RF3140Quad-

BAND

GSM850/GSM

900/DCS/PCS

功率放大器

模块

RF3140

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS

功率放大器模块

无铅产品

封装形式：模块（10毫米×10毫米）

特点

完整的电源控制解决方案

单一3.0V至5.5V电源电压

AGE

+ 35dBm的GSM输出功率

3.5V

+ 33dBm的DCS / PCS输出功率

在3.5V

60％的GSM和55％的DCS / PCS

IN 1 DCS / PCS

频段选择2

TX ENABLE 3

VBATT 4

VREG 5

VRAMP 6

GSM850 / GSM900 IN 7

VCC2

12

11 DCS / PCS OUT

10 VCC OUT

η

EFF

9 GSM850 / GSM900 OUT

8

VCC2

10mmx10mm封装尺寸

应用

3V GSM四频手机

商业和消费系

TEMS

便携式电池供电分析装备

换货

GSM850/EGSM900/DCS/PCS

制品

12级GPRS兼容

力星

TM

模块

功能框图

产品说明

该RF3140是一种高功率，高效率的集成功率放大器模块

功率控制。该设备是自包含与50Ω的输入和输出端子。

功率控制功能的内置，省去了定向

耦合器，检波二极管，功率控制ASIC和其它电源控制电路;

这允许直接驱动，从DAC输出的模块。该装置是

设计用作在GSM850 ， EGSM900 ，DCS和PCS最终RF放大器

手持式数字蜂窝设备和其他应用程序在824MHz到

849MHz ， 880MHz至915MHz ， 1710MHz到1785MHz和1850MHz至1910MHz

乐队。板载电源控制提供了控制范围50分贝与模拟

电压输入;并且，功率下降为逻辑“低”为备用操作。

订购信息

RF3140

RF3140

RF3140PCBA-41X

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS功率放大器模块

功率放大器模块5件样品包

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A9 DS060217

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 16

RF3140

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

输入射频功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

+8.5

50

10:1

-20至+85

-55到+150

单位

V

DC

V

DBM

%

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

总体功率控制

V

坡道

功率控制“开”

功率控制“关”

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

1.5

0.2

15

0.25

20

10

2

3.5

3.0

5.5

1

10

150

V

V

pF

μA

μs

V

V

μA

mA

V

mA

μA

马克斯。 P

OUT

电路，电压提供给输入

分钟。 P

OUT

电路，电压提供给输入

DC至2MHz

V

坡道

=V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

特定网络阳离子

标称工作范围

P

IN

<-30dBm ， TX启用=低，

温度= -20 ° C至+ 85°C

V

坡道

= 0.2V ， TX启用=高

TX启用=高

TX启用=低

总体电源

电源电压

电源电流

V

REG

电压

V

REG

当前

2.7

2.8

7

10

2.9

8

总体控制信号

频段选择“低”

频段选择“高”

频段选择“高”当前

TX启用“低”

TX启用“高”

TX启用“高”当前

0

1.9

0

1.9

0

2.0

20

0

2.0

1

0.5

3.0

50

0.5

3.0

2

V

V

μA

V

V

μA

2 16

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A9 DS060217

RF3140

参数

总体（ GSM850模式）

工作频率范围

最大输出功率

+34.2

32

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

正向隔离1

正向隔离2

十字隔离带，在2F

0

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

8:1

10:1

50

55

Ω

dB

50

2.5:1

45

0

824到849

+35.0

33

55

+3

-86

-35

-25

-30

-15

-30

+5

-84

-25

-10

-20

-5

-10

-36

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm为50Ω

负载

在RF OUT垫提出负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT

最大

, V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

> + 5dBm的

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，P

IN

= + 5dBm的，V

坡道

=0.2V

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

= 3dBm的，V

REG

=2.8V,

频率= 824MHz到849MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

转A9 DS060217

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 16

RF3140

参数

总体（ GSM900模式）

工作频率范围

最大输出功率

+34.2

32

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

52

0

880到915

+35.0

33

58

+3

-86

-88

正向隔离1

正向隔离2

交叉带隔离2F

0

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

8:1

10:1

50

50

Ω

dB

50

2.5:1

-35

-25

-24

-15

-30

+5

-82

-84

-25

-10

-20

-5

-10

-36

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm为50Ω

负载

在RF OUT垫提出负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT

最大

, V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT

> + 5dBm的

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

> + 5dBm的

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+5dBm

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

= 3dBm的，V

REG

=2.8V,

频率= 880MHz至915MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

4 16

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A9 DS060217

RF3140

参数

总体（ DCS模式）

工作频率范围

最大输出功率

+32

+29.5

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

正向隔离1

正向隔离2

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

8:1

10:1

50

50

Ω

dB

50

-

2.5:1

48

0

一七一○年至1785年

+33

+31.0

55

+3

-85

-40

-20

-15

-30

+5

-80

-30

-10

-7

-15

-36

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm为50Ω

负载

在RF OUT引脚上的负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

, P

IN

=+5dBm

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT MAX ，

V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，P

OUT

>为0dBm ，V

BATT

=3.5V

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=为0dBm到

+5dBm

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

=3dBm,

V

REG

= 2.8V ，频率= 1710MHz到1785MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

转A9 DS060217

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 16

RF3140

0

无铅产品

典型应用

3V GSM四频手机

商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

产品说明

该RF3140是一种高功率，高效率电源扩增

费里的模块集成功率控制。该装置是

自包含具有50Ω的输入和输出端子。该

功率控制功能的内置，消除

需要定向耦合器，检波二极管，功率

控制ASIC和其它电源控制电路;这

允许直接驱动来自DAC模块输出

放。该设备是专为使用作为最终RF扩增

费里在GSM850 ， EGSM900 ， DCS和PCS手持

数字蜂窝设备和在其它应用中

824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ， 1710MHz至

1785MHz和1850MHz至1910MHz频段。板载

功率控制提供了控制范围50分贝用

模拟电压输入;并且，功率下降为逻辑“低”

待机操作。

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

9.600 TYP

8.800 TYP

8.200 TYP

7.400 TYP

6.800 TYP

6.000 TYP

5.400 TYP

4.600 TYP

4.000 TYP

3.200 TYP

2.600 TYP

1.800 TYP

1.200 TYP

0.400 TYP

0.000

9.098 TYP

0.000

1.797

8.205

8.280

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS

功率放大器模块

GSM850 / EGSM900 / DCS / PCS产品

GPRS 12级兼容

电源星

TM

模块

5.400 TYP

6.000 TYP

6.800 TYP

7.400 TYP

8.200 TYP

8.275 TYP

8.800 TYP

9.600 TYP

销1

8.747

0.400 TYP

1.200 TYP

1.800 TYP

2.600 TYP

3.200 TYP

4.000 TYP

4.600 TYP

5.925

4.075

1.245

0.306

销1

1.70

1.45

10.00

± 0.10

10.00 ± 0.10

0.450

± 0.075

封装形式：模块（ 10mmx10mm ）

特点

完整的电源控制解决方案

单3.0V至5.5V电源电压

在3.5V + 35dBm的GSM输出功率

在3.5V + 33dBm的DCS / PCS输出功率

12

IN 1 DCS / PCS

频段选择2

TX ENABLE 3

VBATT 4

VREG 5

VRAMP 6

GSM850 / GSM900 IN 7

8

VCC2

9 GSM850 / GSM900 OUT

10 VCC OUT

11 DCS / PCS OUT

VCC2

60％的GSM和55％的DCS / PCS

η

EFF

10mmx10mm封装尺寸

订购信息

RF3140

四频GSM850 / GSM900 / DCS / PCS电源

功放模块

RF3140

功率放大器模块5件样品包

RF3140PCBA - 41XFully组装的评估板

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

功能框图

转A9 060217

2-491

RF3140

绝对最大额定值

参数

电源电压

功率控制电压（V

坡道

)

输入射频功率

最大占空比

输出负载VSWR

工作温度

储存温度

等级

-0.3到+6.0

-0.3到+1.8

+8.5

50

10:1

-20至+85

-55到+150

单位

V

DC

V

DBM

%

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

总体功率控制

V

坡道

功率控制“开”

功率控制“关”

V

坡道

输入电容

V

坡道

输入电流

开/关时间

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

0.2

15

1.5

0.25

20

10

2

V

V

pF

μA

μs

V

V

μA

mA

V

mA

μA

V

V

μA

V

V

μA

马克斯。 P

OUT

电路，电压提供给输入

分钟。 P

OUT

电路，电压提供给输入

DC至2MHz

V

坡道

=V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

特定网络阳离子

标称工作范围

P

IN

<-30dBm ， TX启用=低，

温度= -20 ° C至+ 85°C

V

坡道

= 0.2V ， TX启用=高

TX启用=高

TX启用=低

总体电源

电源电压

3.0

电源电流

1

3.5

5.5

10

150

2.9

8

V

REG

电压

V

REG

当前

2.7

2.8

7

10

0

2.0

20

0

2.0

1

总体控制信号

频段选择“低”

频段选择“高”

频段选择“高”当前

TX启用“低”

TX启用“高”

TX启用“高”当前

0

1.9

0

1.9

0.5

3.0

50

0.5

3.0

2

2-492

转A9 060217

RF3140

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

=3dBm,

V

REG

= 2.8V ，频率= 824MHz到849MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

+34.2

32

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

正向隔离1

正向隔离2

十字隔离带，在2F

0

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

45

0

824到849

+35.0

33

55

+3

-86

-35

-25

-30

-15

-30

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

2.5:1

8:1

10:1

50

55

Ω

dB

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm成

50Ω负载

在RF OUT垫提出负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT MAX

, V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时， 869MHz至894MHz ，

P

OUT

> + 5dBm的

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，P

IN

= + 5dBm的，V

坡道

=0.2V

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

总体（ GSM850模式）

工作频率范围

最大输出功率

+5

-84

-25

-10

-20

-5

-10

-36

50

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

转A9 060217

2-493

RF3140

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= + 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

=3dBm,

V

REG

= 2.8V ，频率= 880MHz至915MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

+34.2

32

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

52

0

880到915

+35.0

33

58

+3

-86

-88

正向隔离1

正向隔离2

交叉带隔离2F

0

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

-35

-25

-24

-15

-30

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

2.5:1

8:1

10:1

50

50

Ω

dB

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm成

50Ω负载

在RF OUT垫提出负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT MAX

, V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，

P

OUT

> + 5dBm的

RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，

P

OUT

> + 5dBm的

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=+5dBm

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

总体（ GSM900模式）

工作频率范围

最大输出功率

+5

-82

-84

-25

-10

-20

-5

-10

-36

50

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

2-494

转A9 060217

RF3140

参数

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

, P

IN

=3dBm,

V

REG

= 2.8V ，频率= 1710MHz到1785MHz ，

25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs

+32

+29.5

总有效率

输入功率范围

输出噪声功率

正向隔离1

正向隔离2

二次谐波

三次谐波

所有其他

非谐波杂散

输入阻抗

输入VSWR

输出负载VSWR稳定性

输出负载VSWR坚固

输出负载阻抗

48

0

一七一○年至1785年

+33

+31.0

55

+3

-85

-40

-20

-15

-30

兆赫

DBM

DBM

%

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

DBM

Ω

2.5:1

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的

集V

坡道

其中，V

坡道

<34.2dBm成

50Ω负载

在RF OUT引脚上的负载阻抗

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

, P

IN

=+5dBm

温度= 25 ° C，V

BATT

=3.5V,

V

坡道

=V

RAMP最大

温度= + 85°C ，V

BATT

=3.0V,

V

坡道

=V

RAMP最大

在P

OUT MAX ，

V

BATT

=3.5V

最大输出功率保证在迷你

妈妈的驱动电平

RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，

P

OUT

>为0dBm ，V

BATT

=3.5V

TxEnable位置=低， 0V ，P

IN

=+5dBm

TxEnable位置=高，V

坡道

= 0.2V ，P

IN

=0dBm

至+ 5dBm的

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

V

坡道

-0.2V到V

RAMP最大

总体（ DCS模式）

工作频率范围

最大输出功率

+5

-80

-30

-10

-7

-15

-36

50

-

8:1

10:1

50

50

Ω

dB

功率控制V

坡道

功率控制范围

注： V

RAMP最大

=3/8*V

BATT

+0.18<1.5V

转A9 060217

2-495