RF2480
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+7.5
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
载波输入
频带
功率级
输入VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800
-6
4.5:1
2:1
2:1
DC
3.0
V
REF
±1.0
0.2
3
30
40
-3
-6
0
-5
+2
250
2500
+6
单位
兆赫
DBM
条件
T = 25℃ ，V
CC
=5V
在900MHz无与伦比
在1800MHz的无与伦比
在2500MHz的无与伦比
兆赫
V
V
dB
°
kΩ
μA
DBM
DBM
LO = 800MHz的， -5dBm ; SSB
TETRA I&Q振幅= 2V
PP
在工作温度。
TETRA I&Q幅度= 1.1V
PP
有
ACPR -47dBc的。在工作温度
真实存在。
TETRA调制与应用
P
OUT
= -5dBm 。在工作温度。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
在-6dBm / 2kHz的音调偏移（在9kHz ， 11KHZ ） 。
在工作温度。
未经调整的表现。
未经调整的表现。
26MHz的与TETRA信号施加偏置
P
OUT
=-5dBm.
调制输入
频带
参考电压（V
REF
)
最大调制（ I&Q ）
增益不对称
正交相位误差
输入阻抗
输入偏置电流
射频输出（ 800MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
邻道
电源抑制
输出P1dB为
IM3抑制
IM5抑制
IM7抑制
载波抑制
边带抑制
宽带本底噪声
-47
+2
-39
-49
-49
-25
-25
-52
+3
-40
-59
-71
-30
-30
-150
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
-145
5-24
转A4 060329
RF2480
参数
射频输出（ 900MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
0
50
+4
-11
DBM
DBM
dB
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
LO = 880MHz ， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm （满足CDMA基站
站要求）;优化的I ，Q DC摘
套
温度过高（温度从循环
-40 ° C至+ 85°C优化后的
中T = 25 ℃; P
OUT
=-11dBm)
中T = 25 ℃; P
OUT
= -11dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
温度过高（温度从循环
-40 ° C至+ 85°C优化后的
中T = 25 ℃; P
OUT
=-11dBm)
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
:
ISIG ， QSIG ， IREF和QREF 。
LO = 2000MHz的， -5dBm ; SSB
I&Q振幅= 2V
PP
I&Q振幅= 0.325V
PP
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
从-40 ° C的温度循环至+ 85°C
在T优化后= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
中T = 25 ℃; P
OUT
= -17dBm ;优化的I ，Q DC
OFFSETS
从-40 ° C的温度循环至+ 85°C
在T优化后= 25°C ; P
OUT
=-17dBm
在20MHz偏移，V
CC
= 5V ;连接到V
REF
:
ISIG ， QSIG ， IREF和QREF 。
35
dB
边带抑制
50
35
dB
dB
输出阻抗
宽带本底噪声
13-j:25
-153.0
Ω
dBm / Hz计
射频输出（ 2000MHz的）
最大输出功率
高线性输出功率
载波抑制
-7
50
35
边带抑制
50
40
输出阻抗
宽带本底噪声
58-j11
-158.0
-3
-17
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
Ω
dBm / Hz计
掉电
开/关时间
PD输入电阻
功率控制“开”
功率控制“关”
100
50
2.8
1.0
1.2
5
4.5
当前
50
25
6.0
ns
kΩ
V
V
V
V
mA
μA
阈值电压
阈值电压
特定网络阳离子
操作限制
操作
掉电
电源
电压
转A4 060329
5-25
RF2480
针
1
功能
I REF
描述
参考电压的I混频器。此电压应相同
提供给I SIG销的直流电压。 3.0V的电压是中建议
谁料。的SIG和REF输入是一个差分放大器的输入。
因此，在REF和SIG输入是可以互换的。如果换了
我SIG与I REF引脚，则Q SIG和Q REF也需要被交换
保持正确的相位。另外，也可以驱动SIG与
REF输入端以平衡的方式。这将增加的增益。
为了获得最佳的载波抑制，对我REF ，Q REF ，我直流电压
SIG和Q SIG应略作调整，以补偿固有
不需要内部直流偏移;最佳边带抑制，
上IREF ，Q REF的相位和信号幅度，我SIG和Q SIG应
稍微调整以补偿不需要的固有内部摘
集。见RFMD AN0001的更多细节。
参考电压为Q混频器。此电压应相同
提供给Q SIG销的直流电压。 3.0V的电压是中建议
谁料。见引脚1的更多细节。
接口示意图
我SIG
100
Ω
I REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
2
Q REF
Q SIG
100
Ω
Q REF
100
Ω
425
Ω
425
Ω
3
4
5
6
7
8
GND2
GND2
GND2
LO
VCC1
PD
在LO移相网络的接地连接。该引脚应
直接连接到接地平面。
一样的3脚。
一样的3脚。
所述移相网络的输入端。该引脚有一个内部DC
隔直电容。此端口的电压驱动，匹配不同
的频率并不需要。
电源除了为RF输出级的电路。外部
电容器是必要的，如果没有其他低频旁路电容器是
酒店附近。
掉电控制。当该引脚为"low" ，所有的电路都切断。一
"low"通常是1.2V或更低，在室温temperature.When该引脚为
"high" （V
CC
） ，所有的电路都工作正常。如果PD低于V
CC
，输出
把功率和性能会下降。工作在这个区域
不推荐使用，虽然它可能在某些应用中是有用
当需要的功率控制。
RF输出。该引脚有一个内部隔直电容。在某些频
quencies ，外部匹配，可能需要优化的输出功率。
LO
V
CC
200
Ω
PD
9
RF OUT
RF OUT
10
11
12
13
14
GND3
VCC2
GND1
GND1
GND1
接地连接的RF输出级。该引脚应CON
直接，连接到该接地平面。
电源为RF输出放大器。一个外部电容
如果没有其他的低频旁路电容器附近是必要的。
对于LO和基带放大器的接地连接，并为
混频器。该引脚应直接连接到接地平面。
同销12 。
同销12 。
5-26
转A4 060329
QQ：2880707522 复制
