RF3330IF
GAIN（增益）
受控扩增
费里
RF3330
IF增益控制放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOT23-8
特点
单5V电源正支持部门
股
26分贝增益范围
150MHz的带宽
紧凑的封装
VCC
GND
VOUT
VOUTB
1
2
3
4
偏置&
AGC
控制
8
7
6
5
VCC
VIN
VINB
VAGC
应用
有线电视机顶盒
电缆调制解调器
有线就绪电视
功能框图
产品说明
的RF3330是一个增益控制的放大器适合于在中频应用接收
一个电缆调谐器的部分。它包括一个高阻抗差分输入级，一个
低阻抗差动输出级，以及一个差分增益控制的放大器。
电压增益可以通过施加一个模拟控制电压来改变。该装置是
制造在一个先进的Bi -CMOS工艺，以及被容纳在一个八引脚SOT23
封装。
订购信息
RF3330
RF3330PCBA-41X
RF3330PCBA-41X
IF增益控制放大器
完全组装的评估板 - 75Ω
完全组装的评估板 - 50Ω
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A4 DS060908
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 10
RF3330
绝对最大额定值
参数
电源电压
工作环境温度
储存温度
等级
7
-40至+85
-60到+150
单位
V
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
DC特定网络阳离子
电源电压
电源电流
AGC控制电压
AGC输入阻抗
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
典型的表现是在T
A
= + 25 ° C，V
CC
=5V.
4.75
0.5
5.0
18
5.25
25
3.3
V
mA
V
MΩ
兆赫
dB
V
AGC
=3.3V
V
AGC
=0.5V
同时满足失真规范
同时满足失真规范
最大增益
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=3.3V
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=3.3V
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=0.5V
0.5V =最小增益
3.3V =最大增益
10
150
33.0
34.0
8.0
10.0
50
50
66
-44
45
60
4.5
42
10
2000
1
2
-40
AC规格
3dB带宽
电压增益
最大
最低
最大输入电平
最大输出电平
输出1dB压缩
输出谐波失真
输入IP3 ，最大增益
输入IP3 ，最小增益
输入噪声，最大增益
输入噪声，最小增益
输出阻抗
输入阻抗
输出负载阻抗
输出负载电容
dB
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
dBc的
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
Ω
Ω
kΩ
pF
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
2 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A4 DS060908
RF3330
针
1
2
3
功能
VCC
GND
VOUT
描述
电源电压
供应地
输出引脚。
接口示意图
OUT
OUTB
4
VOUTB
互补输出引脚。
OUT
OUTB
5
VAGC
AGC控制电压。
100 kΩ
10 kΩ
VAGC
VREF
6
VINB
互补的输入引脚。这应该是从外部AC耦合到信号
源。
VBIAS
IN
1 kΩ
75
1 kΩ
VBIAS
INB
7
VIN
输入引脚。这应该是从外部AC耦合到信号源。
VBIAS
IN
1 kΩ
75
1 kΩ
VBIAS
INB
8
VCC
电源电压
转A4 DS060908
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 10
RF3330
封装图
1.59
1.61
0.365
TEXT *
0.15
0.05
2.80
3.00
0.650
2.60
3.00
*当引脚1为上
左，文字向下读
（如图所示） 。
1.44
1.04
3°MAX
0°MIN
0.127
0.35
0.55
引脚输出
VCC
GND
VOUT
VOUTB
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VIN
VINB
VAGC
应用原理
V
CC
100 pF的
8
VIN
VINB
VAGC
7
6
5
注意板的方向。
偏置&
AGC
控制
1
2
3
4
3.3
μF
+
VOUT
VOUTB
4 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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RF3330
评估板电路图
（从www.rfmd.com下载材料清单）。
P1
P1-1
1
2
P1-3
3
4
VCC
VCC
GND
AGC
GND
HEADER4
+ C3
3.3
μF
J2
VIN
（ BAL ）
C2
100 nF的
50
Ω μstrip
C7
100 nF的
C8
100 nF的
C9
100 pF的
F
1
*
C1
100 pF的
8
7
6
5
注意板的方向。
3330410-
偏置&
AGC
控制
1
2
3
4
R4
470
Ω
R2
470
Ω
R3
51
Ω
6
5
4
R1*
DNI
C4*
DNI
J3
VIN
（ BAL ）
50
Ω μstrip
50
Ω μstrip
1
2
3
J5
VOUT
（ BAL ）
J1
VIN
（ UNBAL ）
50
Ω μstrip
T1
TTWB
1010-1
AGC
50
Ω μstrip
C5*
DNI
R6
5.1 kΩ
C6
33 nF的
R5*
DNI
J4
VOUT
（ UNBAL ）
注意事项：
1. C3 ， Tantulum电容：表壳尺寸Y， 6.3 V.
2.看评测测试程序的更多信息。
3.零件与*下面的参考标志不应被填充的评估板。
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 10
RF3330
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
CATV机顶盒
电缆调制解调器
有线就绪电视
IF增益控制放大器
产品说明
该RF3330是一种增益控制放大器适合
在IF应用程序接收有线电视调谐器的部分。它
由一个高阻抗差分输入级，一个
低阻抗差动输出级，以及一个差分
增益控制的放大器。电压增益可以改变
通过施加一个模拟控制电压。该装置是fabri-
cated采用先进的Bi -CMOS工艺，以及容纳
在一个8引脚SOT23封装。
1.59
1.61
0.365
TEXT *
0.15
0.05
2.80
3.00
0.650
2.60
3.00
3°MAX
0°MIN
1.44
1.04
0.127
*当引脚1为上
左，文字向下读
（如图所示） 。
0.35
0.55
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOT23-8
特点
单5V电源正极
26分贝增益范围
150MHz的带宽
·小型封装
VCC 1
GND 2
VOUT 3
VOUTB 4
偏置&
AGC
控制
8 VCC
7 VIN
6 VINB
5 VAGC
订购信息
RF3330
RF3330PCBA-41X
RF3330PCBA-41X
IF增益控制放大器
完全组装的评估板 - 75Ω
完全组装的评估板 - 50Ω
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
转A4 060908
3-135
RF3330
绝对最大额定值
参数
电源电压
工作环境温度
储存温度
等级
7
-40至+85
-60到+150
单位
V
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
DC特定网络阳离子
电源电压
电源电流
AGC控制电压
AGC输入阻抗
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
典型的表现是在T
A
=+25°C,
V
CC
=5V.
4.75
0.5
5.0
18
5.25
25
3.3
V
mA
V
MΩ
兆赫
dB
dB
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
dBc的
dBmV的（ RMS）
dBmV的（ RMS）
内华达州/ rtHz的
内华达州/ rtHz的
Ω
Ω
kΩ
pF
0.5V =最小增益
3.3V =最大增益
10
150
33.0
34.0
8.0
AC规格
3dB带宽
电压增益
最大
最低
最大输入电平
最大输出电平
输出1dB压缩
输出谐波失真
输入IP3 ，最大增益
输入IP3 ，最小增益
输入噪声，最大增益
输入噪声，最小增益
输出阻抗
输入阻抗
输出负载阻抗
输出负载电容
10.0
50
50
-40
66
-44
45
60
4.5
42
10
2000
1
V
AGC
=3.3V
V
AGC
=0.5V
同时满足失真规范
同时满足失真规范
最大增益
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=3.3V
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=3.3V
输出电平= 50dBmV （ RMS） ; V
AGC
=0.5V
2
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
3-136
转A4 060908
RF3330
评估板电路图
（从www.rfmd.com下载材料清单）。
P1
P1-1
1
2
P1-3
3
4
VCC
VCC
GND
AGC
GND
HEADER4
+ C3
3.3
μF
50
Ω μstrip
C2
100 nF的
C9
100 pF的
8
偏置&
AGC
控制
1
2
3
4
注意板的方向。
C1
100 pF的
R1*
DNI
R2
470
Ω
R4
470
Ω
R3
51
Ω
6
5
4
1
2
3
C4*
DNI
J2
VIN
（ BAL ）
F1*
7
C7
100 nF的
C8
100 nF的
J3
VIN
（ BAL ）
50
Ω μstrip
50
Ω μstrip
6
5
J5
VOUT
（ BAL ）
J1
VIN
（ UNBAL ）
50
Ω μstrip
T1
TTWB
1010-1
3330410-
50
Ω μstrip
C5*
DNI
AGC
R6
5.1 kΩ
C6
33 nF的
J4
VOUT
（ UNBAL ）
R5*
DNI
注意事项：
1. C3 ， Tantulum电容：表壳尺寸Y， 6.3 V.
2.看评测测试程序的更多信息。
3.零件与*下面的参考标志不应被填充的评估板。
转A4 060908
3-139
QQ：2880707522 复制
