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RF3283
双频GSM900 / DCS1800 TRANSMIT
模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式:模块( 8mmx10mm )
GSM砷化镓PA
TXIN_LB 22
特点
包装8x10x1.4mm
GSM900 P
OUT
33.3dBm
DCS1800 P
OUT
32.0dBm
集成天线开关和
谐波滤波
专用的RX端口
IEC 61000-4-2标准, 8kV的
在天线端口
增强型的PowerStar Architec-
TURE以促进TRP Perfor-
曼斯
自动V
BATT
跟踪电路
TX_EN 25
VRAMP 26
B1 28
B2 29
B3 30
十分
集成
功率控制
和开关
逻辑
pHEMT制
开关
15 ANT
12
RX1
10
TXIN_HB 3
RX2
DCS砷化镓PA
功能框图
应用
GSM900 / DCS1800产品
10级GPRS兼容
的PowerStar 模块
3V双频手机
便携式电池供电分析装备
换货
产品说明
该RF3283是RFMD含有的高功率,高效率的发射模块
的PowerStar
集成的功率控制,集成的pHEMT前端的天线开关
和谐波滤波功能。所有这些都结合起来,提供了同类最佳的
谐波发射控制和RX和TX插入损耗。该设备是自CON-
tained与不需要匹配元件50Ω输入和输出端子。
基于RFMD已获专利的PowerStar集成的功率控制功能
CON-
控制被结合,省去了定向耦合器,检波二极管,
功率控制ASIC的,和其他电源控制电路;这使得该模块成为
直接从DAC的输出驱动。本设备被设计为使用作为最终por-
利用GSM900 / DCS1800和双频应用传输链的化
省去了功率放大器到天线开关模块的匹配。板载功率变
控制提供了超过70分贝控制范围。集成天线开关实现真正的
双频TX和RX功能。
订购信息
RF3283
RF3283SB
RF3283PCBA-41X
双频GSM900 / DCS1800发射模块
发送模块5件样品包
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
冯A1 DS071010
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 16
RF3283
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+1.8
+10
25
20:1
-30至+85
-55到+150
单位
V
V
DBM
%
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
总体功率控制
V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
开/关时间
功率控制范围
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
1.6
0.13
10.0
0.25
20.0
10.0
2.0
50.0
3.5
3.2
4.6
1.0
20.0
V
V
pF
μA
us
dB
V
V
μA
马克斯。 P
OUT
电路,电压提供给输入
分钟。 P
OUT
电路,电压提供给输入
DC至2MHz
V
坡道
=V
RAMP最大
V
坡道
= 0V至V
RAMP最大
V
坡道
= 0.13V到V
RAMP最大
特定网络阳离子
标称工作范围
P
IN
<-30dBm , TX启用=低,
V
坡道
= 0V ,温度= -30 ° C至+ 85°C
总体电源
电源电压
电源电流
总体控制信号
B1,B2, B3的“低”
B1,B2, B3的“高”
B1 , B2 , B3 “大电流”
TX启用“低”
TX启用“高”
TX启用“大电流”
0
1.38
0
1.38
0
2.0
1.0
0
2.0
1.0
0.4
3.0
2.0
0.5
3.0
2.0
V
uA
V
V
uA
2 16
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
冯A1 DS071010
RF3283
参数
GSM900模式
工作频率范围
最大输出功率
880
33.3
32.1
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
30.0
-3.0
35.0
0
-86.0
-88.0
正向隔离1
正向隔离2
所有谐波高达12.75GHz
所有的非谐波杂散
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
15:1
20:1
-70.0
-46.0
-45.0
+3.0
-75.0
-86.5
-58.0
-40.0
-36.0
-35.0
3.5:1
34.0
915
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=1.6V
温度= + 85°C ,V
BATT
=3.2V,
V
坡道
=1.6V
P
OUT
= 33.1dBm ,V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
为925MHz到935MHz , RBW = 100kHz时,
P
OUT
>+5dBm
935MHz到960MHz的, RBW = 100kHz时,
P
OUT
>+5dBm
B1 , B3 =高, TX_EN , B2 =低,
P
IN
= -20dBm ,V
坡道
=0.13V
TX_EN , B1 , B3 =高, B2 =低,
P
IN
= -20dBm ,V
坡道
=0.13V
在所有功率水平( 5dBm的对于33dBm )
在所有功率水平( 5dBm的对于33dBm )
在所有功率水平( 5dBm的对于33dBm )
Spurious<-36dBm ,设置V
坡道
哪里
P
OUT
<33.0dBm为50Ω负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<33.0dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
的一部分。
50.0
30.55
32.8
Ω
集V
CC
= 3.5V至4.0V
V
坡道
其中,P
OUT
=32.8dBm@
负载阻抗50Ω =
F = 880MHz至915MHz
改变负载电压驻波比= 3:1的各个阶段
措施提供P
OUT
与P
IN
= -2dBm到
+2dBm
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
RAMP最大
, P
IN
=0dBm,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
输入和输出阻抗
交付P
OUT
范围
冯A1 DS071010
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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RF3283
参数
DCS1800模式
工作频率范围
最大输出功率
1710
32.0
30.4
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
所有谐波高达12.75GHz
所有的非谐波杂散
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
15:1
20:1
24.0
-3.0
32.0
0
-84.0
-67.0
-49.0
-41.0
+3.0
-79.0
-52.0
-40.0
-36.0
-28.0
3.5:1
32.5
1785
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=1.6V
温度= + 85°C ,V
BATT
=3.2V,
V
坡道
=1.6V
P
OUT
= 31.4dBm ,V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
1805MHz至1880MHz , RBW = 100kHz时,
P
OUT
>0dBm
B1 , B2 , B3 =高, TX_EN =低,
P
IN
= -20dBm ,V
坡道
=0.13V
TX_EN , B1 , B2 , B3 =高,
P
IN
= -20dBm ,V
坡道
=0.13V
在所有功率水平(为0dBm至30dBm的)
在所有功率水平(为0dBm至30dBm的)
在所有功率水平(为0dBm至30dBm的)
Spurious<-36dBm ,设置V
坡道
哪里
P
OUT
<30.0dBm为50Ω负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<30.0dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
的一部分。
50.0
28.65
30.9
Ω
集V
CC
= 3.5V至4.0V
V
坡道
其中,P
OUT
=30.9dBm@
负载阻抗50Ω =
F = 1710MHz至1785MHz
改变负载电压驻波比= 3:1的各个阶段
措施提供P
OUT
与P
IN
= -2dBm到
+2dBm
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
RAMP最大
, P
IN
=0dBm,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
输入和输出阻抗
交付P
OUT
范围
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RF3283
参数
RX-节
插入损耗,
ANT- RX1 :低频段
频率为925MHz到960MHz的
插入损耗,
ANT- RX2 :高频段
频率1805MHz至1880MHz
纹波,
RX1
频率为925MHz到960MHz的
纹波,
RX2
频率1805MHz至1880MHz
回波损耗,
RX1
频率为925MHz到960MHz的
回波损耗,
RX2
频率1805MHz至1880MHz
-21.0
-11.0
dB
温度= -15 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 3.2V至4.6V
7.0
-7.0
1.0
5.0
10.0
8.0
8.0
8.0
GSM900 TX模式:频率= 880MHz到
的915MHz ,P
OUT
= +为0dBm至+ 33dBm的
GSM900 TX模式:频率= 880MHz到
的915MHz ,P
OUT
= +为0dBm至+ 33dBm的
DCS1800传送模式:频率= 1710MHz到
1785MHz ,P
OUT
= -5dBm至+ 30dBm的
DCS1800传送模式:频率= 1710MHz到
1785MHz ,P
OUT
= -5dBm至+ 30dBm的
-21.0
-11.0
dB
0.2
0.25
dB
0.2
0.25
dB
1.4
1.9
dB
1.1
1.65
dB
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= -15 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 3.2V至4.6V
TX-节
P
OUT
在RX端口为隔离
GSM900 ANT -RX 1
GSM900 ANT -RX 2
DCS1800 ANT -RX 1
DCS1800 ANT -RX 2
注意:隔离计算示例:隔离= P
OUT
@ ANT -P
OUT
@RXPort 。隔离LB ( ANT- RX1 ) = 33-10 = 23分贝,隔离HB ( ANT- RX2 ) = 30-
8=22dB
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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