RF31633V
900MHz的Lin-的
耳电力
放大器MOD-
ULE
RF3163
3V 900MHZ线性电源
扩增fi er模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式： QFN ， 16引脚， 3× 3
NC
NC
14
16
NC
15
特点
输入内部匹配50Ω @
输出内部匹配
28dBm的线性输出功率
41 ％的峰值效率线 -
CDMA
-51dBc ACPR @ 885kHz
55 ％ AMPS效率
NC
13
NC 1
VREG 2
VMODE 3
RF IN 4
BIAS
12 RF OUT
11 ，电源Vcc2
10 VCC2
9 VCC2
3V CDMA / AMPS蜂窝手 -
SET
3V CDMA2000 / 1XRTT蜂窝
手机
3V W-CDMA的美国蜂窝手机
3V CDMA2000 / 1X -EV -DO US-
蜂窝手机
扩频系统
功能框图
产品说明
该RF3163是一种高功率，高效率线性功率放大器模块专
专为3V手持系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造，并且被设计用作最后的射频扩增
费里在3V的IS-95 / CDMA2000-1X / AMPS / W-CDMA方式的手持式数字蜂窝分析装备
精神疾病，扩频系统，并在824MHz至849MHz的其他应用程序
乐队。该RF3163具有数字控制线为低功耗应用，以降低机更
escent电流。该RF3163组装在一个16引脚， 3mmx3mm ， QFN封装。
订购信息
RF3163
RF3163PCBA-41X
3V 900MHz的线性功率放大器模块
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A5 DS060504
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
VCC1
GND
NC
NC
应用
5
6
7
8
1 10
RF3163
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
模式电压（V
模式
)
工作温度
储存温度
湿度敏感度等级
（ IPC / JEDEC J- STD- 20 ）
等级
+8.0
+5.2
+3.9
+10
+3.9
-30到+110
-40到+150
MSL 2 @ 260℃
单位
V
V
V
DBM
V
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
高功率模式 - CDMA
(V
模式
低）
工作频率范围
线性增益
二次谐波
第三谐波
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
在乐队稳定性
稳定的带外
噪声功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 0V ，而P
OUT
= 28dBm的所有参
TER值（除非另有规定） 。
824
26.0
28.5
-35
-40
28
37
41
455
-51
-58
2:1
849
-30
-30
兆赫
dB
dBc的
dBc的
%
501
-46
-55
6:1
10:1
mA
dBc的
dBc的
无oscillation>-70dBc
无损伤
dBm / Hz计
在45MHz的偏移量。
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 2.8V ，和P
OUT
= 18dBm的所有参
ETERS （除非另有规定） 。
-133
低功耗模式 - CDMA
(V
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
输出VSWR稳定性
824
21
18
125
-51
-61
2:1
6:1
10:1
156
-46
-56
mA
dBc的
dBc的
24
849
兆赫
dB
P
OUT
=16dBm
无oscillation>-70dBc
无损伤
2 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060504
RF3163
参数
高功率模式 -
的W-CDMA （Ⅴ
模式
低）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACLR @ 5MHz的
ACLR @ 10MHz的
28
45
410
-41
-55
%
mA
dBc的
dBc的
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 2.8V ，和P
OUT
= 18dBm的所有参
ETERS （除非另有规定） 。
824
24
18
120
-41
-60
mA
dBc的
dBc的
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 0V ，而P
OUT
= 31dBm的所有参
TER值（除非另有规定） 。
824
31
48
25.5
55
28
-35
-40
3.2
3.4
55
45
4.5
250
-30
-30
4.2
80
70
5.5
1000
6
40
0.2
0
2.75
2.7
0
2.0
2.8
2.0
0.5
2.95
3.0
0.5
3.0
dBc的
dBc的
V
mA
mA
mA
uA
uS
uS
uA
V
V
V
V
V
高增益模式
低增益模式
V
模式
=低V
REG
=2.8V
V
模式
=高和V
REG
=2.8V
V
模式
高
849
兆赫
DBM
%
P
OUT
=16dBm
849
兆赫
dB
824
28.5
849
兆赫
dB
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 0V ，而P
OUT
= 28dBm的所有参
TER值（除非另有规定） 。
低功耗模式 -
的W-CDMA （Ⅴ
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
我最大
CC
ACLR @ 5MHz的
ACLR @ 10MHz的
FM模式
工作频率范围
放的最大输出功率
AMPS效率
AMPS增益
AMPS二次谐波
AMPS三次谐波
电源
电源电压
高增益空闲电流
低增益空闲电流
V
REG
当前
V
模式
当前
RF开启/关闭时间
DC开启/关闭时间
总电流（关机）
V
REG
低电压
V
REG
高压
（推荐）
V
REG
高压
（操作）
V
模式
电压
转A5 DS060504
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 10
RF3163
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
功能
NC
VREG
VMODE
在RF
VCC1
NC
NC
GND
VCC2
VCC2
VCC2
RF OUT
NC
NC
NC
NC
GND
描述
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
稳压电源的放大器偏置电路。在掉电模式下，
双方V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平时，器件被偏置下，以提高效率。
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
第一阶段收集器供电。连接一个2200pF和4.7μF的去耦电容
所需。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
接地连接。
输出级集电极供电。请参见原理图所需的克斯特
最终的组件。
同销9 。
同销9 。
RF输出。内部交流耦合。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
接地连接。包装的背面应焊接到一
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面具有多个
过孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
接口示意图
封装图
3.00
引脚1号
A
1.45
引脚1号
3.00
1.45
0.28
典型值
0.18
0.05
0.15 C
2 PLCS
B
0.15 C
2 PLCS
0.40
典型值
0.20
0.10 M C A B
0.50 TYP
0.203 REF
0.08 C
0.08 C
0.925
0.775
阴影区域代表引脚1 。
0.102 REF
尺寸（mm） 。
C
4 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS060504
RF3163
评估板电路图 - CDMA
16
VREG
C30
4.7
μF
VMODE
C40
4.7
μF
J1
在RF
3
4
50
Ω μstrip
5
VCC1
C3
2200 pF的
P1
1
2
P1-3
3
4
P1-5
5
CON5
GND
GND
VCC1
GND
VCC2
P2-5
P2-3
P2
1
2
3
4
5
CON5
GND
GND
VRE
G
GND
VMODE
C20
4.7
μF
6
7
8
10
9
C1
2200 pF的
C10
4.7
μF
C3
2200 pF的
1
2
BIAS
12
11
L*
VCC2
15
14
13
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
*
额定电流的电感必须是1A 。
一个例子是桃红0603叠层电感器与
1.8 NH（东光零件号LL1608 - F1N8S ）值。
电感器的值可以是从1.5nH到2.2nH 。
电感器的不同值将给予轻微的转变
效率和ACPR之间的权衡。
评估板电路图 - W- CDMA
16
VREG
C30
4.7
μF
VMODE
C40
4.7
μF
J1
在RF
3
4
50
Ω μstrip
5
VCC1
C3
2200 pF的
P1
1
2
P1-3
3
4
P1-5
5
CON5
GND
GND
VCC1
GND
VCC2
P2-5
P2-3
P2
1
2
3
4
5
CON5
GND
GND
VREG
GND
VMODE
C20
4.7
μF
6
7
8
10
9
C1
2200 pF的
C10
4.7
μF
VCC2
C3
2200 pF的
1
2
BIAS
12
11
50
Ω μstrip ，
150密耳*
15
14
13
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
*
改变这种微带线的长度
线将调整效率和
ACLR权衡。
转A5 DS060504
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 10
RF3163
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手机
3V CDMA2000 / 1XRTT蜂窝手机
3V W-CDMA的美国蜂窝手机
产品说明
该RF3163是一种高功率，高效率线性扩增
费里的模块专为3V手持系设计
TEMS 。该设备采用先进的第三个生产
代的GaAs HBT工艺制造，并且被设计为利用
如在3V的最终RF放大器的IS-95 / CDMA2000-1X /
AMPS / W-CDMA方式的手持式数字蜂窝设备，
扩频系统，并在其它应用
824MHz至849MHz频段。该RF3163具有数转换
控制线为低功耗应用，以降低静态电流
租。该RF3163组装在一个16引脚， 3mmx3mm ，
QFN封装。
3.00
引脚1号
A
3V 900MHZ线性电源
扩增fi er模块
3V CDMA2000 / 1X -EV -DO美国蜂窝
手机
扩频系统
1.45
引脚1号
3.00
1.45
0.28
典型值
0.18
0.05
0.15 C
2 PLCS
B
0.15 C
2 PLCS
0.40
典型值
0.20
0.10 M C A B
0.50 TYP
尺寸（mm） 。
阴影区域代表引脚1 。
0.203 REF
0.08 C
0.08 C
0.925
0.775
0.102 REF
C
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： QFN ， 16引脚， 3×3
特点
输入内部匹配50Ω @
输出内部匹配
NC
NC
NC
NC
28dBm的线性输出功率
41 ％的峰值效率线 - CDMA
12 RF OUT
11 ，电源Vcc2
10 VCC2
9 VCC2
16
15
14
13
NC 1
VREG 2
VMODE 3
RF IN 4
BIAS
-51dBc ACPR @ 885kHz
55 ％的AMPS效率
订购信息
RF3163
3V 900MHz的线性功率放大器模块
RF3163PCBA - 41XFully组装的评估板
5
VCC1
6
NC
7
NC
8
GND
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A5 060504
2-689
RF3163
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
模式电压（V
模式
)
工作温度
储存温度
湿度敏感度等级
（ IPC / JEDEC J- STD- 20 ）
等级
+8.0
+5.2
+3.9
+10
+3.9
-30到+110
-40到+150
MSL 2 @ 260℃
单位
V
V
V
DBM
V
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
高功率模式 - CDMA
(V
模式
低）
工作频率范围
线性增益
二次谐波
第三谐波
最大线性输出
线性效率
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
在乐队稳定性
稳定的带外
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 0V ，而P
OUT
= 28dBm的所有
参数（除非另有规定） 。
824
26.0
849
28.5
-35
-40
41
455
-51
-58
2:1
-30
-30
兆赫
dB
dBc的
dBc的
%
mA
dBc的
dBc的
无oscillation>-70dBc
无损伤
在45MHz的偏移量。
T=25
o
C环境，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 2.8V ，和P
OUT
= 18dBm的所有
参数（除非另有规定） 。
28
37
501
-46
-55
6:1
10:1
-133
dBm / Hz计
低功耗模式 - CDMA
(V
模式
HIGH ）
工作频率范围
线性增益
最大线性输出
我最大
CC
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1.98MHz
输入VSWR
输出VSWR稳定性
824
21
18
849
24
125
-51
-61
2:1
156
-46
-56
6:1
10:1
兆赫
dB
mA
dBc的
dBc的
P
OUT
=16dBm
无oscillation>-70dBc
无损伤
2-690
转A5 060504
RF3163
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
功能
NC
VREG
VMODE
在RF
VCC1
NC
NC
GND
VCC2
VCC2
VCC2
RF OUT
NC
NC
NC
NC
GND
描述
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
稳压电源的放大器偏置电路。在掉电
模式下，两个V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当
设为高电平时，器件被偏置下，以提高效率。
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
第一阶段收集器供电。连接一个2200pF和4.7μF的去耦电容
是必需的。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
接地连接。
输出级集电极供电。请参见原理图所需
的外部元件。
同销9 。
同销9 。
RF输出。内部交流耦合。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
无连接。请不要将此引脚连接到外部电路。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
接口示意图
2-692
转A5 060504
RF3163
评估板电路图 - CDMA
16
VREG
C30
4.7
μF
VMODE
C40
4.7
μF
J1
在RF
3
4
50
Ω μstrip
5
VCC1
C3
2200 pF的
P1
1
2
P1-3
3
4
P1-5
5
CON5
GND
GND
VCC1
GND
VCC2
P2-5
P2-3
P2
1
2
3
4
5
CON5
GND
GND
VREG
GND
VMODE
C20
4.7
μF
6
7
8
10
9
C1
2200 pF的
C10
4.7
μF
C3
2200 pF的
1
2
BIAS
12
11
L*
VCC2
15
14
13
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
*
额定电流的电感必须是1A 。
一个例子是桃红0603叠层电感器与
1.8 NH（东光零件号LL1608 - F1N8S ）值。
电感器的值可以是从1.5nH到2.2nH 。
电感器的不同值将给予轻微的转变
效率和ACPR之间的权衡。
评估板电路图 - W- CDMA
16
VREG
C30
4.7
μF
VMODE
C40
4.7
μF
J1
在RF
3
4
50
Ω μstrip
5
VCC1
C3
2200 pF的
P1
1
2
P1-3
3
4
P1-5
5
CON5
GND
GND
VCC1
GND
VCC2
P2-5
P2-3
P2
1
2
3
4
5
CON5
GND
GND
VREG
GND
VMODE
C20
4.7
μF
6
7
8
10
9
C1
2200 pF的
C10
4.7
μF
VCC2
C3
2200 pF的
1
2
BIAS
12
11
50
Ω μstrip ，
150密耳*
15
14
13
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
*
改变这种微带线的长度
线将调整效率和
ACLR权衡。
转A5 060504
2-693
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