RF3374

0

无铅产品

典型应用

基站系统

宽带，低噪声增益模块

IF或RF缓冲放大器

产品说明

的RF3374是一个通用的，低成本的RF放大器

IC 。该设备采用先进的砷化镓制造

砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）亲

塞斯，并且已被设计为用作易磁带式

cadable 50Ω增益模块。应用范围包括IF和RF

扩增在无线语音和数据通信

产品在频段工作频率高达6000MHz 。

该设备是自包含50Ω输入和输出

阻抗和仅需要两个外部直流偏置

元件操作为指定。

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

通用扩增fi er

功率放大器驱动级

最终PA为低功耗应用

高可靠性的应用

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

1.80

1.45

1.75

1.40

0.43

0.38

0.53

0.41

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： SOT89

特点

DC至>6000MHz操作

内部匹配输入和输出

20分贝小信号增益

+ 32dBm的输出IP3

+ 18dBm的输出功率

1

在RF

GND

4

2

GND

3

RF OUT

订购信息

RF3374

通用扩增fi er

RF3374PCBA -410完全组装的评估板

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A7 050310

4-583

RF3374

绝对最大额定值

参数

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

等级

+13

-40至+85

-60到+150

单位

DBM

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

频带

3dB带宽

收益

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

DC到>6000

3

20.5

20.2

18.9

17.6

16.2

13.5

3.5

＆ LT ; 1.5 ：1的

<2 ： 1

＆ LT ; 1.6 ：1的

<2 ： 1

+32.0

+17.5

22.0

170

132

单位

兆赫

GHz的

dB

dB

dB

dB

条件

中T = 25℃ ，我

CC

= 65毫安（见注1 ）

18.7

18.5

17.0

21.0

22.0

噪声系数

输入VSWR

输出VSWR

输出IP

3

输出P

1dB

反向隔离

+29.0

dB

DBM

DBM

dB

° C / W

°C

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置CON-

ditions

平均无故障时间

Freq=500MHz

Freq=1000MHz

Freq=2000MHz

Freq=3000MHz

Freq=4000MHz

Freq=6000MHz

Freq=2000MHz

在一个50Ω的系统， 500MHz的到3500MHz

在一个50Ω系统， 3500MHz到5000MHz的

在一个50Ω的系统， 500MHz的至3000MHz

在一个50Ω系统， 3000MHz的到5000MHz的

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

I

CC

= 65毫安，P

DISS

= 274mW 。 （见注3 ）

V

针

=4.2V

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

与22Ω偏置电阻

电源

器件工作电压

4.50

4.55

V

在8引脚与I

CC

= 65毫安在+ 25°C

5.95

6.30

V

在评估电路板连接器，I

CC

=65mA

工作电流

65

80

mA

见注释2 。

注1：所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板

不是频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善，如果一个高性能的PCB被使用。

注2： RF3374 ，必须在等于或低于80毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3374

可以在较高的偏置电流来操作， 65毫安是推荐的偏压，以确保尽可能高的可靠性和电

性能。

注3 ：由于工艺变化的各部分之间，电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此，谨慎

应在设计固定电压偏置电路用于确保最差的情况下的偏置电流不超过80毫安在所有

预期的工作条件。

3050

岁月

4-584

转A7 050310

RF3374

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直

电容器，适合于工作频率，应当在使用

大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这

将取代内部反馈回路，造成温度instabil-

性。

接地连接。

RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联

电阻和扼流电感，以V

CC

。电阻器被选择来设置

直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -

开采由下面的等式：

接口示意图

2

3

GND

RF OUT

RF OUT

(

V

供应

–

V

设备

)

-

R

= ------------------------------------------------------

I

CC

由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于

操作的次数，应该在大多数应用中使用。该

偏置网络的供给侧也应很好旁路。关怀

也应采取的电阻选择来

确保该电流

租入部分决不会超过80毫安以上所计划的操作

温度。

接地连接。

在RF

4

GND

转A7 050310

4-585

RF3374

应用原理

V

CC

4

22

100 pF的

+

1

F

100 pF的

在RF

1

2

3

100 nH的

RF OUT

100 pF的

评估板电路图

（从www.rfmd.com下载材料清单）。

P1

P1-1

1

2

3

CON3

R1

22

L1

100 nH的

C2

100 pF的

C3

100 pF的

+ C4

1

F

VCC1

GND

4

VCC

J1

在RF

50

Ω μstrip

C1

100 pF的

1

2

3

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

337x410 ， R.1

4-586

转A7 050310

RF3374

评估板布局

主板尺寸1.195" X 1.000"

板厚度0.033 “ ，板材料FR- 4

转A7 050310

4-587

RF3374Gen-

ERAL用途

扩音器

RF3374

通用扩增fi er

符合RoHS &无铅产品

封装形式： SOT89

特点

直流>6000MHz操作

内部匹配输入和

产量

20分贝小信号增益

+ 32dBm的输出IP3

+ 18dBm的输出功率

1

在RF

GND

4

2

GND

3

RF OUT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

应用

基站应用

宽带，低噪声增益

块

IF或RF缓冲放大器

功率放大器驱动级

末级功率放大器的低功耗应用

系统蒸发散

高可靠性的应用

功能框图

产品说明

该RF3374是一种通用的，低成本的RF放大器IC 。该装置是制造

捕获的原始图像采用先进的砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）亲

塞斯，并已设计作为一个易于级联50Ω增益模块。

应用包括IF和RF放大的无线语音和数据通信

化产品中的频带高达6000MHz运行。该设备是自CON-

tained与50Ω的输入阻抗和输出阻抗，并且只需要两个外部直流

偏置元件操作为指定。

订购信息

RF3374

RF3374PCBA-410

通用扩增fi er

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A8 DS050524

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1第8

RF3374

绝对最大额定值

参数

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

等级

+13

-40至+85

-60到+150

单位

DBM

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

频带

3dB带宽

收益

分钟。

规范

典型值。

DC到>6000

3

马克斯。

单位

兆赫

GHz的

dB

Freq=500MHz

Freq=1000MHz

Freq=2000MHz

Freq=3000MHz

Freq=4000MHz

Freq=6000MHz

dB

Freq=2000MHz

条件

中T = 25℃ ，我

CC

= 65毫安（见注1 ）

18.7

18.5

17.0

20.5

20.2

18.9

17.6

16.2

13.5

21.0

22.0

dB

dB

dB

噪声系数

输入VSWR

输出VSWR

输出IP

3

输出P

1dB

反向隔离

+29.0

3.5

＆ LT ; 1.5 ：1的

<2 ： 1

＆ LT ; 1.6 ：1的

<2 ： 1

+32.0

+17.5

22.0

170

132

在一个50Ω的系统， 500MHz的到3500MHz

在一个50Ω系统， 3500MHz到5000MHz的

在一个50Ω的系统， 500MHz的至3000MHz

在一个50Ω系统， 3000MHz的到5000MHz的

DBM

DBM

dB

° C / W

°C

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

I

CC

= 65毫安，P

DISS

= 274mW 。 （见注3 ）

V

针

=4.2V

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

与22Ω偏置电阻

在8引脚与I

CC

= 65毫安在+ 25°C

在评估电路板连接器，I

CC

=65mA

见注释2 。

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置有条件

系统蒸发散

平均无故障时间

3050

4.50

5.95

65

4.55

6.30

80

岁月

V

V

mA

电源

器件工作电压

工作电流

注1：所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板不

频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善，如果一个高性能的PCB被使用。

注2： RF3374 ，必须在等于或低于80毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3374可

在较高的偏置电流工作时， 65毫安是推荐的偏压，以确保尽可能高的可靠性和电性能。

注3 ：由于工艺变化的各部分之间，电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此，应谨慎

在设计固定电压偏置电路用于保证最坏情况下的偏置电流不超过80毫安超过所有预期运行条件

系统蒸发散。

2第8

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A8 DS050524

RF3374

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，

适于操作的频率，应当在大多数应用中使用

系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖

内部反馈环路，并导致温度不稳定。

接地连接。

RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联

电阻和扼流电感，以V

CC

。电阻器被选择来设置直流

电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定

下面的等式：

接口示意图

2

3

GND

RF OUT

RF OUT

(

V

供应

–

V

设备

)

R

=

------------------------------------------------------

-

I

CC

由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于

操作频率，应在大多数应用中使用。供应

偏置网络侧也应很好旁路。护理也应

在电阻器选择为确保当前插入部分从不

超过80毫安以上所计划的操作温度。

接地连接。

在RF

4

GND

封装图

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

1.80

1.45

1.75

1.40

尺寸（mm） 。

阴影铅引脚1 。

0.43

0.38

0.53

0.41

转A8 DS050524

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 8

RF3374

应用原理

V

CC

4

22

Ω

100 pF的

+

1

μF

100 pF的

在RF

1

2

3

100 nH的

RF OUT

100 pF的

评估板电路图

（从www.rfmd.com下载材料清单）。

P1

P1-1

1

2

3

CON3

VCC1

GND

4

R1

22

Ω

C1

100 pF的

L1

100 nH的

C2

100 pF的

C3

100 pF的

+ C4

1

μF

VCC

J1

在RF

50

Ω μstrip

1

2

3

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

337x410 ， R.1

4 8

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A8 DS050524

RF3374

评估板布局

主板尺寸1.195" X 1.000"

板厚度0.033 “ ，板材料FR- 4

转A8 DS050524

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 8

RF3374

0

符合RoHS &无铅产品

典型应用

基站系统

宽带，低噪声增益模块

IF或RF缓冲放大器

产品说明

的RF3374是一个通用的，低成本的RF放大器

IC 。该设备采用先进的砷化镓制造

砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）亲

塞斯，并且已被设计为用作易磁带式

cadable 50Ω增益模块。应用范围包括IF和RF

扩增在无线语音和数据通信

产品在频段工作频率高达6000MHz 。

该设备是自包含50Ω输入和输出

阻抗和仅需要两个外部直流偏置

元件操作为指定。

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

通用扩增fi er

功率放大器驱动级

最终PA为低功耗应用

高可靠性的应用

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

1.80

1.45

1.75

1.40

0.43

0.38

0.53

0.41

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： SOT89

特点

DC至>6000MHz操作

内部匹配输入和输出

20分贝小信号增益

+ 32dBm的输出IP3

+ 18dBm的输出功率

1

在RF

GND

4

2

GND

3

RF OUT

订购信息

RF3374

通用扩增fi er

RF3374PCBA -410完全组装的评估板

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A8 050524

4-583

RF3374

绝对最大额定值

参数

输入射频功率

工作环境温度

储存温度

等级

+13

-40至+85

-60到+150

单位

DBM

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

频带

3dB带宽

收益

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

DC到>6000

3

20.5

20.2

18.9

17.6

16.2

13.5

3.5

＆ LT ; 1.5 ：1的

<2 ： 1

＆ LT ; 1.6 ：1的

<2 ： 1

+32.0

+17.5

22.0

170

132

单位

兆赫

GHz的

dB

dB

dB

dB

条件

中T = 25℃ ，我

CC

= 65毫安（见注1 ）

18.7

18.5

17.0

21.0

22.0

噪声系数

输入VSWR

输出VSWR

输出IP

3

输出P

1dB

反向隔离

+29.0

dB

DBM

DBM

dB

° C / W

°C

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置CON-

ditions

平均无故障时间

Freq=500MHz

Freq=1000MHz

Freq=2000MHz

Freq=3000MHz

Freq=4000MHz

Freq=6000MHz

Freq=2000MHz

在一个50Ω的系统， 500MHz的到3500MHz

在一个50Ω系统， 3500MHz到5000MHz的

在一个50Ω的系统， 500MHz的至3000MHz

在一个50Ω系统， 3000MHz的到5000MHz的

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

Freq=2000MHz

I

CC

= 65毫安，P

DISS

= 274mW 。 （见注3 ）

V

针

=4.2V

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

与22Ω偏置电阻

电源

器件工作电压

4.50

4.55

V

在8引脚与I

CC

= 65毫安在+ 25°C

5.95

6.30

V

在评估电路板连接器，I

CC

=65mA

工作电流

65

80

mA

见注释2 。

注1：所有规格和特征数据已经收集到的有关标准的FR - 4评估板。这些评估板

不是频率高于2.5GHz的优化。以上2.5GHz的性能可以改善，如果一个高性能的PCB被使用。

注2： RF3374 ，必须在等于或低于80毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3374

可以在较高的偏置电流来操作， 65毫安是推荐的偏压，以确保尽可能高的可靠性和电

性能。

注3 ：由于工艺变化的各部分之间，电流产生从固定的偏置电压将发生变化。因此，谨慎

应在设计固定电压偏置电路用于确保最差的情况下的偏置电流不超过80毫安在所有

预期的工作条件。

3050

岁月

4-584

转A8 050524

RF3374

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直

电容器，适合于工作频率，应当在使用

大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这

将取代内部反馈回路，造成温度instabil-

性。

接地连接。

RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联

电阻和扼流电感，以V

CC

。电阻器被选择来设置

直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -

开采由下面的等式：

接口示意图

2

3

GND

RF OUT

RF OUT

(

V

供应

–

V

设备

)

R

= ------------------------------------------------------

-

I

CC

由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于

操作的次数，应该在大多数应用中使用。该

偏置网络的供给侧也应很好旁路。关怀

也应采取的电阻选择来

确保该电流

租入部分决不会超过80毫安以上所计划的操作

温度。

接地连接。

在RF

4

GND

转A8 050524

4-585

RF3374

应用原理

V

CC

4

22

Ω

100 pF的

+

1

μF

100 pF的

在RF

1

2

3

100 nH的

RF OUT

100 pF的

评估板电路图

（从www.rfmd.com下载材料清单）。

P1

P1-1

1

2

3

CON3

R1

22

Ω

L1

100 nH的

C2

100 pF的

C3

100 pF的

+ C4

1

μF

VCC1

GND

4

VCC

J1

在RF

50

Ω μstrip

C1

100 pF的

1

2

3

50

Ω μstrip

J2

RF OUT

337x410 ， R.1

4-586

转A8 050524

RF3374

评估板布局

主板尺寸1.195" X 1.000"

板厚度0.033 “ ，板材料FR- 4

转A8 050524

4-587