000 pF的

C11

0.1

μF

C7

33 pF的

+

C6

10

μF

C48

33 pF的

C49

1000 pF的

C51

0.1

μF

+

C50

10

μF

C27

22 pF的

J1

在RF

50

Ω μstrip

C28

3.6 pF的

C14

15 pF的

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

3802401 r.-

VBIAS

C43

33 pF的

C46

0.1

μF

C44 + C45

1000 pF的10

μF

P1

P1-1

1

VREF

香蕉插座

P2

P2-1

1

VCC

香蕉插座

P3

P3-1

1

VBIAS

香蕉插座

P4

1

GND

香蕉插座

4-634

转A6 050609

RF3802

评估板布局

主板尺寸2.0 “ ×2.0 ”

板厚度0.020 “ ，板材料罗杰斯4350

转A6 050609

4-635