初步
RF3120
3V 1800MHZ线性放大器模块
2
典型应用
3V韩国CDMA -PCS手机
扩频系统
2
功率放大器
4.390
6.0 SQ
0.100
尺寸（mm） 。
产品说明
该RF3120是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管（ HBT）的过程中，并一直
设计用作在双模式的最终RF放大器
3V CDMA手持式数字蜂窝设备，电子数
光谱系统，并在其它应用
1750MHz至要至1780MHz频段。该RF3120具有数字
偏置控制电压在待机模式中的低电流。该
装置被自包含与50Ω的输入和输出是
相匹配，以获得最佳的功率，效率，和直链
性的特点。该模块是一款超小型
6mmx6mm栅格阵列与背面接地。
3.000
0.100
0.800平方
典型值
1.700
2.500
注意：
公称厚度，1.55毫米。
0.600
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式：末次盛冰期（ 6mmx6mm ）
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
输入/输出内部匹配50 @
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
26分贝线性增益
VCC1
1
7
GND
在RF
2
6
RF OUT
32 ％的线性效率
VREG
3
4
VMODE
5
VCC2
订购信息
RF3120
RF3120 PCBA
3V 1800MHZ线性放大器模块
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A0 010906
2-257
RF3120
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤29dBm)
控制电压（V
REG
)
初步
等级
+8.0
+4.5
+4.2
+3.5
+10
-30至+85
-30至+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
模式电压（V
模式
)
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
参数
整体
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
噪声系数
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T = 25℃ ，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.8V,
V
模式
= 2.8V ，频率= 1750MHz至要至1780MHz
除非另有说明
1750
22
1780
26
-35
-40
29
30
32
-44
<2 ： 1
10:1
6:1
8
-95
3.2
3.4
100
4.5
6
40
10
0.2
2.9
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
ACPR @ 1250kHz
没有损害。
无振荡。
dB
dBm/30kHz
V
mA
mA
s
A
V
V
在90MHz的偏移量。
电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
开/关时间
总电流（关机）
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
引脚3 ，V
REG
=2.8V
V
REG
ULOW
2.7
0
2.8
2-258
冯A0 010906
初步
针
1
2
3
4
5
6
7
PKG
BASE
功能
VCC1
在RF
VREG
VMODE
VCC2
RF OUT
GND
GND
描述
第一阶段收集器供电。低频去耦电容（例如，
4.7μF ）是必需的。
RF输入内部匹配至50Ω 。该输入在内部交流耦合。
稳压电源的放大器的偏置。
对于正常操作，V
模式
被设定为高电平。当设置LOW ： V
模式
将增加的偏置电流由约50％ ;并且，大信号
增益增加约1.5分贝。
输出级集电极供电。低频去耦电容
（例如4.7μF ）是必需的。
RF输出内部匹配至50Ω 。这个输出是内部交流耦
PLED 。
接地连接。连接到封装基地地面。为了获得最佳的perfor-
曼斯，保持身体的痕迹短并立即连接到
接地平面。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
RF3120
接口示意图
2
功率放大器
冯A0 010906
2-259
QQ：2880707522 复制
