RF2442
高线性度低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： MSOP - 8
特点
低噪声，高拦截
点
外部偏置控制
单一2.5V至5.0V电源
供应
为500MHz至2500MHz操作
化
非常小的MSOP- 8
包
VCC1 1
GND1 2
RF IN 3
4 GND2
8 VCC2
7 NC
6 RF输出
5 NC
应用
TDMA / CDMA / FM接收蜂窝
LNA
TDMA / CDMA PCS接收LNA
低噪声发送驱动器
扩音器
ISM频段LNA /驱动器
通用扩增
化
商业和消费
系统
功能框图
产品说明
的RF2442是一个低噪声放大器，具有非常高的动态范围
设计用于数字蜂窝应用在接收前端
900兆赫， 1900兆赫，和2400MHz的。它被设计用于扩增低电平显
的NAL与同时在恶劣的，互操作的最小噪声贡献
ference丰富的环境新部署的数字用户单位。该
装置还充当一个优秀的PA驱动放大器在发射
数字用户单元链中的低发射功率的噪声是一个反面
欧洲核子研究中心。该器件支持线性度和电流消耗之间的平衡。
设计者这种权衡与外部的选择控制
偏置电阻。该IC的特点是在一个标准的微型8引脚塑料
MSOP封装。
订购信息
RF2442
RF2442 PCBA -L
RF2442 PCBA -M
RF2442 PCBA -H
高线性度低噪声放大器
完全组装的评估板（ 900MHz的）
完全组装的评估板（ 1900MHz的）
完全组装的评估板（ 2400MHz的）
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转B8 DS080128
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
RF2442
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
RF频率范围
分钟。
规范
典型值。
500至2500
马克斯。
单位
兆赫
条件
需要1GHz以下输入调谐电感
原理图评估板L（
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 881MHz
881MHz的性能
收益
18
17
16
输出P1dB为
输出IP3
+21
+16
+10
噪声系数
20
19
18
+13
+11
+27
+22
+16
1.6
1.5
1.4
反向隔离
22
22
21
24
24
23
2.5
2.5
2.5
22
21
20
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
原理图评估板M（
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 1960MHz
1960MHz性能
收益
10
10
10
输出P1dB为
输出IP3
+20
+15
+9
噪声系数
12
12
12
+16
+13
+26
+21
+15
1.6
1.5
1.4
反向隔离
18
20
2.3
2.1
2.0
14
14
14
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转B8 DS080128
RF2442
参数
1960MHz的性能，续。
17
17
19
19
dB
dB
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
原理图评估板H（R
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 2400MHz的
7
7
6
输出IP3
+20
+15
+9
噪声系数
9
9
8
+26
+21
+15
1.6
1.5
1.4
反向隔离
16
16
16
17
17
17
2.5 5.0
17
10
7
19
12
9
30
23
20
2.5
2.3
2.1
11
11
10
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
mA
mA
mA
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
T=25°C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
2400MHz的性能
收益
电源
电压
消耗电流
转B8 DS080128
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2442
针
1
功能
VCC1
描述
电源电压的低噪声放大器。外部RF和IF旁路是必需的。该
引脚和旁路电容之间的走线长度应迷你
而得到优化。旁路电容的接地端应该连接被立即
ately到地平面。该引脚连接到引脚8通过一个150Ω的电阻。
这允许收集在销6的简单的偏置参考应用
原理图1和图3 。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
射频输入引脚。该引脚在内部DC-受阻，匹配到50Ω的频
quencies 1GHz以上。当使用1GHz以下，则建议
该引脚与系列电感匹配串共鸣出接口
最终隔直电容。参考应用原理图1和图2 。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
无连接。该引脚通常悬空或接地。
LNA输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须被偏置到
无论是V
CC
或销8通过一个扼流器或匹配电感。该引脚为典型
美云匹配到50Ω与分流偏置/匹配电感和串联
阻塞/匹配电容。请参考应用电路图。
无连接。该引脚通常悬空或接地。
可选的偏置引脚6，该引脚连接到电源连接
1脚通过一个150Ω的电阻。这允许collec-的简单的偏置
器引脚6.使用时，该引脚应的射频旁路。请参阅应用
化原理图1和图3 。
见3脚。
接口示意图
150
Ω
VCC1
BIAS
VCC2
2
3
GND1
在RF
偏置电路
LNA输出
在LNA
4
5
6
GND2
NC
RF OUT
7
8
NC
VCC2
见引脚1 。
封装图
0.192
± 0.008
0.012
0.006
± 0.003
-A-
0.0256
0.118
± 0.004平方
6 °最大
0 ° MIN
0.034
0.021
± 0.004
0.006
± 0.002
阴影铅引脚1 。
4 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转B8 DS080128
RF2442
评估板电路图（长板）
900兆赫
C1
1 nF的
VCC
C2
22 pF的
1
L2
8.2 nH的
C5
1.5 pF的
2
3
4
2442401-
8
7
6
5
C4
1.5 pF的
L1
15 nH的
C3
22 pF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
R1
0
Ω
J1
在RF
50
Ω μstrip
评估板电路图（M主板）
= 1900 MHz的
C1
1 nF的
VCC
C2
22 pF的
1
2
J1
在RF
50
Ω μstrip
3
4
6
5
C4
1.0 pF的
2442400B
8
7
L1
4.7 nH的
C3
22 pF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
R1
0
Ω
评估板电路图（H板）
2400兆赫
C1
1 nF的
VCC
C2
22 pF的
1
2
J1
在RF
50
Ω μstrip
3
4
6
5
C4
0.5 pF的
2442402-
8
7
L1
3.9 nH的
C3
22 pF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
R1
0
Ω
转B8 DS080128
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2442
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
RF频率范围
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
500至2500
单位
兆赫
条件
需要1GHz以下输入调谐电感
原理图评估板L（
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 881MHz
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
原理图评估板M（
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 1960MHz
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
881MHz的性能
收益
18
17
16
20
19
18
+13
+11
+27
+22
+16
1.6
1.5
1.4
24
24
23
22
21
20
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
输出P1dB为
输出IP3
+21
+16
+10
噪声系数
2.5
2.5
2.5
反向隔离
22
22
21
1960MHz性能
收益
10
10
10
12
12
12
+16
+13
+26
+21
+15
1.6
1.5
1.4
20
19
19
14
14
14
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
输出P1dB为
输出IP3
+20
+15
+9
噪声系数
2.3
2.1
2.0
反向隔离
18
17
17
4-492
转B7 060918
RF2442
参数
2400MHz的性能
收益
7
7
6
+20
+15
+9
9
9
8
+26
+21
+15
1.6
1.5
1.4
17
17
17
2.5 5.0
19
12
9
11
11
10
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
V
mA
mA
mA
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
原理图评估板H（R
C
=0),
T = 25 ° C， RF = 2400MHz的
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
T=25°C
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.5V
输出IP3
噪声系数
2.5
2.3
2.1
反向隔离
16
16
16
电源
电压
消耗电流
17
10
7
30
23
20
转B7 060918
4-493
RF2442
针
1
功能
VCC1
描述
电源电压的低噪声放大器。外部RF和IF旁路是必需的。
销和旁路电容之间的走线长度应
最小化。旁路电容的接地端应该连接
马上到地平面。该引脚连接到引脚8通过
150Ω电阻。这允许收集器中的针6的简单的偏置。
请参阅应用原理图1和3 。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
射频输入引脚。该引脚在内部DC-受阻，匹配到50Ω的
频率1GHz以上。当使用1GHz以下，则建议
该引脚与串联电感匹配串联谐振出来
内部隔直电容。请参阅应用原理图1和
2.
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
无连接。该引脚通常悬空或接地。
LNA输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须被偏置
在V
CC
或销8通过一个扼流器或匹配电感。该引脚
通常匹配到50Ω与分流偏置/匹配电感和
系列闭锁/匹配电容。请参考应用电路图。
无连接。该引脚通常悬空或接地。
可选的偏置引脚6，该引脚连接电源连接
引脚1通过一个150Ω的电阻。这允许简单的偏置
集电极引脚6.使用时，该引脚应的射频旁路。请参阅
应用原理图1和图3 。
见3脚。
接口示意图
150
Ω
VCC1
BIAS
VCC2
2
3
GND1
在RF
偏置电路
LNA输出
在LNA
4
5
6
GND2
NC
RF OUT
7
8
NC
VCC2
见引脚1 。
4-494
转B7 060918
QQ：2881677436 复制
