RF2418
8
典型应用
UHF数字和模拟接收器
数字通信系统
商业和消费系统
433和915 MHz ISM频段接收器
低电流低噪声放大器/混频器
扩频通信系统通用变频
产品说明
该RF2418是一个单片集成UHF接收器
前端。该IC包含所有必需的组件
实现接收机的射频功能，除了
无源滤波和LO产生。它包含一个
LNA （低噪声放大器） ，一个第二RF放大器，一个双
栅砷化镓场效应管混频器，以及IF输出缓冲放大器
这将驱动50Ω负载。此外，在IF缓冲
放大器可以被禁用，高阻抗输出
为便于匹配IF滤波器具有高阻抗
元代。在LNA的输出被提供作为一个
输出允许之间的带通滤波器的插入
LNA和射频/混频器部分。可以将LNA节
通过除去VDD1连接到IC被禁用。
0.156
0.148
.018
.014
0.010
0.004
0.347
0.339
0.050
0.252
0.236
0.059
0.057
8 MAX
0 ° MIN
8
0.010
0.007
0.0500
0.0164
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
砷化镓HBT
的SiGe HBT
硅CMOS
ü
砷化镓MESFET
封装形式： SOIC -14
特点
单3V至6.5V电源
高动态范围
LNA
LNA IN 1
GND 2
VDD1 3
VDD2 4
10pF
如果BYP 5
IF2 OUT 6
IF1 OUT 7
10 GND
12月9日
混频器
8罗在
14 LNA OUT
低电流消耗
13 GND
12 GND
11 RF IN
高LO隔离
LNA掉电模式的大信号
射频放大器
卜FF器
订购信息
RF2418
RF2418 PCBA
低电流低噪声放大器/混频器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A6 010717
8-35
前端
RF2418
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5 7
+6
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
RF频率范围
级联功率增益
级联IP
3
级联噪声系数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
400至1100
23
-13
2.4
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
= 5V ， RF = 850MHz的，
LO=921MHz
兆赫
dB
DBM
dB
高阻抗输出
参考输入
单边带，包括图像过滤器
1.0分贝插入损耗
第一部分（ LNA ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
收益
反向隔离
输出VSWR
1.8
1.5:1
+4.0
14
40
1.5:1
2.0
dB
随着外部串联匹配电感
DBM
dB
dB
高阻抗输出
9.5
1.5:1
+1
9
4000||10pF
dB
DBM
dB
单边带
随着外部串联匹配电感
+3.0
13
8
前端
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF1 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换功率增益
输出阻抗
7
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF2 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换增益
输出阻抗
10
1.5:1
0
6
30
300至1200
-6到+6
15
40
1.3:1
dB
DBM
dB
兆赫
DBM
dB
dB
集电极开路
缓冲输出， 50Ω负载
单边带
随着外部串联匹配电感
-0.5
5
LO输入
LO频率
罗级别
LO至RF抑制
LO至IF抑制
LO输入VSWR
与连接到接地引脚5 。
为了实现低的电压驻波比匹配于
这个输入，一个82Ω电阻连接到地是
平行放置，在此端口。
电源
电压
消耗电流
3.0
12
6
14
20
9
6.5
26
20
V
mA
mA
mA
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，缓冲关
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，在缓冲区
V
CC
= 5.0V ，低噪声放大器关闭，调音台，缓冲关
8-36
转A6 010717
RF2418
针
1
功能
在LNA
描述
一系列10nH到匹配电感必须达到规定的增益
和噪声系数在900MHz 。该引脚在内部没有DC-受阻。一
如果该引脚被连接到外部隔直电容，必须提供
设备与DC存在。直流接地路径（即电感或电阻
器接地） ，然而，在接受该引脚。如果一个阻塞电容
是必需的，则建议22pF的值。
接口示意图
在LNA
2
3
GND
VDD1
接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
电源电压为仅LNA 。一个22pF的外部旁路电容
必需的，如果没有其他的低频率的附加0.01μF需要
旁路电容是由附近。引脚之间的走线长度
旁路电容应尽量减少。的接地侧
旁路电容应立即连接到地平面。
对于较大的输入信号， VDD1可能会断开连接，从而在
LNA增益为+ 11分贝变为-26dB和漏电流的降低了
荷兰国际集团通过4毫安。如果LNA永远不会需要使用，那么该引脚可
悬空或接地，管脚11被用作第一输入。
电源为IF缓冲放大器。如果高阻抗混合器
输出正被使用，则该引脚不连。
如果此引脚接地，内部10pF的电容所配置
连接的与所述混频器的输出并联连接。该电容器用作
劳陷阱，这减少了劳的量中频放气通过与预
通风口高振电压在混频器输出降低混频器的
动态范围。在较高的中频频率，这种电容，以及
寄生电容的布局，应当平行共振出来的
选择引脚7偏置电感值如果内部电容不
连接到地，缓冲放大器可以变得不稳定。一
10pF的电容应在输出端加入到维护缓冲区
稳定，但收益也不会显著影响。
50Ω缓冲（开放源码）输出端口，两个输出选项之一。针
7必须有一个偏置电阻到V
DD
和脚6上必须有一个偏置电阻
接地（见缓冲输出应用原理图） ，以便把
缓冲放大器上。漏电流将增加约
8毫安在5V ，并约5毫安在3V 。所以建议
这些偏置电阻小于1kΩ的。
高阻抗（漏极开路）输出端口，两个输出选项之一。
该引脚必须连接到V
DD
通过在一个电阻器或电感器
订购偏置混频器，使用IF2输出时也是如此。此外，一个
0.01μF旁路电容是必需的偏置电阻器的另一端
或电感器。旁路电容的接地侧应该连接
马上到地平面。该输出用于驱动高
阻抗中频滤波器。推荐的匹配网络分流L时，
C系列（见应用原理，高阻抗输出） 。这
拓扑将提供配套，偏置和DC-阻塞。
混频器的LO输入。高通匹配网络，例如单个分流
电感器（如图中的应用原理图） ，是推荐的
拓扑结构，因为它也拒绝中频噪声混频器的输入。这种过滤
须达到指定的噪声数字。该引脚不间
应受DC-受阻。外部隔直电容的话，必须提供
该引脚被连接到具有直流本的装置。对地直流路径
（例如电感器或电阻接地） ，然而，可以接受的，在此
引脚。如果一个阻塞电容是必需的， 22pF的值是中建议
谁料。
连接外部旁路电容的混频器的RF输入
前置放大器。 1000pF的建议。引脚之间的走线长度
和电容应尽量减少。旁路的接地侧
电容应立即连接到地平面。
4
5
VDD2
如果BYP
8
前端
6
IF2 OUT
IF2 OUT
7
IF1 OUT
IF1 OUT
8
罗在
罗在
9
RF BYP
转A6 010717
8-37
RF2418
针
10
11
功能
GND
在RF
描述
相同引脚2 。
混频器的RF输入端口。对于一个50Ω的匹配在900MHz使用15nH系列
电感器。该引脚在内部没有DC-受阻。外部封锁
如果该引脚被连接到与直流设备电容器必须提供
目前。直流接地路径（即电感或电阻接地）是，
然而，在接受该引脚。如果一个阻塞电容是必需的，一
22pF的价值是recommended.To减少混频器的噪声系数，它
建议有这个输入前一个RF带通滤波器。这将
防止噪声在图像的频率被转换成
IF 。
相同引脚2 。
相同引脚2 。
50Ω输出。内部DC-受阻。
LNA输出
接口示意图
在RF
12
13
14
GND
GND
LNA输出
8
前端
在RF
应用原理
高阻抗输出配置
850MHz
10 nH的
1
2
3
100 nF的
47 pF的
4
10pF
5
6
C1
IF OUT
V
DD
L1
7
10
1 nF的
IF滤波器，高
卜FF器
9
混频器
8
10 nH的
4 pF的
罗在
LNA
14
13
12
15 nH的
11
图像过滤器50
V
DD
射频放大器
100 nF的
L1和C1采摘到调音台的输出阻抗（ 4千欧II 10 pF）的匹配，以中频
滤波器的阻抗，在IF频率。 C 1还用作DC阻塞，以防IF滤波器
是不是开路的DC 。
8-38
转A6 010717
RF2418
应用原理
缓冲输出配置
850MHz
10 nH的
在RF
1
2
3
100 nF的
47 pF的
4
10pF
5
C1
IF OUT
IF滤波器， 50Ω
R1
6
7
卜FF器
9
混频器
8
10 nH的
4 pF的
罗在
10
1 nF的
LNA
14
13
12
15nH
11
图像过滤器， 50
V
DD
射频放大器
V
DD
R2
L1
L1应平行共振，在IF频率，与内部
10pF的电容加上任何额外的寄生电容的布局。
8
前端
100 nF的
100 nF的
R1和R2是偏压电阻器设置该偏置电流的缓冲器
放大器。推荐值是510瓦，每个。较高的值
会降低电流消耗，而且降低输出
在哪一级电压削波开始发生。在较低的中频
频率，在内部的10 pF电容不会滚下
变换增益， L1可以被消除。
C1是一个阻塞电容器，在壳体的IF滤波器的输入不是一个开放
电路的DC 。
转A6 010717
8-39
RF2418
低电流低噪声放大器/混频器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOIC -14
LNA
特点
单3V至6.5V电源支持部门
股
高动态范围
低漏电流
高LO隔离
LNA掉电模式
大信号
在LNA
1
GND
2
VDD1
3
VDD2
4
10pF
如果BYP
5
IF2 OUT
6
IF1 OUT
7
14
LNA输出
13
GND
12
GND
11
在RF
10
GND
9
DEC
8
罗在
射频放大器
卜FF器
应用
UHF数字和模拟
接收机
数字通信系
TEMS
扩频串行通信
阳离子系统
商业和消费
系统
433和915 MHz ISM
带接收器
通用频率
转变
混频器
功能框图
产品说明
的RF2418是一个单片集成的UHF接收器前端。该IC CON-
tains所有必需的组件来实现的射频功能
接收机以外的无源滤波和LO产生。它包含一个
LNA （低噪声放大器） ，一个第二RF放大器，一个双栅砷化镓场效应管
混频器和一个IF输出缓冲放大器将驱动50Ω负载。在
此外， IF缓冲放大器可以被禁用，高阻抗
输出被提供用于容易匹配到IF滤波器具有较高的阻抗。
在LNA的输出被提供以允许该插入不正的输出
灰LNA和射频/混频器部分之间的带通滤波器组成。该
LNA部可通过除去VDD1连接到IC被禁用。
订购信息
RF2418
RF2418PCBA-41X
低电流低噪声放大器/混频器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A7 DS060203
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
RF2418
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5 7
+6
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
RF频率范围
级联功率增益
级联IP
3
级联噪声系数
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
= 5V ， RF = 850MHz的，
LO=921MHz
400至1100
23
-13
2.4
兆赫
dB
DBM
dB
高阻抗输出
参考输入
单边带，包括图像过滤器
1.0分贝插入损耗
第一部分（ LNA ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
收益
反向隔离
输出VSWR
+3.0
13
1.8
1.5:1
+4.0
14
40
1.5:1
高阻抗输出
9.5
1.5:1
+1
7
9
4000||10pF
DBM
dB
Ω
集电极开路
缓冲输出， 50Ω负载
10
1.5:1
-0.5
5
0
6
30
DBM
dB
Ω
dB
单边带
随着外部串联匹配电感
dB
单边带
随着外部串联匹配电感
DBM
dB
dB
2.0
dB
随着外部串联匹配电感
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF1 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换功率增益
输出阻抗
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF2 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换增益
输出阻抗
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A7 DS060203
RF2418
参数
LO输入
LO频率
罗级别
LO至RF抑制
LO至IF抑制
LO输入VSWR
300至1200
-6到+6
15
40
1.3:1
兆赫
DBM
dB
dB
与连接到接地引脚5 。
为了实现此一低驻波匹配
输入端，一个82Ω电阻连接到地放置在
与此并行端口。
6.5
14
12
6
20
9
26
20
V
mA
mA
mA
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，缓冲关
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，在缓冲区
V
CC
= 5.0V ，低噪声放大器关闭，调音台，缓冲关
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
电源
电压
消耗电流
3.0
转A7 DS060203
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2418
针
1
功能
在LNA
描述
一系列10nH到匹配电感必须达到规定的增益
和噪声系数在900MHz 。该引脚在内部没有DC-受阻。一
如果该引脚被连接到外部隔直电容，必须提供
设备与DC存在。直流接地路径（即电感或电阻
地） ，然而，在接受该引脚。如果阻塞电容器
要求，则建议22pF的值。
接口示意图
在LNA
2
3
GND
VDD1
接地连接。保持身体的痕迹短并立即连接
到地平面以获得最佳性能。
电源电压为仅LNA 。一个22pF的外部旁路电容
必需的，如果没有其他的低频率的附加0.01μF需要
旁路电容是由附近。销和之间的走线长度
旁路电容应尽量减少。旁路的接地侧
电容应立即连接到地平面。
对于较大的输入信号， VDD1可能会断开连接，从而在低噪声放大器的
获得从+ 11分贝变为-26dB和漏电流通过4毫安下降。
如果LNA永远不会需要使用，那么该引脚可以悬空
或接地，管脚11被用作第一输入。
电源为IF缓冲放大器。如果高阻抗混频器输出
正被使用，则该引脚不连。
如果该引脚被连接到地，内部10pF的电容器连接
与所述混频器的输出并联连接。这个电容作为一个LO陷阱，
这减少了劳的量中频放气通过，并防止高振
电压在混频器输出降低混频器的动态范围。在
较高的中频频率，这种电容，以及寄生电容的布局
tance ，应并联共振由偏置电感的选择
在销7的值如果内部电容器没有连接到地，所述
缓冲放大器可能会变得不稳定。 A 10pF的电容应
在保持缓冲区的稳定输出增加，但收益也不会
可显著影响。
50Ω缓冲（开放源码）输出端口，两个输出选项之一。 7针
必须有一个偏置电阻到V
DD
和脚6上必须有一个偏置电阻
接地（参见缓冲输出应用原理图），以便打开
缓冲放大器上。漏电流将增加约8毫安在
5V和大约5毫安在3V 。建议将这些偏差
电阻小于1kΩ的。
高阻抗（漏极开路）输出端口，两个输出选项之一。这
引脚必须连接到V
DD
通过一个电阻器或电感器，以
偏置混频器，使用IF2输出时也是如此。此外，一个0.01μF旁路
电容器需要在偏置电阻器或电感器的另一端。该
旁路电容的接地端应立即连接到地
平面。该输出用于驱动IF滤波器的高阻抗。该市盈率
ommended匹配网络是并联L， C系列（见申请
概略，高阻抗输出）。这种拓扑结构将提供配套，
偏压和DC阻断。
混频器的LO输入。高通匹配网络，例如单个分流
电感器（如图中的应用原理图） ，是推荐的
拓扑结构，因为它也拒绝中频噪声混频器的输入。这种过滤是
达到规定的噪声系数要求。该引脚是内部不
DC-受阻。如果引脚的外部隔直流电容器必须提供
连接到具有直流本的装置。直流接地路径（即一个电感
器或电阻接地） ，然而，可以接受的，在这个引脚上。如果阻塞
电容是必需的， 22pF的值是推荐的。
连接外部旁路电容的混频器的RF输入
前置放大器。 1000pF的建议。引脚之间的走线长度
电容应尽量减少。旁路电容的接地侧
符应立即连接到地平面。
4
5
VDD2
如果BYP
6
IF2 OUT
IF2 OUT
7
IF1 OUT
IF1 OUT
8
罗在
罗在
9
RF BYP
4 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A7 DS060203
RF2418
针
10
11
功能
GND
在RF
描述
相同引脚2 。
混频器的RF输入端口。对于一个50Ω的匹配在900MHz使用15nH系列
电感器。该引脚在内部没有DC-受阻。外部封锁capac-
如果该引脚被连接到具有直流本设备itor必须提供。一
直流通路到地（即电感器或电阻接地） ，然而，
在接受该引脚。如果一个阻塞电容是必需的， 22pF的值是
recommended.To减低混频器的噪声系数，则建议
有这个输入前一个RF带通滤波器。这将防止噪声
从图像的频率被转换成中频。
相同引脚2 。
相同引脚2 。
50Ω输出。内部DC-受阻。
LNA输出
接口示意图
的R F IN
12
13
14
GND
GND
LNA输出
封装图
0.156
0.148
.018
.014
0.010
0.004
0.347
0.339
0.050
0.252
0.236
0.059
0.057
8 MAX
0 ° MIN
0.0500
0.0164
0.010
0.007
转A7 DS060203
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2418
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
UHF数字和模拟接收器
数字通信系统
商业和消费系统
433和915 MHz ISM频段接收器
低电流低噪声放大器/混频器
扩频通信系统通用变频
产品说明
该RF2418是一个单片集成UHF接收器
前端。该IC包含所有必需的组件
实现接收机的射频功能，除了
无源滤波和LO产生。它包含一个
LNA （低噪声放大器） ，一个第二RF放大器，一个双
栅砷化镓场效应管混频器，以及IF输出缓冲放大器
这将驱动50Ω负载。此外，在IF缓冲
放大器可以被禁用，高阻抗输出
为便于匹配IF滤波器具有高阻抗
元代。在LNA的输出被提供作为一个
输出允许之间的带通滤波器的插入
LNA和射频/混频器部分。可以将LNA节
通过除去VDD1连接到IC被禁用。
0.156
0.148
.018
.014
0.010
0.004
0.347
0.339
0.050
0.252
0.236
0.059
0.057
8 MAX
0 ° MIN
0.0500
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0.010
0.007
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOIC -14
特点
单3V至6.5V电源
高动态范围
低电流消耗
LNA
在LNA
1
GND
2
VDD1
3
VDD2
4
10pF
如果BYP
5
IF2 OUT
6
IF1 OUT
7
10
GND
9
DEC
混频器
8
罗在
14
LNA输出
13
GND
12
GND
11
在RF
高LO隔离
LNA掉电模式的大信号
射频放大器
订购信息
RF2418
RF2418 PCBA
低电流低噪声放大器/混频器
完全组装的评估板
卜FF器
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A7 060203
8-21
RF2418
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入LO和RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5 7
+6
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
RF频率范围
级联功率增益
级联IP
3
级联噪声系数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
400至1100
23
-13
2.4
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
= 5V ， RF = 850MHz的，
LO=921MHz
兆赫
dB
DBM
dB
高阻抗输出
参考输入
单边带，包括图像过滤器
1.0分贝插入损耗
第一部分（ LNA ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
收益
反向隔离
输出VSWR
1.8
1.5:1
+4.0
14
40
1.5:1
2.0
dB
随着外部串联匹配电感
DBM
dB
dB
高阻抗输出
9.5
1.5:1
+1
9
4000||10pF
dB
DBM
dB
Ω
单边带
随着外部串联匹配电感
+3.0
13
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF1 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换功率增益
输出阻抗
7
第二部分（ RF放大器，
混频器， IF2 ）
噪声系数
输入VSWR
输入IP3
转换增益
输出阻抗
10
1.5:1
0
6
30
300至1200
-6到+6
15
40
1.3:1
dB
DBM
dB
Ω
兆赫
DBM
dB
dB
集电极开路
缓冲输出， 50Ω负载
单边带
随着外部串联匹配电感
-0.5
5
LO输入
LO频率
罗级别
LO至RF抑制
LO至IF抑制
LO输入VSWR
与连接到接地引脚5 。
为了实现低的电压驻波比匹配于
这个输入，一个82Ω电阻连接到地是
平行放置，在此端口。
电源
电压
消耗电流
3.0
12
6
14
20
9
6.5
26
20
V
mA
mA
mA
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，缓冲关
V
CC
= 5.0V ， LNA开，调音台，在缓冲区
V
CC
= 5.0V ，低噪声放大器关闭，调音台，缓冲关
8-22
转A7 060203
RF2418
针
1
功能
在LNA
描述
一系列10nH到匹配电感必须达到规定的增益
和噪声系数在900MHz 。该引脚在内部没有DC-受阻。一
如果该引脚被连接到外部隔直电容，必须提供
设备与DC存在。直流接地路径（即电感或电阻
器接地） ，然而，在接受该引脚。如果一个阻塞电容
是必需的，则建议22pF的值。
接口示意图
在LNA
2
3
GND
VDD1
接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
电源电压为仅LNA 。一个22pF的外部旁路电容
必需的，如果没有其他的低频率的附加0.01μF需要
旁路电容是由附近。引脚之间的走线长度
旁路电容应尽量减少。的接地侧
旁路电容应立即连接到地平面。
对于较大的输入信号， VDD1可能会断开连接，从而在
LNA增益为+ 11分贝变为-26dB和漏电流的降低了
荷兰国际集团通过4毫安。如果LNA永远不会需要使用，那么该引脚可
悬空或接地，管脚11被用作第一输入。
电源为IF缓冲放大器。如果高阻抗混合器
输出正被使用，则该引脚不连。
如果此引脚接地，内部10pF的电容所配置
连接的与所述混频器的输出并联连接。该电容器用作
劳陷阱，这减少了劳的量中频放气通过与预
通风口高振电压在混频器输出降低混频器的
动态范围。在较高的中频频率，这种电容，以及
寄生电容的布局，应当平行共振出来的
选择引脚7偏置电感值如果内部电容不
连接到地，缓冲放大器可以变得不稳定。一
10pF的电容应在输出端加入到维护缓冲区
稳定，但收益也不会显著影响。
50Ω缓冲（开放源码）输出端口，两个输出选项之一。针
7必须有一个偏置电阻到V
DD
和脚6上必须有一个偏置电阻
接地（见缓冲输出应用原理图） ，以便把
缓冲放大器上。漏电流将增加约
8毫安在5V ，并约5毫安在3V 。所以建议
这些偏置电阻小于1kΩ的。
高阻抗（漏极开路）输出端口，两个输出选项之一。
该引脚必须连接到V
DD
通过在一个电阻器或电感器
订购偏置混频器，使用IF2输出时也是如此。此外，一个
0.01μF旁路电容是必需的偏置电阻器的另一端
或电感器。旁路电容的接地侧应该连接
马上到地平面。该输出用于驱动高
阻抗中频滤波器。推荐的匹配网络分流L时，
C系列（见应用原理，高阻抗输出） 。这
拓扑将提供配套，偏置和DC-阻塞。
混频器的LO输入。高通匹配网络，例如单个分流
电感器（如图中的应用原理图） ，是推荐的
拓扑结构，因为它也拒绝中频噪声混频器的输入。这种过滤
须达到指定的噪声数字。该引脚不间
应受DC-受阻。外部隔直电容的话，必须提供
该引脚被连接到具有直流本的装置。对地直流路径
（例如电感器或电阻接地） ，然而，可以接受的，在此
引脚。如果一个阻塞电容是必需的， 22pF的值是中建议
谁料。
连接外部旁路电容的混频器的RF输入
前置放大器。 1000pF的建议。引脚之间的走线长度
和电容应尽量减少。旁路的接地侧
电容应立即连接到地平面。
4
5
VDD2
如果BYP
6
IF2 OUT
IF2 OUT
7
IF1 OUT
IF1 OUT
8
罗在
罗在
9
RF BYP
转A7 060203
8-23
RF2418
针
10
11
功能
GND
在RF
描述
相同引脚2 。
混频器的RF输入端口。对于一个50Ω的匹配在900MHz使用15nH系列
电感器。该引脚在内部没有DC-受阻。外部封锁
如果该引脚被连接到与直流设备电容器必须提供
目前。直流接地路径（即电感或电阻接地）是，
然而，在接受该引脚。如果一个阻塞电容是必需的，一
22pF的价值是recommended.To减少混频器的噪声系数，它
建议有这个输入前一个RF带通滤波器。这将
防止噪声在图像的频率被转换成
IF 。
相同引脚2 。
相同引脚2 。
50Ω输出。内部DC-受阻。
LNA输出
接口示意图
在RF
12
13
14
GND
GND
LNA输出
应用原理
高阻抗输出配置
850MHz
10 nH的
在RF
1
2
3
100 nF的
47 pF的
4
10pF
5
6
C1
IF OUT
V
DD
L1
7
10
1 nF的
IF滤波器，高
卜FF器
9
混频器
8
10 nH的
4 pF的
罗在
LNA
14
13
12
15 nH的
11
图像过滤器50
Ω
V
DD
射频放大器
100 nF的
L1和C1采摘到调音台的输出阻抗（ 4千欧II 10 pF）的匹配，以中频
滤波器的阻抗，在IF频率。 C 1还用作DC阻塞，以防IF滤波器
是不是开路的DC 。
8-24
转A7 060203
RF2418
应用原理
缓冲输出配置
850MHz
10 nH的
在RF
1
2
3
100 nF的
47 pF的
4
10pF
5
C1
IF OUT
IF滤波器， 50Ω
R1
6
7
卜FF器
9
混频器
8
10 nH的
4 pF的
罗在
10
1 nF的
LNA
14
13
12
15nH
11
图像过滤器， 50
Ω
V
DD
射频放大器
V
DD
R2
L1
L1应平行共振，在IF频率，与内部
10pF的电容加上任何额外的寄生电容的布局。
100 nF的
100 nF的
R1和R2是偏压电阻器设置该偏置电流的缓冲器
放大器。推荐值是510瓦，每个。较高的值
会降低电流消耗，而且降低输出
在哪一级电压削波开始发生。在较低的中频
频率，在内部的10 pF电容不会滚下
变换增益， L1可以被消除。
C1是一个阻塞电容器，在壳体的IF滤波器的输入不是一个开放
电路的DC 。
转A7 060203
8-25
QQ：2880707522 复制
