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RF3196
四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS
功率放大器模块
符合RoHS和无铅产品
封装形式:模块的6mm x6mm
特点
减少电流转换成错
MATCH
超小型6mmx6mm
包装尺寸
综合V
REG
完整的电源控制解决方案
自动V
BATT
跟踪税务局局长
CUIT
无需外部元件或
路由
DCS / PCS
1
RFIN
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
GND 5
VRAMP 6
GSM
7
在RF
8
GSM
RFOUT
9
DCS / PCS
RFOUT
应用
3V GSM四频手 -
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
GSM850/EGSM900/DCS/PC
产品搜索
业务GPRS Class 8
力星
TM
模块
功能框图
产品说明
该RF3196是一种高功率,高效率的集成功率放大器模块
功率控制,可提供超过控制范围50分贝。该装置是一种自CON-
tained 6mmx6mm模块具有50Ω的输入和输出端子。该装置是
设计用作在GSM850 , EGSM900 ,DCS和PCS最终RF放大器
手持式数字蜂窝设备和其他应用程序在824MHz到
849MHz , 880MHz至915MHz , 1710MHz到1785MHz和1850MHz至1910MHz
乐队。该RF3196采用RFMD的最新V
BATT
跟踪电路,其MONI-
器的电池电压,并防止电源控制环路达到饱和。
RF3196可也有一个平坦的功率电路,降低功耗和变化
最大电流汲取到的不匹配。 RF3196可无需外部路由或克斯特
最终的组件,从而简化设计并降低电路板空间。
订购信息
RF3196
RF3196 SB
RF3196PCBA-41X
四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS功率放大器模块
功率放大器模块5件样品包
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A2 DS071207
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 16
RF3196
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+2.2
+10
50
10:1
-20至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
DBM
%
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件下的功能操作
是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。无许可证
在RFMD的任何专利或专利权被授予暗示或其他方式。 RFMD
保留更改部分线路的权利,推荐应用电路
和规格,恕不事先通知的任何时间。
工作条件
参数
总体功率控制
V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
TX使能“开”
TX使能“关”
GSM频段启用
DCS / PCS频段启用
1.5
3.0
3.5
1
150
4.5
1.5
0.5
0.5
0.26
2
20
30
2.1
V
V
pF
μA
V
V
V
V
V
μA
mA
V
V
μA
V
V
μA
操作限制
P
IN
<-30dBm , TX启用=低,
温度= -20 ° C至+ 85°C
V
坡道
= 0.26V , TX启用=高
马克斯。 P
OUT
分钟。 P
OUT
DC至2MHz
V
坡道
=2.1V
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
总体电源
电源电压
电源电流
总体控制信号
频段选择“低”
频段选择“高”
频段选择“高”当前
TX启用“低”
TX启用“高”
TX启用“高”当前
0
1.5
0
1.5
0
2.0
20
0
2.0
1
0.5
3.0
50
0.5
3.0
2
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7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A2 DS071207
RF3196
参数
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
标称条件:温度= + 25 ° C,
V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP_RP
, P
IN
=3dBm,
频率= 824MHz到849MHz ,
12.5%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
824到849
34.2
32.0
45
0
51
+3
-85
-45
-30
-30
-15
-30
-30
-10
-20
-10
-15
-36
50
2.5:1
-36
DBM
驻波比= 8:1 ;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<34.2dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 8:1 ; RBW = 3MHz的)
驻波比= 10 :1;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<34.2dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 10 : 1)
Ω
dB
-23
DBM
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
=V
RAMP_RP
+5
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
RAMP_RP
温度= + 85°C ,V
BATT
=3.0V, V
坡道
<2.1V
在P
OUT
最大
, V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时, 869MHz至894MHz ,
P
OUT
< + 34.2dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.26V
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
总体( GSM850模式)
工作频率范围
最大输出功率1
最大输出功率2
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
十字隔离带,在2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性( Spuri-
性放射)
输出负载VSWR坚固
无损坏或永久
降解设备
50
50
55
-35
输出负载阻抗
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为34.2dBm设定在额定的条件。
转A2 DS071207
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3196
参数
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
标称条件:温度= + 25 ° C,
V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP_RP
, P
IN
=3dBm,
频率= 880MHz至915MHz ,
12.5%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
880到915
34.2
32.0
50
0
56
+3
-83
-85
正向隔离1
正向隔离2
交叉带隔离2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性( Spuri-
性放射)
输出负载VSWR坚固
无损坏或永久
降解设备
50
50
55
-35
-23
Ω
dB
DBM
50
2.5:1
-36
DBM
驻波比= 8:1 ;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<34.2dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 8:1 ; RBW = 3MHz的)
驻波比= 10 :1;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<34.2dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 10 : 1)
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
=V
RAMP_RP
-40
-30
-30
-15
-30
-30
-10
-20
-10
-15
-36
+5
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
RAMP_RP
温度= + 85°C ,V
BATT
=3.0V, V
坡道
<2.1V
在P
OUT
最大
, V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ,
P
OUT
< + 34.2dBm
RBW = 100kHz时, 935MHz至960MHz的,
P
OUT
< + 34.2dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.26V
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
总体( GSM900模式)
工作频率范围
最大输出功率1
最大输出功率2
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
输出负载阻抗
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为34.2dBm设定在额定的条件。
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3196
参数
总体( DCS模式)
工作频率范围
最大输出功率1
最大输出功率2
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性( Spuri-
性放射)
输出负载VSWR坚固
无损坏或永久
降解设备
50
45
50
-35
-23
Ω
dB
DBM
50
2.5:1
-36
DBM
驻波比= 8:1 ;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<32dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 8:1 ; RBW = 3MHz的)
驻波比= 10 :1;所有相位角
(V
坡道
对于P设置
OUT
<32dBm为50Ω负载;
负载切换到电压驻波比= 10 : 1)
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
=V
RAMP_RP
32.0
30.0
45
0
51
+3
-85
-40
-25
-15
-30
-30
-10
-10
-15
-36
+5
一七一○年至1785年
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= + 85°C ,V
BATT
=3.0V, V
坡道
< 2.1V
在P
OUT MAX ,
V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时, 1805MHz至1880MHz ,P
OUT
< 32dBm的
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,V
坡道
=0.26V,
P
IN
=+5dBm
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
V
坡道
= 0.26V到V
RAMP_RP
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
标称条件:温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP_RP
, P
IN
=3dBm,
频率= 1710MHz到1785MHz ,
12.5%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
输出负载阻抗
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为32dBm的设定在额定的条件。
转A2 DS071207
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RF3196PCBA-41X
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
RF3196PCBA-41X
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