RF3315

0

无铅产品

典型应用

基站系统

蜂窝和PCS系统

WLL ， W- CDMA系统

最终PA为低功耗应用

宽带高线性度放大器

产品说明

的RF3315是一个高效率的GaAs异质

双极型晶体管（ HBT）放大器封装在一个低成本

表面贴装封装。该放大器非常适合于使用

需要高线性度和低噪声系数的应用

在300MHz至3GHz的频率范围。该RF3315

采用单5V电源供电。

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

1.80

1.45

1.75

1.40

0.43

0.38

0.53

0.41

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： SOT89

特点

300MHz到3GHz

+ 40dBm的输出IP3

12.5分贝增益为2.0GHz

GND

+ 23dBm的P1dB的

3.0分贝典型噪声系数为2.0GHz

单5V电源

4

1

在RF

2

GND

3

RF OUT

订购信息

RF3315

宽带高线性度放大器

RF3315PCBA -410完全组装的评估板（ 2GHz的）

RF3315PCBA -411完全组装的评估板（ 900MHz的）

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

功能框图

转A9 050310

4-557

RF3315

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

器件电压

器件的电流

工作温度

储存温度

等级

+20

-0.5到+6.0

250

-40至+85

-40到+150

单位

DBM

V

mA

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

AC规格（ 2GHz的）

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 2.0GHz的，

与2GHz的应用原理图。

300

11.0

3000

12.5

15

15

+40.0

+23.0

3.0

+36

+21

4.0

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

dB

F=2GHz

F=2GHz

F=2GHz

F

1

= 1.99GHz ，女

2

= 2.00GHz ，P

IN

=-5dBm

AC规格

(900MHz)

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

300

16

3000

18

20

20

+41

+25

2.5

88

154

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

dB

° C / W

°C

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 900MHz的，

与900MHz的应用原理图。

+36

+23

F

1

= 900MHz的，女

2

= 901MHz ，P

IN

=-10dBm

3.5

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置CON-

ditions

平均无故障时间

I

CC

= 150毫安，P

DISS

= 770mW 。 （见注）。

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

370

岁月

DC特定网络阳离子

器件电压

4.5

5.0

5.5

V

I

CC

=150mA

工作电流范围

100

150

170

mA

V

CC

=5V

注意： RF3315 ，必须在等于或低于170毫安进行操作，以确保尽可能高的可靠性和电性能。

4-558

转A9 050310

RF3315

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。该引脚内部没有DC-受阻。隔直

电容器，适合于工作频率，应当在使用

大多数应用。

接口示意图

VCC

在RF

2

3

GND

RF OUT

接地连接。

RF输出和偏置引脚。对于偏置， RF扼流圈是必要的。因为

DC是目前该引脚上，隔直电容，适用于频

操作昆西，应该在大多数应用中使用。请参阅应用

化示意图，用于配置和值。

VCC

RF OUT

4

PKG

BASE

GND

GND

接地连接。

接地连接。

转A9 050310

4-559

RF3315

典型应用电路图为2GHz的

V

CC

4

100 pF的

+

1

F

+

100 pF的

+

V

CC

1

F

+

1

在RF

100 pF的

2

3

82 nH的

RF OUT

2.2 pF的

1.5 pF的

3.6 nH的

评估板电路图为2GHz的

P1

P1-1

1

2

VCC

4

C3 +

100 pF的

C4 +

1

F

VCC

1

F

100 pF的

L1

82 nH的

C3

1.5 pF的

+

+

3

CON3

VCC1

GND

GND

J1

在RF

50

Ω μstrip

C1

100 pF的

1

2

3

50

Ω μstrip

L2

3.6 nH的

J2

RF OUT

C2

2.2 pF的

4-560

转A9 050310

RF3315

典型应用电路图为900MHz的

4

V

CC

100 pF的

1

2

3

100 nH的

1

F

+

4.7 pF的

在RF

4.7 nH的

6 pF的

RF OUT

8.7 nH的

评估板电路图为900MHz的

4

VCC

GND

GND

C1

4.7 pF的

L1

4.7 nH的

1

2

3

L2

100 nH的

C3

100 pF的

V

CC

P1

P1-1

1

2

3

CON3

J1

在RF

+

C4

1

F

C2

6 pF的

L3

8.7 nH的

J2

RF OUT

转A9 050310

4-561

RF3315Broad-

带高Lin-的

earity放大器

RF3315

宽带高线性度放大器

符合RoHS &无铅产品

封装形式： SOT89

特点

300MHz到3GHz

+ 40dBm的输出IP3

12.5分贝增益为2.0GHz

+ 23dBm的P1dB为

3.0分贝典型噪声系数为

2.0GHz

单5V电源

1

在RF

GND

4

2

GND

3

RF OUT

应用

基站应用

蜂窝和PCS系统

WLL ， W- CDMA系统

末级功率放大器的低功耗应用

系统蒸发散

功能框图

产品说明

的RF3315是一种高效率的GaAs异质结双极晶体管（HBT）扩增

费里封装在一个低成本的表面贴装封装。该放大器非常适合于使用

需要高线性度和低噪声系数在300MHz至3GHz的应用

频率范围。该RF3315采用单5V电源供电。

订购信息

RF3315

RF3315PCBA-410

RF3315PCBA-411

宽带高线性度放大器

完全组装的评估板（ 2GHz的）

完全组装的评估板（ 900MHz的）

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A10 DS050318

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 14

RF3315

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

器件电压

器件的电流

工作温度

储存温度

马克斯。牛逼

J

(MTTF>100years)

等级

+20

-0.5到+6.0

250

-40至+85

-40到+150

165

单位

DBM

V

mA

°C

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

AC规格（ 2GHz的）

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 2.0GHz的，有

2GHz的应用原理图。

300

11.0

12.5

15

15

+36

+21

+40.0

+23.0

3.0

3000

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

F=2GHz

F=2GHz

F=2GHz

F

1

= 1.99GHz ，女

2

= 2.00GHz ，P

IN

=-5dBm

4.0

dB

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 900MHz的，有

900MHz的应用原理图。

AC规格（ 900MHz的）

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

+36

+23

300

16

18

20

20

+41

+25

2.5

88

154

3.5

3000

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

dB

F

1

= 900MHz的，女

2

= 901MHz ，P

IN

=-10dBm

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置有条件

系统蒸发散

平均无故障时间

° C / W

°C

I

CC

= 150毫安，P

DISS

= 770mW 。 （见注）。

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

I

CC

=150mA

V

CC

=5V

370

4.5

100

5.0

150

5.5

170

岁月

V

mA

DC特定网络阳离子

器件电压

工作电流范围

注意： RF3315 ，必须在等于或低于170毫安进行操作，以确保尽可能高的可靠性和电性能。

2 14

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A10 DS050318

RF3315

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。该引脚内部没有DC-受阻。隔直电容，

适于操作的频率，应当在大多数应用中使用

系统蒸发散。

接口示意图

VCC

的R F IN

2

3

GND

RF OUT

接地连接。

RF输出和偏置引脚。对于偏置， RF扼流圈是必要的。因为DC是

目前该引脚上，隔直电容，适用于频率

操作时，应该在大多数应用中使用。见应用原理

用于配置和值。

VCC

RF OUT

4

PKG

BASE

GND

GND

接地连接。

接地连接。

封装图

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

1.80

1.45

1.75

1.40

尺寸（mm） 。

阴影铅引脚1 。

0.43

0.38

0.53

0.41

转A10 DS050318

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 14

RF3315

典型应用电路图为2GHz的

V

CC

4

100 pF的

+

1

μF

+

100 pF的

+

1

在RF

100 pF的

V

CC

1

μF

+

2

3

82 nH的

RF OUT

2.2 pF的

1.5 pF的

3.6 nH的

评估板电路图为2GHz的

P1

P1-1

1

2

VCC

4

C3 +

100 pF的

C4 +

1

μF

1

μF

100 pF的

1

2

3

L1

82 nH的

C3

1.5 pF的

+

50

Ω μstrip

L2

3.6 nH的

+

VCC

3

CON3

VCC1

GND

GND

J1

在RF

50

Ω μstrip

C1

100 pF的

C2

2.2 pF的

J2

RF OUT

4 14

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A10 DS050318

RF3315

典型应用电路图为900MHz的

4

V

CC

100 pF的

1

2

3

100 nH的

1

μF

+

4.7 pF的

在RF

4.7 nH的

6 pF的

RF OUT

8.7 nH的

评估板电路图为900MHz的

P1

P1-1

1

2

3

CON3

J1

在RF

C1

4.7 pF的

L1

4.7 nH的

VCC

GND

GND

1

2

3

L2

100 nH的

C3

100 pF的

C2

6 pF的

L3

8.7 nH的

4

V

CC

+

C4

1

μF

J2

RF OUT

转A10 DS050318

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 14

RF3315

0

典型应用

基站系统

蜂窝和PCS系统

WLL ， W- CDMA系统

最终PA为低功耗应用

宽带高线性度放大器

符合RoHS &无铅产品

产品说明

的RF3315是一个高效率的GaAs异质

双极型晶体管（ HBT）放大器封装在一个低成本

表面贴装封装。该放大器非常适合于使用

需要高线性度和低噪声系数的应用

在300MHz至3GHz的频率范围。该RF3315

采用单5V电源供电。

1.04

0.80

0.50

0.30

1.60

1.40

3.10

2.90

0.48

0.36

2 PL

4.60

4.40

2.60

2.40

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

1.80

1.45

1.75

1.40

0.43

0.38

0.53

0.41

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： SOT89

特点

300MHz到3GHz

+ 40dBm的输出IP3

12.5分贝增益为2.0GHz

GND

+ 23dBm的P1dB的

3.0分贝典型噪声系数为2.0GHz

单5V电源

4

1

在RF

2

GND

3

RF OUT

订购信息

RF3315

宽带高线性度放大器

RF3315PCBA -410完全组装的评估板（ 2GHz的）

RF3315PCBA -411完全组装的评估板（ 900MHz的）

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

功能框图

转A10 050318

4-557

RF3315

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

器件电压

器件的电流

工作温度

储存温度

马克斯。牛逼

J

(MTTF>100years)

等级

+20

-0.5到+6.0

250

-40至+85

-40到+150

165

单位

DBM

V

mA

°C

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC

（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

AC规格（ 2GHz的）

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 2.0GHz的，

与2GHz的应用原理图。

300

11.0

3000

12.5

15

15

+40.0

+23.0

3.0

+36

+21

4.0

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

dB

F=2GHz

F=2GHz

F=2GHz

F

1

= 1.99GHz ，女

2

= 2.00GHz ，P

IN

=-5dBm

AC规格

(900MHz)

频率

增益（小信号）

输入回波损耗

输出回波损耗

输出IP3

输出P1dB为

噪声系数

300

16

3000

18

20

20

+41

+25

2.5

88

154

兆赫

dB

dB

dB

DBM

DBM

dB

° C / W

°C

V

CC

= 5V ， RF

IN

= -10dBm ，频率= 900MHz的，

与900MHz的应用原理图。

+36

+23

F

1

= 900MHz的，女

2

= 901MHz ，P

IN

=-10dBm

3.5

热

THETA

JC

最大测量结

温度直流偏置CON-

ditions

平均无故障时间

I

CC

= 150毫安，P

DISS

= 770mW 。 （见注）。

T

例

=+85°C

T

例

=+85°C

370

岁月

DC特定网络阳离子

器件电压

4.5

5.0

5.5

V

I

CC

=150mA

工作电流范围

100

150

170

mA

V

CC

=5V

注意： RF3315 ，必须在等于或低于170毫安进行操作，以确保尽可能高的可靠性和电性能。

4-558

转A10 050318

RF3315

针

1

功能

在RF

描述

射频输入引脚。该引脚内部没有DC-受阻。隔直

电容器，适合于工作频率，应当在使用

大多数应用。

接口示意图

VCC

在RF

2

3

GND

RF OUT

接地连接。

RF输出和偏置引脚。对于偏置， RF扼流圈是必要的。因为

DC是目前该引脚上，隔直电容，适用于频

操作昆西，应该在大多数应用中使用。请参阅应用

化示意图，用于配置和值。

VCC

RF OUT

4

PKG

BASE

GND

GND

接地连接。

接地连接。

转A10 050318

4-559

RF3315

典型应用电路图为2GHz的

V

CC

4

100 pF的

+

1

μF

+

100 pF的

+

V

CC

1

μF

+

1

在RF

100 pF的

2

3

82 nH的

RF OUT

2.2 pF的

1.5 pF的

3.6 nH的

评估板电路图为2GHz的

P1

P1-1

1

2

VCC

4

C3 +

100 pF的

C4 +

1

μF

VCC

1

μF

100 pF的

L1

82 nH的

C3

1.5 pF的

+

+

3

CON3

VCC1

GND

GND

J1

在RF

50

Ω μstrip

C1

100 pF的

1

2

3

50

Ω μstrip

L2

3.6 nH的

J2

RF OUT

C2

2.2 pF的

4-560

转A10 050318

RF3315

典型应用电路图为900MHz的

4

V

CC

100 pF的

1

2

3

100 nH的

1

μF

+

4.7 pF的

在RF

4.7 nH的

6 pF的

RF OUT

8.7 nH的

评估板电路图为900MHz的

4

VCC

GND

GND

C1

4.7 pF的

L1

4.7 nH的

1

2

3

L2

100 nH的

C3

100 pF的

V

CC

P1

P1-1

1

2

3

CON3

J1

在RF

+

C4

1

μF

C2

6 pF的

L3

8.7 nH的

J2

RF OUT

转A10 050318

4-561