RF3800GaAs
HBT预驱动器
扩音器
RF3800
砷化镓HBT预驱动放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式：氮化铝
3
特点
6W输出功率
高线性度
45％的功率附加效率
热增强型氮化铝Packag-
ING
为150MHz的960MHz的运行
5V至8V电源具有可调
BIAS
NC 4
包装基地
GND
VREF 1
NC 2
RF IN 3
BIAS
电路
8 VBIAS
7 RF OUT
6 RF输出
5 NC
应用
驱动程序在450MHz和850MHz的
基站放大器
PA舞台商用无线
较少的基础设施
功能框图
产品说明
该RF3800是专为在无线基础设施应用而设计
450MHz的850MHz的和。采用高可靠的GaAs HBT工艺制造本，
高性能单级放大器实现了高输出功率点多面广
频率范围。该RF3800还提供了出色的效率和热stabil-
性通过采用热增强型表面贴装氮化铝封装。易于
集成是通过优化评价的掺入来完成
电路板设计提供了实现正确的50Ω操作。各种评估板
配置可用于满足广泛的无线基础设施的
应用程序。
订购信息
RF3800
RF3800PCBA-416
砷化镓HBT预驱动放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A9 DS070130
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3-107
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
RF3800
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
等级
9.0
2300
29
7:1
85
+125
单位
V
PC
mA
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况
锡永） 。
3
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
参数
总体而言 - 450MHz的
频率
输出P1dB为
功率附加效率
小信号增益
输入回波损耗
输出回波损耗
OIP3
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
REF
= 16毫安，V
CC
=V
BIAS
=V
REF
=8V,
Temp=+25°C
450
37.0
38.0
45
52
14.0
15
8
14.7
20
12
41
44
45
46
51
51
50
470
39.1
兆赫
DBM
%
%
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dBc的
dBc的
@ P1dB为
@ P1dB为
I
REF
= 35毫安，V
CC
=V
BIAS
=V
REF
=8V,
Temp=+25°C
23dBm/tone
26dBm/tone
28dBm/tone
30dBm/tone
31dBm/tone
32dBm/tone
@ P1dB为
@ P
SAT
噪声系数
二次谐波
三次谐波
6.5
-35
-50
总体而言 - 850MHz的
频率
输出P1dB为
功率附加效率
小信号增益
输入回波损耗
输出回波损耗
OIP3
二次谐波
三次谐波
-11
-10
869
37.0
42.5
12
-15
-10
48
-60
-60
8.0
0
7
300
0
8
400
0.5
9
500
10
894
兆赫
DBM
%
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
V
V
V
mA
μA
23dBm/tone
@ P1dB为
@ P1dB为
设置我
REF
在16毫安
功率控制
V
REF
功率控制“关”
电源
电源电压
电源电流
掉电电流
V
REF
= 8V ，我
REF
=16mA
V
REF
=0V, V
CC
=8V
3-108
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3800
针
1
2
3
4
5
6
7
8
PKG
BASE
功能
VREF
NC
在RF
NC
NC
RF OUT
RF OUT
VBIAS
GND
描述
控制有源偏置。设置为8V ，在电路板插孔。下降到3.2V 引脚。
未连接。
RF输入。需要RF匹配和DC模块。
未连接。
未连接。
RF输出。需要RF匹配，偏置饲料和DC块。
请参见第6脚。
供应有源偏置。设置为8V 。
包的背面应该被连接到一个短的路径接地。
3
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
3-109
封装图
销1
0.005 A
-A-
0.0025
0.200 REF
0.024
0.200
0.180
REF
0.238
尺寸以英寸。
0.050裁判
0.078
REF
0.156
0.025
R.008
0.050
典型值
0.025
典型值
0.175
0.005 TYP
0.022
7 PL
SCALE - 16 ： 1
0.003 TYP
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支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
RF3800
应用原理图 - 220MHz的
VREF
V
CC
0.1
μF
+
10
μF
1000 pF的
220 pF的
910
Ω
910
Ω
910
Ω
DNI
DNI
C18
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
3
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
在RF
0.1
μF
220 pF的
1
2
100 pF的
DNI
DNI
100 pF的
22 nH的
22 nH的
3
4
包装基地
GND
BIAS
电路
8
7
6
5
L4
47 nH的
C4
DNI
L5
6.8 nH的
RF OUT
C5
6.8 pF的
C6
DNI
C7
DNI
C8
DNI
C9
39 pF的
C10
56 pF的
应用原理图 - 570MHz至610MHz
VREF
V
CC
0.1
μF
+
10
μF
1000 pF的
220 pF的
910
Ω
910
Ω
910
Ω
DNI
DNI
220 pF的
0.1
μF
220 pF的
1
2
100 pF的
在RF
6.8 nH的
DNI
DNI
15 pF的
4
包装基地
GND
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
BIAS
电路
8
7
6
5
47 nH的
1.8 nH的
RF OUT
220 pF的
DNI
5.6 pF的
DNI
DNI
DNI
5.6 pF的
100 pF的
3
应用原理图 - 680MHz的
VREF
V
CC
0.1
μF
+
10
μF
1000 pF的
220 pF的
910
Ω
910
Ω
910
Ω
DNI
DNI
220 pF的
0.1
μF
220 pF的
1
2
47 pF的
在RF
5.6 nH的
DNI
DNI
12 pF的
4
包装基地
GND
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
BIAS
电路
8
7
6
5
47 nH的
1.8 nH的
RF OUT
220 pF的
DNI
5.6 pF的
DNI
DNI
DNI
5.6 pF的
33 pF的
3
应用原理图 - 880MHz
VREF
V
CC
0.1
μF
+
10
μF
1000 pF的
220 pF的
910
Ω
910
Ω
910
Ω
DNI
DNI
220 pF的
0.1
μF
220 pF的
1
2
100 pF的
在RF
2.2 nH的
DNI
DNI
9.1 pF的
4
包装基地
GND
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
150 nH的
BIAS
电路
8
7
6
5
47 nH的
2.2 nH的
RF OUT
3
33 pF的
15 pF的
DNI
DNI
DNI
DNI
4.3 pF的
100 pF的
3-110
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转A9 DS070130
RF3800
应用原理图 - 945MHz
VREF
VCC
0.1
μF
+
10
μF
1000 pF的
220 pF的
910
Ω
910
Ω
910
Ω
DNI
DNI
220 pF的
0.1
μF
220 pF的
1
2
100 pF的
在RF
1.2 nH的
DNI
DNI
10 pF的
4
包装基地
GND
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
220 pF的
1000 pF的
10
μF
+
0.1
μF
150 nH的
BIAS
电路
8
7
6
5
47 nH的
2.2 nH的
RF OUT
3
15 pF的
DNI
DNI
4.3 pF的
DNI
DNI
100 pF的
3
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
100 pF的
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3-111
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