RF2423
5
典型应用
数字和模拟通信系统 GMSK ， QPSK ， DQPSK ， QAM调制
扩频通信系统 AM ，SSB ， DSB调制
- 便携式电池供电设备
100mW的扩频发射机IC
D
E
S
IG
N
S
.157
.150
.018
.014
产品说明
N
E
W
该RF2423是单片集成的发射器IC
能够通用的直接调制的UHF AM， PM的，
或复合载体。该发射机可使用
单机用于要求不大于应用
100mW的输出功率，或者可以被用来驱动一个最后
功率放大器。的最大输出电平是在100mW ，
并且是可调节的过25分贝范围由单个正
电压。这种低成本的IC实现差异amplifi-
器的调制输入端， 90度的载波相位
移网络，运营商限幅放大器，两个匹配dou-
布莱平衡混频器，可变增益放大器求和的
电平控制，以及100mW的线性（ AB类）输出扩增
费里。
.010
.004
1
5
调制器和
上变频器
.393
.386
.050
.244
.228
.065
.043
8 μMAX
0°MIN
.050
.016
.010
.007
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
砷化镓HBT
的SiGe HBT
硅CMOS
!
砷化镓MESFET
封装形式： SOP- 16
特点
单5V电源
100mW的输出功率， 50Ω
25分贝增益控制范围
出色的相位&幅度平衡
数字控制待机模式
800MHz至1000MHz的运行
GC
相
VDD1
FO
R
1
2
3
4
5
6
7
8
动力
控制
-45°
+45°
16 STAND BY
15 VDD2
14 VDD3
13 GND3
12 RF OUT
11 GND4
10 Q REF
9 Q SIG
N
O
T
GND2
罗在
GND1
I REF
我SIG
Σ
订购信息
RF2423
RF2423 PCBA
100mW的扩频发射机IC
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A3 001218
5-35
RF2423
绝对最大额定值
参数
电源电压
掉电电压（V
PD
)
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+7.5
V
DD
+0.4
+6
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
载波输入（ LO IN）
频带
功率级
输入阻抗
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800至1000
0至6
55-j120
DC至100
2.0 3.0
V
REF
±2
V
REF
±2.5
±3
3000
40
单位
兆赫
DBM
条件
T为25 ° C，V
DD
=5.3V, V
GC
=5.3V
5
调制器和
上变频器
调制输入
频带
参考电压（V
REF
)
调制输出为100mW
功率（我& Q）
最大调制（我& Q）
正交相位误差
输入阻抗
直流偏置（我& Q）
输出功率
输出阻抗
输出VSWR
二次谐波输出
其它谐波输出
边带抑制
载波抑制
+22
-15
N
E
W
25
22
+22
-10
50
2:1
-45
<-20
35
30
25
1至4
<1.5
<100
>50
V
CC
0
5
4.5 6.0
110
50
2
60
RF输出
FO
R
输出电平控制
N
O
T
控制范围
控制电压
控制输入电流
待机模式
开/关时间
待机输入阻抗
关机“ON”
关机“OFF”
电源
电压
当前
5-36
D
E
S
IG
N
S
915MHz
兆赫
V
V
V
°
mV
200
+5
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dB
dB
V
收益
=0V
dB
V
mA
ns
k
V
V
V
V
mA
mA
mA
170
20
V
DD
= 5.3V ， VGC = 5.3V ， LO功率为0dBm = ，
LO频率为915MHz的， SSB ， I / Q = 2.0V
P
正弦波，V
REF
=3V
调制的DC偏移可以是从外部
最佳的抑制调节。支架
抑制是然后通常优于
40dB.
阈值电压;部分被置于“ ON”位置
阈值电压;一部分被置于“OFF ”
特定网络阳离子
操作限制
其中， 100mW的输出功率
其中，最小输出功率
待机模式
转A3 001218
RF2423
针
1
功能
GC
描述
增益RF放大器的控制权。该引脚可用于控制输出
把权力过25分贝范围。输出功率为最低时的
控制电压为1V或更低，并且当设定为4V或更高的最高水平。
当一个固定的最大输出电平是必要的，则建议
该引脚连接到VDD 。
接口示意图
5 k
GC
10 k
2
相
3
VDD1
4
5
GND2
罗在
6
7
GND1
I REF
FO
R
接地连接的基带， LO和混频器电路。保持
身体的痕迹短并立即连接到地平面的
最佳的性能。
参考电压的I混频器。此电压应相同
提供给I SIG销的直流电压。以获得一种载体suppres-
更好的锡永25dB以上它可以被调谐± 0.15V （相对于我SIG
直流电压）。如果不调整，这通常是25dB以上为佳。输入
该引脚的阻抗大约的3kΩ 。
N
E
W
该引脚用于调节I / Q信号的相位。然而，控制是
非常敏感，难以控制。控制电压变化的几
度调整为10mV的顺序。设备到设备和温
perature变化不定性。因此，它是不推荐
谁料使用这个密码;离开它没有连接。不要将其连接到
地面上。在我的补偿误差较大/ Q信号提供给
设备或控制回路，该引脚可证明是有用的。
电源以外的射频输出级的电路。这是中建议
谁料把该引脚上的一些RF去耦，虽然它并不重要。
如果没有其他的低频可选0.1μF的电容是必需的
旁路电容就在附近。
接地连接的增益控制RF放大器。保持走线
身体短而立即连接到地平面的最佳per-
性能。
调制器的LO输入。一系列22nH电感可以用于匹配。
此引脚无内部直流阻塞。外部隔直电容
如果该引脚被连接到具有直流本设备必须被提供。一
直流通路到地（即电感器或电阻接地） ，然而，
在接受该引脚。如果一个阻塞电容是必需的，其值为
33pF的建议。
相
D
E
S
IG
N
S
5
调制器和
上变频器
4 k
我SIG
2 k
1 k
Q SIG
2 k
1 k
罗在
I REF
2 k
1 k
8
我SIG
N
O
T
9
Q SIG
基带输入到I混频器。该引脚的直流耦合。最大输出
当输入信号具有一个峰值到峰值振幅功率得到
5V的。提供给该引脚的DC电平应VDD2 / 2 。输入阻抗
该引脚的ANCE约的3kΩ 。
基带输入到Q混频器。该引脚的直流耦合。最大输出
当输入信号具有的峰 - 峰扩增把功率得到
突地5V的。提供给该引脚的DC电平应VDD2 / 2 。输入
该引脚的阻抗大约的3kΩ 。
Q REF
2 k
1 k
10
Q REF
参考电压为Q混频器。此电压应相同
提供给Q SIG销的直流电压。以获得一种载体suppres-
更好的锡永25dB以上它可以被调谐± 0.15V （相对于Q SIG
直流电压）。如果不调整它通常是25dB以上为佳。输入
该引脚的阻抗大约的3kΩ 。
转A3 001218
5-37
RF2423
针
11
功能
GND4
描述
接地连接的RF驱动器和输出级。保持走线
身体短而立即连接到地平面的最佳per-
性能。有了这个引脚上的良好接地是非常
由于连接到该管脚的电路高RF电平非常重要的。
50Ω RF输出。该引脚内部没有DC封锁和外部
需要22pF电容的隔直电容。
接口示意图
12
RF OUT
V
DD
RF OUT
13
GND3
5
调制器和
上变频器
14
VDD3
15
VDD2
16
待机
N
O
T
5-38
FO
R
N
E
W
接地连接的RF驱动器和输出级。保持走线
身体短而立即连接到地平面的最佳per-
性能。有了这个引脚上的良好接地是非常
由于连接到该管脚的电路高RF电平非常重要的。
电源为RF输出级。一个33pF的外部旁路电容
器是必需的和可选的0.1μF将被要求，如果没有其他的低频
昆西旁路电容都在附近。引脚之间的走线长度
和旁路电容应尽量减少。的接地侧
旁路电容应立即连接到地平面。
具有良好绕过这个引脚是特别重要的，因为
高水平的射频信号，连接到该管脚的电路。
电源为RF驱动器级。一个33pF的外部旁路电容
是必需的和可选的0.1μF将被要求，如果没有其他的低频
昆西旁路电容是由附近。之间的走线长度
引脚和旁路电容应尽量减少。的接地侧
旁路电容应立即连接到地平面。
具有良好绕过这个引脚是特别重要的，因为
高水平的射频信号，连接到该管脚的电路。
待机模式控制。当此管脚为0V所有电路被关断，
而当该引脚为VDD所有电路都工作。这是一个高
阻抗输入，在内部连接到的几个晶体管的栅极。
为了最大限度地减少电流消耗的省电模式时，该引脚应
尽可能接近于0V，如可能的，甚至是小负。开启电压
该电路的一些部分可能会低至0.0V。为了为最大，
迈兹输出功率该引脚应尽可能接近VDD尽可能很好地协同
荷兰国际集团正常运行。
D
E
S
IG
N
S
转A3 001218
RF2423
应用原理
CMOS
收益
控制
V
DD
100 nF的
4
22 nH的
LO输入
V
REF
R
R
C
我输入
C
注1 ：
8
7
5
6
-45°
1
2
3
动力
控制
16
15
注1
14
13
12
11
10
9
注1
100 nF的
待机
V
DD
100 nF的
D
E
S
IG
N
S
22 pF的
+45°
RF输出
V
REF
R
5
Q输入
Σ
C
C
33 pF的电容贴片安装尽可能靠近封装引脚越好，接地
通过经由到接地平面，使电感最小。
R和C的值依赖于基带信号的最低频率。
注2 ：
N
O
T
转A3 001218
FO
R
N
E
W
5-39
调制器和
上变频器
R
QQ：2880707522 复制
