RF3166D
双频GSM900 / DCS
功率放大器模块
封装形式:模块的6mm x6mm
特点
超小型6mmx6mm
包装尺寸
综合V
REG
完整的电源控制解决方案
化
自动V
BATT
跟踪税务局局长
CUIT
无需外部元件或
路由
改进的功率平坦度
DCS RFIN 1
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
GND 5
VRAMP 6
GSM
7
在RF
8
GSM
RFOUT
9
DCS
RFOUT
应用
3V双频GSM手机
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
EGSM900 / DCS产品
GPRS 12级
力星
TM
模块
功能框图
产品说明
该产RF3166是一种高功率,高效率的集成功率放大器模块
功率控制,可提供超过控制范围50分贝。该装置是一种自CON-
tained 6mmx6mm模块具有50Ω的输入和输出端子。该装置是
设计用作在EGSM900和DCS手持数字最终RF放大器
移动设备和其他应用程序在880MHz至915MHz和
1710MHz至1785MHz频段。该产RF3166采用RFMD的最新V
BATT
TRACK-
荷兰国际集团电路,它监视电池电压,并防止电源控制环路从
达到饱和。在V
BATT
跟踪电路,消除了需监测BAT-
tery电压,从而最大限度地减少开关瞬变。该产RF3166不需要
外部路由或外部元件,简化了设计,减少电路板
空间。
订购信息
RF3166D
双频GSM900 / DCS功率放大器模块
RF3166D SB
功率放大器模块5件样品包
RF3166DPCBA -410完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A2 061006
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 14
RF3166D
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+2.2
+10
50
10:1
-20至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
DBM
%
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
总体功率控制
V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
TX使能“开”
TX使能“关”
GSM频段启用
DCS / PCS频段启用
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
2.1
0.26
2
1.5
0.5
0.5
1.5
3.5
3.0
4.5
4.5
5.5
1
150
20
30
V
V
pF
μA
V
V
V
V
V
V
V
μA
mA
V
V
μA
V
V
μA
马克斯。 P
OUT
电路,电压提供给输入
分钟。 P
OUT
电路,电压提供给输入
DC至2MHz
V
坡道
=2.1V
总体电源
电源电压
特定网络阳离子
标称工作范围
V
坡道
<1.7V
P
IN
<-30dBm , TX启用=低,
温度= -20 ° C至+ 85°C
V
坡道
= 0.26V , TX启用=高
电源电流
总体控制信号
频段选择“低”
频段选择“高”
频段选择“高”当前
TX启用“低”
TX启用“高”
TX启用“高”当前
0
1.5
0
1.5
0
2.0
20
0
2.0
1
0.5
3.0
50
0.5
3.0
2
2 14
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A2 061006
RF3166D
参数
总体( GSM900模式)
工作频率范围
最大输出功率1
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
33.7
46
0
+3
-83
-85
正向隔离1
正向隔离2
交叉带隔离2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
8:1
50
2.5:1
Spurious<-36dBm , RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中,P
OUT
<33.7dBm为50Ω
负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<33.7dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
的一部分。
50
50
55
-35
-23
Ω
dB
DBM
DBM
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到2.1V
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= -20 ° C至+ 85°C ,V
BATT
>3.0V.
斜坡形状相同的条件:
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
坡道
_R
P
-40
-30
-30
-15
-30
+5
-80
-83
-30
-10
-20
-10
-15
-36
880到915
兆赫
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
在P
OUT
最大
, V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ,
P
OUT
< + 33.7dBm
RBW = 100kHz时, 935MHz至960MHz的,
P
OUT
< + 33.7dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.26V
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到2.1V
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
= 2.1V ,P
IN
=3dBm,
频率= 880MHz至915MHz ,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
输出负载VSWR坚固
10:1
输出负载阻抗
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
瞬态谱下
极端条件
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为33.7dBm设定在额定的条件。
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3 14
RF3166D
参数
总体( DCS模式)
工作频率范围
最大输出功率1
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
8:1
50
2.5:1
Spurious<-36dBm , RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中,P
OUT
<31.5dBm为50Ω
负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<31.5dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
的一部分。
50
45
50
-35
-23
Ω
dB
DBM
DBM
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到2.1V
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= -20 ° C至+ 85°C ,V
BATT
>3.0V.
斜坡形状相同的条件:
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
坡道
_R
P
31.5
44
0
+3
-85
-40
-25
-15
-30
+5
-80
-30
-10
-7
-15
-36
一七一○年至1785年
兆赫
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
在P
OUT MAX ,
V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时, 1805MHz至1880MHz ,P
OUT
< 31.5dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,V
坡道
=0.26V,
P
IN
=+5dBm
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到2.1V
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
= 2.1V ,P
IN
=3dBm,
频率= 1710MHz到1785MHz ,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
输出负载VSWR坚固
10:1
输出负载阻抗
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
瞬态谱下
极端条件
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为31.5dBm设定在额定的条件。
4 14
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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RF3166D
针
1
2
功能
DCS在
频段选择
描述
RF输入到DCS波段。这是一个50Ω的输入。
允许外部控制来选择GSM或DCS频段具有逻辑高或
低。一个逻辑低电平使GSM频段,而逻辑高电平使能
DCS频段。
接口示意图
BAND SEL
TX EN
DCS CTRL
GSMCTRL
3
TX启用
这个信号使供操作的功率放大器模块具有一个逻辑高。
VBATT
TX EN
TX ON
4
5
6
VBATT
GND
VRAMP
电源的模块。这应该被连接到电池。
来自DAC斜坡信号。一个300kHz的低通滤波器集成到
CMOS 。无需外部滤波器是必需的。
VRAMP
300的kH
7
8
9
PKG
BASE
GSM在
GSM退房
DCS / PCS
OUT
GND
射频输入到GSM频带。这是一个50Ω的输入。
RF输出的GSM频带。这是一个50Ω的输出。输出负载线
匹配包含内部到包。
射频输出用于DCS频段。这是一个50Ω的输出。输出负载线
匹配包含内部到包。
转A2 061006
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 14
RF3166D
0
典型应用
3V双频GSM手机
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
产品说明
1
双频GSM900 / DCS
功率放大器模块
EGSM900 / DCS产品
GPRS 12级
电源星
TM
模块
1.40
1.25
0.000 TYP
0.565 TYP
1.150 TYP
2.000 TYP
2.850
5.057
5.100
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式:模块的6mm x6mm
特点
超小型6mmx6mm封装尺寸
集成的V
REG
完整的电源控制解决方案
自动V
BATT
跟踪电路
无需外部元件或路由
改进的功率平坦度
DCS RFIN 1
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
GND 5
VRAMP 6
GSM
7
在RF
9
DCS
RFOUT
订购信息
8
GSM
RFOUT
RF3166D
双频GSM900 / DCS功率放大器模块
RF3166D SB
功率放大器模块5件样品包
RF3166DPCBA -410完全组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
转A2 061006
5.435 TYP
5.500 TYP
5.900 TYP
该产RF3166是一种高功率,高效率电源扩增
集成的功率控制,可提供费里模块
超过控制范围50分贝。该装置是一个自包含的
6mmx6mm模块具有50Ω的输入和输出端子。
本设备被设计用作最后的RF放大器
EGSM900和DCS手持式数字蜂窝设备
和其他应用程序在880MHz至915MHz和
1710MHz至1785MHz频段。该产RF3166整合
RFMD的最新V
BATT
跟踪电路,它监视BAT-
tery电压,并防止电源控制环路从
达到饱和。在V
BATT
跟踪电路消除
需要监测电池的电压,从而最大限度地减少
开关瞬变。该产RF3166无需外部
路由或外部元件,从而简化了布局和
减少了电路板空间。
6.00
± 0.10
6.00 ± 0.10
阴影区域代表引脚1 。
0.450
± 0.075
尺寸(mm) 。
0.100 TYP
0.565 TYP
0.965
1.150 TYP
1.225 TYP
1.750 TYP
2.600 TYP
4.650
5.823
5.500
5.400 TYP
5.225 TYP
5.200 TYP
4.625 TYP
4.450 TYP
3.850 TYP
3.675 TYP
3.075 TYP
2.900 TYP
2.300 TYP
2.125 TYP
1.525 TYP
1.350 TYP
0.800 TYP
0.600 TYP
0.500 TYP
0.000
1
5.900 TYP
5.435
5.370
5.035
4.600
4.300
4.200
3.800
3.400
3.065
3.000
2.600
2.100
1.700
1.365
1.300
0.900典型值
0.750 TYP
0.565 TYP
0.100 TYP
2-491
RF3166D
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+2.2
+10
50
10:1
-20至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
DBM
%
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
总体功率控制
V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
TX使能“开”
TX使能“关”
GSM频段启用
DCS / PCS频段启用
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
2.1
0.26
2
1.5
0.5
0.5
1.5
3.5
3.0
4.5
4.5
5.5
1
150
20
30
V
V
pF
μA
V
V
V
V
V
V
V
μA
mA
V
V
μA
V
V
μA
马克斯。 P
OUT
电路,电压提供给输入
分钟。 P
OUT
电路,电压提供给输入
DC至2MHz
V
坡道
=2.1V
总体电源
电源电压
特定网络阳离子
标称工作范围
V
坡道
<1.7V
P
IN
<-30dBm , TX启用=低,
温度= -20 ° C至+ 85°C
V
坡道
= 0.26V , TX启用=高
电源电流
总体控制信号
频段选择“低”
频段选择“高”
频段选择“高”当前
TX启用“低”
TX启用“高”
TX启用“高”当前
0
1.5
0
1.5
0
2.0
20
0
2.0
1
0.5
3.0
50
0.5
3.0
2
2-492
转A2 061006
RF3166D
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
= 2.1V ,P
IN
=3dBm,
频率= 880MHz至915MHz ,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
880到915
33.7
46
0
兆赫
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
2.5:1
8:1
Spurious<-36dBm , RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中,P
OUT
<33.7dBm为50Ω
负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<33.7dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
要分手了。
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到2.1V
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= -20 ° C至+ 85°C ,V
BATT
>3.0V.
斜坡形状相同的条件:
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
在P
OUT MAX
, V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ,
P
OUT
< + 33.7dBm
RBW = 100kHz时, 935MHz至960MHz的,
P
OUT
< + 33.7dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.26V
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到2.1V
总体( GSM900模式)
工作频率范围
最大输出功率1
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
+3
-83
-85
+5
-80
-83
-30
-10
-20
-10
-15
-36
正向隔离1
正向隔离2
交叉带隔离2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
-40
-30
-30
-15
-30
50
输出负载VSWR坚固
10:1
输出负载阻抗
50
50
55
-35
-23
Ω
dB
DBM
DBM
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
瞬态谱下
极端条件
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为33.7dBm设定在额定的条件。
转A2 061006
2-493
RF3166D
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
= 2.1V ,P
IN
=3dBm,
频率= 1710MHz到1785MHz ,
25%的占空比,脉冲宽度= 1154μs
一七一○年至1785年
31.5
44
0
兆赫
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
2.5:1
8:1
Spurious<-36dBm , RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中,P
OUT
<31.5dBm为50Ω
负载
集V
坡道
其中,P
OUT
<31.5dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
要分手了。
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
= 0.26V到2.1V
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= -20 ° C至+ 85°C ,V
BATT
>3.0V.
斜坡形状相同的条件:
温度= 25 ° C,V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
坡道
_R
P
温度= + 25 ° C,V
BATT
=3.5V, V
坡道
=2.1V
在P
OUT MAX ,
V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时, 1805MHz至1880MHz ,
P
OUT
< 31.5dBm
TxEnable位置=低,P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高,V
坡道
=0.26V,
P
IN
=+5dBm
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到V
坡道
_R
P
V
坡道
= 0.26V到2.1V
总体( DCS模式)
工作频率范围
最大输出功率1
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
+3
-85
-40
-25
-15
-30
+5
-80
-30
-10
-7
-15
-36
50
输出负载VSWR坚固
10:1
输出负载阻抗
50
45
50
-35
-23
Ω
dB
DBM
DBM
功率控制V
坡道
功率控制范围
瞬态谱
瞬态谱下
极端条件
注意事项:
V
坡道
_R
P
=V
坡道
为31.5dBm设定在额定的条件。
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转A2 061006
RF3166D
针
1
2
功能
DCS在
BAND
SELECT
描述
RF输入到DCS波段。这是一个50Ω的输入。
允许外部控制来选择GSM或DCS频段具有逻辑高
或低。一个逻辑低电平使GSM频段,而逻辑高电平使
DCS波段。
BAND SEL
TX EN
DCS CTRL
GSMCTRL
接口示意图
3
TX启用
这个信号使供操作的功率放大器模块具有一个逻辑高。
VBATT
TX EN
TX ON
4
5
6
VBATT
GND
VRAMP
电源的模块。这应该被连接到电池。
来自DAC斜坡信号。一个300kHz的低通滤波器集成到
在CMOS 。无需外部滤波器是必需的。
VRAMP
30 0的kH
7
8
9
PKG
BASE
GSM在
GSM退房
DCS / PCS
OUT
GND
射频输入到GSM频带。这是一个50Ω的输入。
RF输出的GSM频带。这是一个50Ω的输出。输出负载线
匹配包含内部到包。
射频输出用于DCS频段。这是一个50Ω的输出。输出负载线
匹配包含内部到包。
转A2 061006
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