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RF3377Gen-
ERAL用途
扩音器
RF3377
通用扩增fi er
符合RoHS &无铅产品
封装形式: SOT89
特点
直流>6000MHz操作
内部匹配输入和
产量
15.5分贝小信号增益
+ 25.5dBm输出IP3
+ 13dBm的输出P1dB为
1
在RF
GND
4
2
GND
3
RF OUT
应用
基站应用
宽带,低噪声增益
IF或RF缓冲放大器
功率放大器驱动级
末级功率放大器的低功耗应用
系统蒸发散
高可靠性的应用
功能框图
产品说明
该RF3377是一种通用的,低成本的RF放大器IC 。该装置是制造
捕获的原始图像采用先进的砷化镓异质结双极晶体管( HBT )亲
塞斯,并已设计作为一个易于级联50Ω增益模块。
应用包括IF和RF放大的无线语音和数据通信
化产品中的频带高达6000MHz运行。该设备是自CON-
tained与50Ω的输入阻抗和输出阻抗,并且只需要两个外部直流
偏置元件操作为指定。
订购信息
RF3377
RF337XPCBA-410
通用扩增fi er
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A6 DS050524
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF3377
绝对最大额定值
参数
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
I
CC
等级
+13
-40至+85
-60到+150
60
单位
DBM
°C
°C
mA
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
3dB带宽
收益
分钟。
规范
典型值。
DC到>6000
4.4
马克斯。
单位
兆赫
GHz的
dB
dB
dB
dB
Freq=500MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=3000MHz
Freq=4000MHz
Freq=6000MHz
dB
Freq=2000MHz
条件
中T = 25℃ ,我
CC
= 40毫安(见注1 )
15.5
15.0
14.5
16.7
16.5
15.5
14.5
14.0
13.0
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
输出IP3
输出P1dB为
反向隔离
24.5
+24.5
+12.0
+11.5
3.0
<2 : 1
<1.8 : 1
25.5
+25.5
+13.5
+13.0
19
122
102
在50Ω系统中, DC到5000MHz的
在50Ω系统中, DC到6000MHz
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
° C / W
°C
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=2000MHz
I
CC
= 40毫安,P
DISS
= 135MW 。 (见注3 )
V
=3.38V
T
=+85°C
T
=+85°C
与22Ω偏置电阻
在8引脚与I
CC
=40mA
在评估电路板连接器,I
CC
=40mA
见注释2 。
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置有条件
系统蒸发散
平均时间故障
77,000
3.65
4.5
40
3.7
4.8
60
岁月
V
V
mA
电源
器件工作电压
工作电流
注1:所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板不
频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善,如果一个高性能的PCB被使用。
注2: RF3377 ,必须在等于或低于60毫安为了达到上述的散热性能进行操作。在40毫安工作会
保证的可靠性和电性能的最佳组合。
注3 :由于工艺变化的各部分之间,电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此,应谨慎
在设计固定电压偏置电路用于保证最坏情况下的偏置电流不超过60毫安超过所有预期运行条件
系统蒸发散。
2第8
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3377
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容,
适于操作的频率,应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合,因为这将覆盖
内部反馈环路,并导致温度不稳定。
接地连接。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感,以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式:
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
(
V
供应
V
设备
)
R
=
------------------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择,保证了电流
租入部分决不会超过60毫安在计划操作temper-
ATURE 。这意味着供给,该管脚之间的电阻是始终
需要,即使近3.6V的电源可用,提供直流反馈
防止热失控。因为DC是目前该引脚上,一个隔直流
电容器,适合于工作频率,应当在最常用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
接地连接。
RF OUT
在RF
4
GND
封装图
1.04
0.80
0.50
0.30
1.60
1.40
3.10
2.90
0.48
0.36
2 PL
4.60
4.40
2.60
2.40
1.80
1.45
1.75
1.40
尺寸(mm) 。
阴影铅引脚1 。
0.43
0.38
0.53
0.41
转A6 DS050524
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
RF3377
应用原理
V
CC
4
22
Ω
100 pF的
+
1
μF
100 pF的
在RF
1
2
3
100 nH的
RF OUT
100 pF的
评估板电路图
(从www.rfmd.com下载材料清单)。
P1
P1-1
1
2
3
CON3
VCC1
GND
4
R1
22
Ω
C1
100 pF的
L1
100 nH的
C2
100 pF的
C3
100 pF的
+ C4
1
μF
VCC
J1
在RF
50
Ω μstrip
1
2
3
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
337x410 , R.1
4 8
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3377
评估板布局
主板尺寸1.195" X 1.000"
板厚度0.033 “ ,板材料FR- 4
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 8
RF3377
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
基站系统
宽带,低噪声增益模块
IF或RF缓冲放大器
产品说明
的RF3377是一个通用的,低成本的RF放大器
IC 。该设备采用先进的砷化镓制造
砷化镓异质结双极晶体管( HBT )亲
塞斯,并且已被设计为用作易磁带式
cadable 50Ω增益模块。应用范围包括IF和RF
扩增在无线语音和数据通信
产品在频段工作频率高达6000MHz 。
该设备是自包含50Ω输入和输出
阻抗和仅需要两个外部直流偏置
元件操作为指定。
1.04
0.80
0.50
0.30
1.60
1.40
通用扩增fi er
功率放大器驱动级
最终PA为低功耗应用
高可靠性的应用
3.10
2.90
0.48
0.36
2 PL
4.60
4.40
2.60
2.40
1.80
1.45
1.75
1.40
尺寸(mm) 。
阴影铅引脚1 。
0.43
0.38
0.53
0.41
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: SOT89
特点
DC至>6000MHz操作
内部匹配输入和输出
15.5分贝小信号增益
+ 25.5dBm输出IP3
+ 13dBm的输出P1dB为
1
在RF
GND
4
2
GND
3
RF OUT
订购信息
RF3377
通用扩增fi er
RF337XPCBA - 410Fully组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A6 050524
4-607
RF3377
绝对最大额定值
参数
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
I
CC
等级
+13
-40至+85
-60到+150
60
单位
DBM
°C
°C
mA
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
整体
频带
3dB带宽
收益
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
DC到>6000
4.4
16.7
16.5
15.5
14.5
14.0
13.0
3.0
<2 : 1
<1.8 : 1
25.5
+25.5
+13.5
+13.0
19
122
102
单位
兆赫
GHz的
dB
dB
dB
dB
条件
中T = 25℃ ,我
CC
= 40毫安(见注1 )
15.5
15.0
14.5
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
输出IP3
输出P1dB为
反向隔离
dB
24.5
+24.5
+12.0
+11.5
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
° C / W
°C
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置CON-
ditions
平均时间故障
Freq=500MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=3000MHz
Freq=4000MHz
Freq=6000MHz
Freq=2000MHz
在50Ω系统中, DC到5000MHz的
在50Ω系统中, DC到6000MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=1000MHz
Freq=2000MHz
Freq=2000MHz
I
CC
= 40毫安,P
DISS
= 135MW 。 (见注3 )
V
=3.38V
T
=+85°C
T
=+85°C
与22Ω偏置电阻
电源
器件工作电压
3.65
3.7
V
在8引脚与I
CC
=40mA
4.5
4.8
V
在评估电路板连接器,I
CC
=40mA
工作电流
40
60
mA
见注释2 。
注1:所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板
不是频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善,如果一个高性能的PCB被使用。
注2: RF3377 ,必须在等于或低于60毫安为了达到上述的散热性能进行操作。工作在40毫安
将确保的可靠性和电性能的最佳组合。
注3 :由于工艺变化的各部分之间,电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此,谨慎
应在设计固定电压偏置电路用于确保最差的情况下的偏置电流不超过60毫安超过所有预期
操作条件。
77,000
岁月
4-608
转A6 050524
RF3377
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器,适合于工作频率,应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的,因为这
将取代内部反馈回路,造成温度instabil-
性。
接地连接。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感,以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式:
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
(
V
供应
V
设备
)
R
= ------------------------------------------------------
-
I
CC
还应注意采取电阻选择来
保证
电流流入部分决不会超过60毫安以上所计划的能操作
阿婷的温度。
这意味着电源之间的电阻器和
该引脚总是必需的,即使近3.6V的电源可用,以
提供直流反馈,以防止热失控。因为DC是
本该引脚上,一隔直流电容器,适合的频率
操作时,应该在大多数应用中使用。供应方
偏置网络还应该很好旁路。
接地连接。
RF OUT
在RF
4
GND
转A6 050524
4-609
RF3377
应用原理
V
CC
4
22
Ω
100 pF的
+
1
μF
100 pF的
在RF
1
2
3
100 nH的
RF OUT
100 pF的
评估板电路图
(从www.rfmd.com下载材料清单)。
P1
P1-1
1
2
3
CON3
R1
22
Ω
L1
100 nH的
C2
100 pF的
C3
100 pF的
+ C4
1
μF
VCC1
GND
4
VCC
J1
在RF
50
Ω μstrip
C1
100 pF的
1
2
3
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
337x410 , R.1
4-610
转A6 050524
RF3377
评估板布局
主板尺寸1.195" X 1.000"
板厚度0.033 “ ,板材料FR- 4
转A6 050524
4-611
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RF337XPCBA-410
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9837
贴◆插
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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