RF3140Quad-
BAND
GSM850/GSM
900/DCS/PCS
功率放大器
模块
RF3140
四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS
功率放大器模块
无铅产品
封装形式：模块（10毫米×10毫米）
特点
完整的电源控制解决方案
单一3.0V至5.5V电源电压
AGE
+ 35dBm的GSM输出功率
3.5V
+ 33dBm的DCS / PCS输出功率
在3.5V
60％的GSM和55％的DCS / PCS
IN 1 DCS / PCS
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
VREG 5
VRAMP 6
GSM850 / GSM900 IN 7
VCC2
12
11 DCS / PCS OUT
10 VCC OUT
η
EFF
9 GSM850 / GSM900 OUT
8
VCC2
10mmx10mm封装尺寸
应用
3V GSM四频手机
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
GSM850/EGSM900/DCS/PCS
制品
12级GPRS兼容
力星
TM
模块
功能框图
产品说明
该RF3140是一种高功率，高效率的集成功率放大器模块
功率控制。该设备是自包含与50Ω的输入和输出端子。
功率控制功能的内置，省去了定向
耦合器，检波二极管，功率控制ASIC和其它电源控制电路;
这允许直接驱动，从DAC输出的模块。该装置是
设计用作在GSM850 ， EGSM900 ，DCS和PCS最终RF放大器
手持式数字蜂窝设备和其他应用程序在824MHz到
849MHz ， 880MHz至915MHz ， 1710MHz到1785MHz和1850MHz至1910MHz
乐队。板载电源控制提供了控制范围50分贝与模拟
电压输入;并且，功率下降为逻辑“低”为备用操作。
订购信息
RF3140
RF3140
RF3140PCBA-41X
四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS功率放大器模块
功率放大器模块5件样品包
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A9 DS060217
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 16
RF3140
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+1.8
+8.5
50
10:1
-20至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
DBM
%
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
总体功率控制
V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
开/关时间
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
1.5
0.2
15
0.25
20
10
2
3.5
3.0
5.5
1
10
150
V
V
pF
μA
μs
V
V
μA
mA
V
mA
μA
马克斯。 P
OUT
电路，电压提供给输入
分钟。 P
OUT
电路，电压提供给输入
DC至2MHz
V
坡道
=V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
特定网络阳离子
标称工作范围
P
IN
<-30dBm ， TX启用=低，
温度= -20 ° C至+ 85°C
V
坡道
= 0.2V ， TX启用=高
TX启用=高
TX启用=低
总体电源
电源电压
电源电流
V
REG
电压
V
REG
当前
2.7
2.8
7
10
2.9
8
总体控制信号
频段选择“低”
频段选择“高”
频段选择“高”当前
TX启用“低”
TX启用“高”
TX启用“高”当前
0
1.9
0
1.9
0
2.0
20
0
2.0
1
0.5
3.0
50
0.5
3.0
2
V
V
μA
V
V
μA
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3140
参数
总体（ GSM850模式）
工作频率范围
最大输出功率
+34.2
32
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
十字隔离带，在2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
输出负载阻抗
8:1
10:1
50
55
Ω
dB
50
2.5:1
45
0
824到849
+35.0
33
55
+3
-86
-35
-25
-30
-15
-30
+5
-84
-25
-10
-20
-5
-10
-36
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中，V
坡道
<34.2dBm为50Ω
负载
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
=V
RAMP最大
在P
OUT
最大
, V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，
P
OUT
> + 5dBm的
TxEnable位置=低， 0V ，P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高，P
IN
= + 5dBm的，V
坡道
=0.2V
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
, P
IN
= 3dBm的，V
REG
=2.8V,
频率= 824MHz到849MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
功率控制V
坡道
功率控制范围
注： V
RAMP最大
=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
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RF3140
参数
总体（ GSM900模式）
工作频率范围
最大输出功率
+34.2
32
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
52
0
880到915
+35.0
33
58
+3
-86
-88
正向隔离1
正向隔离2
交叉带隔离2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
输出负载阻抗
8:1
10:1
50
50
Ω
dB
50
2.5:1
-35
-25
-24
-15
-30
+5
-82
-84
-25
-10
-20
-5
-10
-36
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中，V
坡道
<34.2dBm为50Ω
负载
在RF OUT垫提出负载阻抗
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
=V
RAMP最大
在P
OUT
最大
, V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，
P
OUT
> + 5dBm的
RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，
P
OUT
> + 5dBm的
TxEnable位置=低， 0V ，P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高，V
坡道
= 0.2V ，P
IN
=+5dBm
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
, P
IN
= 3dBm的，V
REG
=2.8V,
频率= 880MHz至915MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
功率控制V
坡道
功率控制范围
注： V
RAMP最大
=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
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RF3140
参数
总体（ DCS模式）
工作频率范围
最大输出功率
+32
+29.5
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
输出负载阻抗
8:1
10:1
50
50
Ω
dB
50
-
2.5:1
48
0
一七一○年至1785年
+33
+31.0
55
+3
-85
-40
-20
-15
-30
+5
-80
-30
-10
-7
-15
-36
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的
集V
坡道
其中，V
坡道
<34.2dBm为50Ω
负载
在RF OUT引脚上的负载阻抗
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
, P
IN
=+5dBm
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
=V
RAMP最大
在P
OUT MAX ，
V
BATT
=3.5V
最大输出功率保证在迷你
妈妈的驱动电平
RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，P
OUT
>为0dBm ，V
BATT
=3.5V
TxEnable位置=低， 0V ，P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高，V
坡道
= 0.2V ，P
IN
=为0dBm到
+5dBm
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
, P
IN
=3dBm,
V
REG
= 2.8V ，频率= 1710MHz到1785MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
功率控制V
坡道
功率控制范围
注： V
RAMP最大
=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
转A9 DS060217
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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