RF2705GLow
噪音,多
模式,四核
乐队, Quadra-
TURE调制
器和PA
司机
RF2705G
低噪音,多模四频,
正交调制器和PA驱动器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 24引脚, 4x4的
模式B
模式A
我SIG
我SIG P
VCC1
24
23
22
21
20
特点
W- CDMA的高/中/低
电源模式
四频直接正交
调制器
可变增益PA驱动器
GMSK旁路放大器
LO倍频器和
分频器
基带滤波
GND
19
18
RF OUT
WB P
RF OUT
WB
RF OUT
HB P
RF OUT
HB
RF OUT
LB P
RF OUT
LB
17
16
15
14
13
12
GC
VCC2 1
注意:模头标志是
芯片的主要理由。
LO HB P 2
LO HB N 3
DIV
2
+45°
-45°
Σ
LO LB P 4
为fLO
x2
+45°
-45°
LO LB N 5
模式控制
和偏置
动力
控制
模式C 6
7
方式D
8
Q SIG
9
Q SIG P
10
VREF
11
GC DEC
应用
EDGE / GSM ( GSM850 / 900 )
手机
EDGE / GSM ( DCS / PCS )手 -
套
W- CDMA手机/数据
牌
的W-CDMA / GSM / EDGE多
模式的手机与数据
牌
功能框图
产品说明
该RF2705是一款低噪声,多模四频直接I / Q射频调制
荡器和PA驱动器,专为手机应用在多个
操作模式是必需的。倍频器,分频器和LO
缓冲器被包括以支持各种LO产生的选项。
动态功率控制是通过一个单一的模拟输入提供支持
的功率控制范围为在W-CDMA模式90分贝和功率40dB的
控制中的其它两个模式。提供了三组RF输出:
高频段和低频段的低噪声EDGE / GMSK的输出,以及一种
宽带W-CDMA的输出。该设备是专为2.7V至3.3V的操作
化,并装配在塑料, 24引脚, 4mmx4mm QFN封装。
订购信息
RF2705G
低噪声,多模式,四频,正交调制器
和PA驱动器
RF2705GPCBA - 41X完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
冯A0 DS060206
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 26
RF2705G
绝对最大额定值
参数
电源电压
储存温度
工作环境温度
输入电压,任何引脚
输入功率,任何引脚
等级
-0.5到3.6
-40到+150
-40至+85
-0.5到+3.6
+5
单位
V
°C
°C
V
DBM
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
规范
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
用调制的基带输入输出性能
低频段EDGE 8PSK模式( GSM850 / GSM900 )
模式=低带宽F
LO
X1 (见控制逻辑真值表的模式控制
设置)
参数
输出功率
与8PSK最大输出功率
调制信号*
最大VGC
最低VGC
增益范围
0
+2.5
-39
42
-37
DBM
DBM
dB
条件
V
CC
= 2.7V , T = + 25°C
同时满足频谱屏蔽
同时满足频谱屏蔽
输出功率之间的差值在GC = 2.0V
和GC = 0.2V 。
出的带外发射
频谱辐射模板*
频率间隔
200kHz
250kHz
400kHz
600kHz的到1800kHz
1800kHz到3000kHz
3000kHz到6000kHz
>6000kHz
-36
-43
-67
-73
-73
-73
-75
2
-40
4
3
-34
9
待定
待定
待定
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
dB
%
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
8PSK调制
误差矢量幅度
RMS *
原点偏移*
山顶*
输出噪声
在f
C
±20MHz*
在相对噪音:
最大增益
绝对的噪音:
最大增益
所有增益设置
-156
-154
DBM
DBM
GC = 2.0V , IQ = 0V
P-P
IQ=1.2V
P-P
8PSK
-156
-152
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
GC = 2.0V , IQ = 1.2V
P-P
8PSK
GC = 2.0V至1.4V
2 26
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
冯A0 DS060206
RF2705G
参数
一般条件
本地振荡器
LB LO输入频率
LB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
0.7
20
1.2
1.2
1.0
V
P-P
V
兆赫
dB
在20MHz OFFSET
824
824
-6.0
0.0
915
915
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
8PSK
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
用调制的基带输入输出性能
高频段EDGE 8PSK模式( DCS1800 / PCS1900 )
模式=高带宽F
LO
X1 (见控制逻辑真值表的模式控制
设置)
输出功率
与8PSK最大输出功率
调制信号*
最大VGC
最低VGC
增益范围
-1
+1.5
-40
42
-38
DBM
DBM
dB
同时满足频谱屏蔽
同时满足频谱屏蔽
输出功率之间的差值在GC = 2.0V
和GC = 0.2V 。
V
CC
= 2.7V , T = + 25°C
出的带外发射
频谱辐射模板*
频率间隔
200kHz
250kHz
400kHz
600kHz的到1800kHz
1800kHz到3000kHz
3000kHz到6000kHz
>6000kHz
-36
-43
-67
-73
-73
-73
-75
1.3
-37
3
3
-30
11
待定
待定
待定
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
dB
%
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
8PSK调制
误差矢量幅度
RMS *
原点偏移*
山顶*
输出噪声
在f
C
±20MHz*
在相对噪音:
最大增益
绝对的噪音:
最大增益
所有增益设置
*未经生产测试
-153
-151
DBM
DBM
GC = 2.0V , IQ = 0V
P-P
IQ=1.2V
P-P
8PSK
-154
-150
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
GC = 2.0V , IQ = 1.2V
P-P
8PSK
GC = 2.0V至1.4V
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3 26
RF2705G
参数
一般条件
本地振荡器
HB LO输入频率
HB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
0.7
20
1.2
1.2
1.0
V
P-P
V
兆赫
dB
在20MHz OFFSET
1710
1710
-6.0
0.0
1910
1910
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
8PSK
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
用调制的基带输入输出性能
的W-CDMA模式
模式=宽带F
LO
X2 (见控制逻辑真值表的模式控制
设置)
输出功率
最大输出功率
W- CDMA调制信号*
高功率模式
中等功率模式
3
-4
6
-1
DBM
DBM
GC=2.0V
GC=1.5V
输出功率之间的差值在GC = 2.0V
和GC = 0.2V 。
高功率模式
90
dB
电源之间切换时,增益步进
模式中的任一方向。
±0.5
待定
dB
dB
GC=1.4V
GC =待定
V
CC
= 2.7V , T = + 25 ° C,同时满足48dBc
ALCR
增益范围
增益步
高功率到中功率
中等功率到低功耗
出的带外发射
相邻信道泄漏功率
比( ALCR ) *
信道间隔
±5MHz
±10MHz
50
65
1.4
-152
-146
-146
*未经生产测试
dBc的
dBc的
RMS %
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
相对于信道功率3.84MHz的
相对于信道功率3.84MHz的
3GPP W-CDMA的
GC=2.0V
GC = 2.0V至1.5V
误差矢量幅度
RMS *
输出噪声
在f
C
±40MHz*
4 26
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RF2705G
参数
一般条件
本地振荡器
LB LO输入频率
WB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
8
10
0.8
1.2
11
V
P-P
V
兆赫
dB
在40MHz的偏移
960
1920
-10.0
0.0
990
1980
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
3GPP W-CDMA的
HQPSK , 1DPCCH + 1DPDCH
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
与CW基带输入输出性能
宽带模式
模式=宽带F
LO
X2 (见控制逻辑真值表的模式控制
设置)
VGA和PA驱动器
输出功率W- CDMA调制
有关*
输出功率CW
增益控制电压范围
增益控制范围
增益控制斜率
2
0.2
92
73
-48
-50
-50
-50
-42
-41
-38
-23
调制的三次谐波
禁止以F
C
-3x300kHz
-55
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-10
-50
5
5
8
2.0
DBM
DBM
V
dB
分贝/ V
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
输出功率之间的差值在GC = 2.0V
和GC = 0.2V
GC = 1.0V和0.5V之间计算
GC = 2.0V ,无I / Q调
GC = 1.5V ,无I / Q调
GC = 1.0V ,无I / Q调
GC = 0.5V ,无I / Q调
GC = 2.0V ,无I / Q调
GC = 1.5V ,无I / Q调
GC = 1.0V ,无I / Q调
GC = 0.5V ,无I / Q调
GC=2.0V
V
CC
= 2.7V , T = + 25 ° C, LO = 975MHz到
990MHz以-10dBm ,智商= 540mV
P-P
在**
100kHz时,除非另有说明
GC = 2.0V , IQ = 0.8V
P-P
在HQPSK
GC=2.0V
调制器
边带抑制
*
*
*
载波抑制
杂散输出
寄生输出的整数多
FLO LB的普莱斯*
FLO LB
4xFLO LB
6xFLO LB
*未经生产测试
-60.0
-14.0
-47.0
0
0
DBM
DBM
DBM
GC = 2.0V , I / Q = 540mV
P-P
在100kHz
FLO LB泄漏
载体的二次谐波
运营商的三次谐波
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7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 26
RF2705G
0
典型应用
EDGE / GSM ( GSM850 / 900 )手机
EDGE / GSM ( DCS / PCS )手机
W- CDMA手机/数据卡
产品说明
4.0
符合RoHS &无铅产品
低噪音,多模四频,
正交调制器和PA驱动器
W-CDMA / GSM / EDGE多模手机
和数据卡
-A-
-B-
1.00
0.80
该RF2705是一款低噪声,多模四频直
I / Q射频调制器和PA驱动器,设计用于手机
应用多种操作模式是
所需。倍频器,分频器和LO缓冲器
包括支持多种LO产生的
选项。动态功率控制是通过一个支承
单路模拟输入给出的功率控制范围为90分贝
功率控制中的在W-CDMA模式和40分贝
另外两种模式。提供了三组RF输出:
高频段和低频段低噪声EDGE / GMSK输出,
以及一个宽带的W-CDMA的输出。该装置是
设计为2.7V到3.3V的操作,并组装在
塑料, 24引脚, 4mmx4mm QFN封装。
0.10 C
4.0
0.10 C B
2 PL
0.10 C A
2 PL
0.2 C
阴影区域表示引脚1 。
尺寸(mm) 。
-C-
0.50 TYP
0.10 C A B
0.55
典型值
0.35
座位
飞机
规模:无
0.10 C
2.60
2 PL
2.40
0.05
典型值
0.00
0.203
典型值
0.08 C
0.30
典型值
0.18
0.10 M C A B
典型值
0.08
0.03
0.50
典型值
0.30
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
模式B
封装形式: QFN , 24引脚, 4x4的
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
特点
W- CDMA高/中/低功耗模式
四频直接正交调制器
可变增益PA驱动器
模式A
我SIG
我SIG P
VCC1
24
VCC2 1
23
22
21
20
19
RF OUT
18
WB P
GND
注意:模头标志是
芯片的主要理由。
GMSK旁路放大器
LO倍频器和分频器
基带滤波
LO HB P 2
17
RF OUT
WB
RF OUT
HB P
RF OUT
HB
RF OUT
LB P
LO HB N 3
DIV
2
+45°
-45°
16
Σ
LO LB P 4
为fLO
x2
+45°
-45°
15
LO LB N 5
模式控制
和偏置
动力
控制
14
订购信息
RF2705G
低噪声,多模式,四频,正交
调制器和PA驱动器
RF2705GPCBA - 41XFully组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
模式C 6
7
方式D
8
Q SIG
9
Q SIG P
10
VREF
11
GC DEC
12
GC
RF OUT
13
LB
功能框图
冯A0 060206
5-113
RF2705G
绝对最大额定值
参数
电源电压
储存温度
工作环境温度
输入电压,任何引脚
输入功率,任何引脚
等级
-0.5到3.6
-40到+150
-40至+85
-0.5到+3.6
+5
单位
V
°C
°C
V
DBM
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
用调制的基带输入输出性能
低频段EDGE 8PSK模式( GSM850 / GSM900 )
参数
输出功率
最大输出功率
8PSK调制信号*
最大VGC
最低VGC
增益范围
0
+2.5
-39
42
单位
条件
模式=低带宽F
LO
X1 (见控制逻辑真值表的模式控制设置)
V
CC
= 2.7V , T = + 25°C
-37
DBM
DBM
dB
同时满足频谱屏蔽
同时满足频谱屏蔽
输出功率之间的差值
GC = 2.0V和GC = 0.2V 。
出的带外发射
频谱辐射模板*
频率间隔
200kHz
250kHz
400kHz
600kHz的到1800kHz
1800kHz到3000kHz
3000kHz到6000kHz
>6000kHz
-36
-43
-67
-73
-73
-73
-75
2
-40
4
待定
待定
待定
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
dB
%
误差矢量幅度
RMS *
原点偏移*
山顶*
3
-34
9
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
8PSK调制
输出噪声
在f
C
±20MHz*
在相对噪音:
最大增益
绝对的噪音:
最大增益
所有增益设置
-156
-152
-156
-154
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
DBM
DBM
GC = 2.0V , IQ = 1.2V
P-P
8PSK
GC = 2.0V至1.4V
GC = 2.0V , IQ = 0V
P-P
IQ=1.2V
P-P
8PSK
一般条件
本地振荡器
LB LO输入频率
LB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
*未经生产测试
824
824
-6.0
915
915
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
V
P-P
V
兆赫
dB
8PSK
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
0.0
1.2
1.2
1.0
0.7
20
在20MHz OFFSET
5-114
冯A0 060206
RF2705G
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
用调制的基带输入输出性能
高频段EDGE 8PSK模式( DCS1800 / PCS1900 )
参数
输出功率
最大输出功率
8PSK调制信号*
最大VGC
最低VGC
增益范围
-1
+1.5
-40
42
DBM
DBM
dB
单位
条件
模式=高带宽F
LO
X1 (见控制逻辑真值表的模式控制设置)
V
CC
= 2.7V , T = + 25°C
-38
同时满足频谱屏蔽
同时满足频谱屏蔽
输出功率之间的差值
GC = 2.0V和GC = 0.2V 。
出的带外发射
频谱辐射模板*
频率间隔
200kHz
250kHz
400kHz
600kHz的到1800kHz
1800kHz到3000kHz
3000kHz到6000kHz
>6000kHz
-36
-43
-67
-73
-73
-73
-75
1.3
-37
3
待定
待定
待定
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
dB
%
误差矢量幅度
RMS *
原点偏移*
山顶*
3
-30
11
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
30kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
100kHz的带宽
8PSK调制
输出噪声
在f
C
±20MHz*
在相对噪音:
最大增益
绝对的噪音:
最大增益
所有增益设置
-154
-150
-153
-151
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
DBM
DBM
GC = 2.0V , IQ = 1.2V
P-P
8PSK
GC = 2.0V至1.4V
GC = 2.0V , IQ = 0V
P-P
IQ=1.2V
P-P
8PSK
一般条件
本地振荡器
HB LO输入频率
HB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
*未经生产测试
1710
1710
-6.0
1910
1910
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
V
P-P
V
兆赫
dB
8PSK
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
0.0
1.2
1.2
1.0
0.7
20
在20MHz OFFSET
冯A0 060206
5-115
RF2705G
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
用调制的基带输入输出性能
的W-CDMA模式
参数
输出功率
最大输出功率
W- CDMA调制信号*
高功率模式
中等功率模式
单位
条件
模式=宽带F
LO
X2 (见控制逻辑真值表的模式控制设置)
V
CC
= 2.7V , T = + 25 ° C,同时满足48dBc
ALCR
3
-4
6
-1
DBM
DBM
增益范围
高功率模式
90
dB
GC=2.0V
GC=1.5V
输出功率之间的差值
GC = 2.0V和GC = 0.2V 。
电源之间切换时,增益步进
模式中的任一方向。
GC=1.4V
GC =待定
增益步
高功率到中功率
中等功率到低功耗
±0.5
待定
dB
dB
出的带外发射
邻道泄漏
功率比( ALCR ) *
信道间隔
±5MHz
±10MHz
50
65
1.4
-152
-146
-146
dBc的
dBc的
RMS %
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
相对于信道功率3.84MHz的
相对于信道功率3.84MHz的
3GPP W-CDMA的
GC=2.0V
GC = 2.0V至1.5V
误差矢量幅度
RMS *
输出噪声
在f
C
±40MHz*
一般条件
本地振荡器
LB LO输入频率
WB RF输出频率
输入功率
IQ基带输入
智商水平
智商共模
输入带宽
基带滤波器衰减
*未经生产测试
960
1920
-10.0
990
1980
+3.0
兆赫
兆赫
DBM
3GPP W-CDMA的
HQPSK , 1DPCCH + 1DPDCH
输入IQ信号采用差分驱动和
正交。
0.0
0.8
1.2
11
V
P-P
V
兆赫
dB
8
10
在40MHz的偏移
5-116
冯A0 060206
RF2705G
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
与CW基带输入输出性能
宽带模式
参数
VGA和PA驱动器
输出功率W- CDMA调制
有关*
输出功率CW
增益控制电压范围
增益控制范围
增益控制斜率
5
2
0.2
5
92
73
-48
-50
-50
-50
-42
-41
-38
-23
-55
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-10
-50
8
2.0
DBM
DBM
V
dB
分贝/ V
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
单位
条件
模式=宽带F
LO
X2 (见控制逻辑真值表的模式控制设置)
V
CC
= 2.7V , T = + 25 ° C, LO = 975MHz到
990MHz以-10dBm ,智商= 540mV
P-P
在**
100kHz时,除非另有说明
GC = 2.0V , IQ = 0.8V
P-P
在HQPSK
GC=2.0V
输出功率之间的差值
GC = 2.0V和GC = 0.2V
GC = 1.0V和0.5V之间计算
GC = 2.0V ,无I / Q调
GC = 1.5V ,无I / Q调
GC = 1.0V ,无I / Q调
GC = 0.5V ,无I / Q调
GC = 2.0V ,无I / Q调
GC = 1.5V ,无I / Q调
GC = 1.0V ,无I / Q调
GC = 0.5V ,无I / Q调
GC=2.0V
调制器
边带抑制
*
*
*
载波抑制
调制的三次谐波
禁止以F
C
-3x300kHz
杂散输出
寄生输出的整数多
FLO LB的普莱斯*
FLO LB
4xFLO LB
6xFLO LB
GC = 2.0V , I / Q = 540mV
P-P
在100kHz
-60.0
-14.0
-47.0
+11.5
+20
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
FLO LB泄漏
载体的二次谐波
运营商的三次谐波
I/Q=100kHz
GC = 2.0V 。从IM3推断有两个
基带音在90KHz的和110kHz
差分应用,正交,在两个我
和Q输入,每个音调的400mV
P-P
.
GC=2.0V
0
0
输出压缩
输出P1dB为*
互
输出IP3 *
交调IM3基调
F
C
+为70kHz和F
C
+130kHz
相对于音频信号音
F
C
+ 90KHz的和F
C
+110kHz
-37
dBc的
-40
dBc的
GC=1.5V
*未经生产测试
**提供相同的输出功率作为调制信号具有相关联的波峰因数。
冯A0 060206
5-117