RF3220High
直链
性/驱动器
扩音器
RF3220
高线性/驱动器放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： QFN ， 12引脚， 3× 3
GND
为500MHz到2GHz
+ 40.8dBm输出IP3
+ 14.2分贝增益为1850MHz
+ 12.4dBm的P1dB输入时
1850MHz
2.8分贝噪声系数在1850MHz
单5V电源
GND 1
RF IN 2
GND 3
12
11
GND
10
9 GND
8 RF OUT
7 GND
6
GND
特点
4
GND
基站应用
蜂窝和PCS系统
CDMA，W- CDMA系统中的
GSM / EDGE系统
末级功率放大器的低功耗应用
系统蒸发散
功能框图
产品说明
的RF3220是一种高效率的GaAs异质结双极晶体管（HBT）
放大器封装在一个低成本的表面贴装封装。该放大器非常适合
在需要高线性度和低噪声系数的应用程序使用了500MHz的到
3GHz的频率范围。该RF3220采用5V单电源供电，并且是
组装在一个经济3mmx3mm QFN封装。
订购信息
RF3220
RF3220PCBA-41X
高线性/驱动器放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
冯A1 DS050822
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
GND
应用
BIAS
5
1 10
RF3220
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
器件电压
器件的电流
工作温度
储存温度
等级
+20
-0.5到+6.0
250
-40至+85
-40到+150
单位
DBM
V
mA
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
AC规格
频率
收益
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
输出IP3
输出P1dB为
噪声系数
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
CC
= 5V ， RF
IN
= -10dBm ，频率= 1850MHz ，与
温度= 25℃，除非另有说明。
500
12
14.2
1.2
1.7
20
36
23
23
40
+25.5
2.9
76
153
2000
15.5
1.5
2.0
兆赫
dB
SWR
SWR
DBM
DBM
F
1
= 1850MHz ，女
2
=1851MHz
3.3
dB
I
CC
= 160毫安，P
DISS
= 0.997W 。 （见注）。
° C / W
°C
T
例
=+85°C
T
例
=+85°C
I
CC
=160mA
V
CC
=5V
热
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置有条件
系统蒸发散
平均时间故障
5800
4.5
110
5.0
145
5.5
170
岁月
V
mA
DC特定网络阳离子
器件电压
工作电流范围
注意： RF3220 ，必须在等于或低于175毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3220可
在较高的偏置电流工作时， 175毫安是推荐的偏压，以确保尽可能高的可靠性和电性能。
2 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
冯A1 DS050822
RF3220
针
1
2
功能
GND
在RF
描述
接地连接。
射频输入引脚。该引脚内部没有DC-受阻。隔直电容
适于操作的频率应该被使用。
在RF
偏置
电路
RF OUT
接口示意图
3
4
5
6
7
8
GND
GND
GND
GND
GND
RF OUT
接地连接。
接地连接。
接地连接。
接地连接。
接地连接。
放大器的输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须被偏置
到V
CC
通过扼流器或匹配电感。该引脚通常匹配
为50Ω与分流偏置/匹配电感和串联阻断/匹配
电容。请参考应用电路图。
接地连接。
接地连接。
该引脚用于控制所述偏置电流。外部电阻器可以是
用来设定偏置电流的任何V
PD
电压。允许权衡
IP3之间对噪声系数和T
最大
.
V
C C
见第2脚。
9
10
11
GND
GND
BIAS
12
PKG
BASE
GND
GND
接地连接。
接地连接。所需的过孔在地面包基地。
封装图
2 PLCS
0.05 C
2 PLCS
0.10 C A
-A-
3.00
0.10 C B
2 PLCS
0.70
0.65
0.90
0.85
0.05
0.00
3.00
12°
最大
2 PLCS
0.10 C B
2.75 SQ 。
0.10 C A
2 PLCS
-B-
尺寸（mm） 。
-C-
座位
飞机
阴影铅引脚1 。
0.60
0.24
典型值
0.10 M C A B
0.30
0.18
引脚1号
R.20
0.75
0.50
1.25
0.95
平方米。
0.50
冯A1 DS050822
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 10
RF3220
应用原理图 - 1850MHz
V
CC
240
Ω
12
1
3 pF的
在RF
2.2 nH的
2
3
4
11
10
9
8
2.2 pF的
7
10 nH的
RF OUT
4.7 nH的
5
6
4 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3220
评估板电路图
BIAS
VCC
+ C8
4.7
μF
C6
10 pF的
C5
0.1
μF
R1
240
Ω
C3
10 pF的
9
8
7
4
5
6
L3
4.7 nH的
P1-1
L2
10 nH的
C2
2.2 pF的
C4
0.1
μF
C7 +
4.7
μF
12
C1
3 pF的
L1
2.2 nH的
1
2
3
11
10
J1
在RF
50
Ω μstrip
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
P1
1
2
P1-3
3
CON3
BIAS
GND
VCC
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3220
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
基站系统
蜂窝和PCS系统
CDMA，W- CDMA系统中的
产品说明
的RF3220是一个高效率的GaAs异质
双极型晶体管（ HBT）放大器封装在一个低成本
表面贴装封装。该放大器非常适合于使用
需要高线性度和低噪声系数的应用
在500MHz的至3GHz的频率范围。该RF3220
从单一5V电源工作，并且是assem-
流血的一种经济3mmx3mm QFN封装。
-A-
2 PLCS
0.10 C A
高线性/驱动器放大器
GSM / EDGE系统
最终PA为低功耗应用
2 PLCS
0.05 C
3.00
0.10 C B
2 PLCS
0.70
0.65
0.90
0.85
0.05
0.00
3.00
12°
最大
2 PLCS
0.10 C B
2.75 SQ 。
0.10 C A
2 PLCS
-B-
尺寸（mm） 。
-C-
座位
飞机
阴影铅引脚1 。
0.10 M C A B
0.60
0.24
典型值
0.30
0.18
引脚1号
R.20
0.75
0.50
1.25
0.95
平方米。
0.50
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： QFN ， 12引脚， 3×3
特点
为500MHz到2GHz
+ 40.8dBm输出IP3
+ 14.2分贝增益为1850MHz
BIAS
GND
GND
+ 12.4dBm的P1dB输入在1850MHz
2.8分贝噪声系数在1850MHz
9 GND
8 RF OUT
7 GND
12
GND 1
RF IN 2
GND 3
4
GND
11
10
单5V电源
5
GND
6
GND
订购信息
RF3220
高线性/驱动器放大器
RF3220PCBA - 41XFully组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A1 050822
4-537
RF3220
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
器件电压
器件的电流
工作温度
储存温度
等级
+20
-0.5到+6.0
250
-40至+85
-40到+150
单位
DBM
V
mA
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
AC规格
频率
收益
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
输出IP3
输出P1dB为
噪声系数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
CC
= 5V ， RF
IN
= -10dBm ，频率= 1850MHz ，
与温度= 25 ° C除非另有说明。
500
12
20
36
23
14.2
1.2
1.7
23
40
+25.5
2.9
76
153
2000
15.5
1.5
2.0
兆赫
dB
SWR
SWR
DBM
DBM
dB
° C / W
°C
F
1
= 1850MHz ，女
2
=1851MHz
3.3
热
THETA
JC
最大测量结
温度直流偏置CON-
ditions
平均时间故障
I
CC
= 160毫安，P
DISS
= 0.997W 。 （见注）。
T
例
=+85°C
T
例
=+85°C
5800
岁月
DC特定网络阳离子
器件电压
4.5
5.0
5.5
V
I
CC
=160mA
工作电流范围
110
145
170
mA
V
CC
=5V
注意： RF3220 ，必须在等于或低于175毫安为了实现上面列出的散热性能进行操作。而RF3220
可以在较高的偏置电流来操作， 175毫安是推荐的偏压，以确保尽可能高的可靠性和电
性能。
4-538
冯A1 050822
QQ：2880707522 复制
