RF3133
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V GSM四频手机
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
产品说明
该RF3133是一种高功率，高效率电源扩增
费里的模块集成功率控制。该装置是
自包含具有50Ω的输入和输出端子。该
功率控制功能的内置，消除
需要定向耦合器，检波二极管，功率
控制ASIC和其它电源控制电路;这
允许直接驱动来自DAC模块输出
放。该设备是专为使用作为最终RF扩增
费里在GSM850 ， EGSM900 ， DCS和PCS手持
数字蜂窝设备和在其它应用中
824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ， 1710MHz至
1785MHz和1850MHz至1910MHz频段。板载
功率控制提供了控制范围37分贝用
模拟电压输入;并且，功率下降为逻辑“低”
待机操作。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
1.10 TYP
1.70 （典型值）
2.50 TYP
3.10 TYP
3.90 TYP
4.60 TYP
5.40 TYP
6.10 TYP
典型值0.10
6.90 TYP
1
8.40 TYP
7.60 TYP
6.00
5.40 TYP
4.60 TYP
4.00
2.40 TYP
1.60 TYP
四频GSM850 / GSM / DCS / PCS
功率放大器模块
GSM850 ， EGSM900 ， DCS / PCS产品
GPRS 12级兼容
1.40
1.25
1
9.90 TYP
9.10 TYP
8.50
6.90 TYP
6.10 TYP
3.90 TYP
3.10 TYP
1.50
0.90 TYP
典型值0.10
0.00
10.00
± 0.10
7.00
± 0.10
注意事项：
0.450
± 0.075
1
阴影区域代表引脚1的位置。
封装形式：模块
特点
完整的电源控制解决方案
单2.9V至5.5V电源电压
在3.5V + 35dBm的GSM输出功率
在3.5V + 33dBm的DCS / PCS输出功率
55 ％的GSM和52 ％， DCS / PCS
η
EFF
12
DCS在1
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
VREG 5
VRAMP 6
GSM在7
8
VCC2
9 GSM OUT
10 VCC OUT
11 DCS OUT
VCC2
订购信息
RF3133
四频GSM850 / GSM / DCS / PCS功率放大器
模块
RF3133PCBA - 41XFully组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
转A6 050909
5.50
6.30 TYP
6.70 TYP
0.00
3.00
2-459
RF3133
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
坡道
)
输入射频功率
最大占空比
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.3到+6.0
-0.3到+1.8
+11.5
50.0
10:1
-20至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
DBM
%
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
功率控制V
坡道
功率控制“开”
功率控制“关”
功率控制范围
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
开/关时间
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
0.25
20
10
2
单位
V
V
dB
pF
μA
μS
V
V
V
V
μA
V
mA
μA
V
V
μA
V
V
μA
条件
马克斯。 P
OUT
电路，电压提供给输入
分钟。 P
OUT
电路，电压提供给输入
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
DC至2MHz
V
坡道
=V
RAMP最大
V
坡道
= 0V至V
RAMP最大
特定网络阳离子
标称工作范围
50％的占空比，脉冲宽度= 2308μs
占空比为50％ ， 824MHz至915MHz
占空比为50％ ， 1710MHz至1910MHz
P
IN
<-30dBm ， TxEnable位置=低，
温度= -20 ° C至+ 85°C
0.2
35
15
总体电源
电源电压
3.0
3.0
0.2
0.2
1
2.7
2.8
7
3.5
5.5
4.3
1.33
1.28
10
2.9
8
10
0.5
3.0
50
0.5
3.0
2
V
坡道
电源电流
V
REG
电压
V
REG
当前
TX启用=高
TX启用=低
总体控制信号
频段选择“低”
0
频段选择“高”
1.3
频段选择“高”当前
TX启用“低”
0
TX启用“高”
1.3
TX启用“高”当前
注： V
坡道
Max=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
0
2.0
20
0
2.0
1
2-460
转A6 050909
RF3133
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C，V
BATT
= 3.5V ，P
IN
=+2dBm,
V
REG
=2.8V, V
坡道
=V
RAMP最大
,
频率= 824MHz到849MHz ，占空比为25％ ，
脉冲宽度= 1154μs
+33.8
+31.5
总电流
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
824到849
+35.0
+32.5
1.3
50
+2
-86
-87
正向隔离1
正向隔离2
十字隔离带，在2F
O
二次谐波
三次谐波
所有其他
非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
兆赫
DBM
DBM
A
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
2.5:1
8:1
10:1
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的，设置V
坡道
其中，P
OUT
<34.0dBm为50Ω负载
集V
坡道
其中，P
OUT
<34.0dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
要分手了。
在RF OUT垫提出负载阻抗
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
RAMP最大
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
=V
RAMP最大
P
OUT
=+31dBm
在P
OUT MAX
, V
BATT
=3.5V
全功率输出保证最低
驱动电平
RBW = 100kHz时， 869MHz至879MHz ，
P
OUT
> + 5dBm的
RBW = 100kHz时， 879MHz至894MHz ，
P
OUT
> + 5dBm的
TxEnable位置=低， 0V ，P
IN
=+5dBm
TxEnable位置=高，P
IN
= + 5dBm的，V
坡道
=0.2V
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
总体（ GSM850模式）
工作频率范围
最大输出功率
40
0
+5
-82
-83
-30
-2
-13
-5
-15
-36
-18
-18
-28
50
输出负载阻抗
注： V
坡道
Max=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
50
Ω
转A6 050909
2-461
RF3133
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= + 25 ° C，V
BATT
=3.5V, V
坡道
最大，
P
IN
= + 2dBm的，V
坡道
=V
坡道
最大，
V
REG
= 2.8V ，频率= 880MHz至915MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
+34.2
+32.0
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
47
0
880到915
+35.0
+32.8
53
+2
-86
-88
兆赫
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
温度= 25 ° C，V
BATT
=3.5V,
V
坡道
=V
坡道
最大
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
=V
坡道
最大
在P
OUT
,
最大
, V
BATT
=3.5V
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，
P
OUT
> + 5dBm的
RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，
P
OUT
> + 5dBm的
RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，并
1930MHz至1990MHZ ，P
OUT
>0dBm
F =为925MHz到960MHz的，
RBW=VBW=100kHz
Tx_enable时= 0V ，磷
IN
=+5dBm
Tx_enable时=高，P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.2V
V
坡道
-0.2V到V
坡道
最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的，设置V
坡道
其中，P
OUT
<34.2dBm为50Ω负载
集V
坡道
其中，P
OUT
<34.2dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
要分手了。
在RF OUT垫提出负载阻抗
总体（ EGSM900模式）
工作频率范围
最大输出功率
+5
-74
-82
-80
-73
正向隔离1
正向隔离2
横条隔离在2F
0
二次谐波
三次谐波
所有其他非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
-35
-30
-2
-20
-5
-15
-36
2.5:1
-28
-10
-21
50
8:1
10:1
DBM
DBM
DBM
Ω
输出负载阻抗
注： V
坡道
Max=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
50
Ω
2-462
转A6 050909
RF3133
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C，V
BATT
= 3.5V ，P
IN
=+2dBm,
V
REG
=2.8V, V
坡道
=V
坡道
最大，
频率= 1710MHz到1910MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
+32.0
+31.7
+31.0
+29.5
45
44
0
1710年至1910年
+34.0
+32.7
+31.8
+30.5
50
48
+2
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
%
+5
-77
DBM
DBM
温度= + 25 ° C，V
BATT
=3.5V, V
坡道
=V
坡道
最大， 1710MHz至1785MHz
1850MHz至1910MHz
温度= + 85°C ，V
BATT
=3.0V,
V
坡道
= V
坡道
最大， 1710MHz至1785MHz
1850MHz至1910MHz
在P
OUT ， MAX ，
V
BATT
= 3.5V ， 1710-1785MHz
1850MHz至1910MHz
RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，并
1930MHz至1990MHZ ，P
OUT
> 5dBm的，
V
BATT
=3.5V
Tx_enable时= 0V ，磷
IN
=+5dBm
Tx_enable时=高，P
IN
=+5dBm,
V
坡道
=0.2V
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
V
坡道
-0.2V到V
RAMP最大
Spurious<-36dBm ， RBW = 3MHz的，设置V
坡道
其中，P
OUT
<32.0dBm为50Ω负载
集V
坡道
其中，P
OUT
<32.0dBm为50Ω
负载。无损坏或永久退化
要分手了。
在RF OUT引脚上的负载阻抗
总体（ DCS / PCS模式）
工作频率范围
最大输出功率
总有效率
输入功率范围
输出噪声功率
正向隔离1
正向隔离2
二次谐波
三次谐波
所有其他非谐波杂散
输入阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR稳定性
输出负载VSWR坚固
-37
-30
-1
-5
-15
-36
2.5
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
Ω
-25
-30
50
-
8:1
10:1
输出负载阻抗
注： V
坡道
Max=3/8*V
BATT
+0.18<1.5V
50
Ω
转A6 050909
2-463
QQ：2880707522 复制
