初步

RF2376

蜂窝TDMA / CDMA线性

可变增益放大器

封装： SOT23-6

特点

50分贝线性增益控制

范围

27分贝最大增益

单一2.7V至3.3V电源

30毫安电源电流

高线性度

7分贝噪声系数

RF OUT

GND

GC

1

2

3

安泰信

6

5

4

VCC

GND

在RF

应用

CDMA蜂窝手机

TDMA蜂窝手机

功能框图

产品说明

的RF2376是一个线性可变增益放大器适合于TDMA和CDMA使用

系统在蜂窝频段。该装置的特征包括线性增益控制，

高增益，低噪声系数。该IC采用先进的砷化镓制造

砷化镓异质结双极晶体管（ HBT砷化镓）工艺，并刊登在

行业标准的微型6引脚SOT塑料封装。

订购信息

RF2376Cellular TDMA / CDMA线性可变增益放大器

RF2376 PCBA

完全组装的评估板

最佳技术Matching应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司

转A2 DS010829

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

1 10

RF2376

绝对最大额定值

参数

电源电压

直流电流

工作环境温度

储存温度

初步

等级

0至+5.0

100

-20至+85

-40到+150

单位

V

DC

mA

°C

°C

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

参数

整体

工作频率

可用频率范围

最大的小信号增益

线性增益控制范围

增益控制斜率

输入VSWR

输出IP3

噪声系数

最大平均输出功率

邻道功率

拒绝

备用信道功率

拒绝

最大平均输出功率

邻道功率

拒绝

分钟。

规范

典型值。

836

800到>1000

马克斯。

单位

兆赫

兆赫

条件

V

CC

=2.8V, V

GC

= 2.0V ，T = 25°C

24

50

27

70

1.5:1

30

dB

dB

分贝/ V

最大增益。

在整个增益控制范围

DBM

dB

DBM

最大增益

TDMA调制

TDMA调制; P

OUT

=+8dBm

TDMA调制; P

OUT

=+8dBm

CDMA调制; V

CC

= 3.0V ，最大增益

设置， ACPR<-52dBc 。

CDMA调制; V

CC

= 3.0V 。为

P

IN

>-23dBm ，调整P的

IN

需要

保持ACPR性能上增益控制

范围内。对于P

IN

< -23dBm ， ACPR性能

保持在整个增益控制范围。

CDMA调制; P

OUT

=+10dBm,

V

CC

=3.0V.

中T = 25℃

特定网络阳离子

工作范围

V

CC

=2.8V, V

GC

=2.0V

V

CC

=3.0V, V

GC

=2.0V

V

CC

=2.8V, V

GC

=0.4V

2.5:1

+22

+25

7

+8

-33

-61

+10

-53

-32

-57

dBc的

dBc的

DBM

dBc的

备用信道功率

拒绝

-67

dBc的

电源

电源电压

增益控制电压

电源电流

25

2.8

2.7到3.3

0-2.0

30

34

18

V

GC

当前

1.5

40

V

V

V

mA

mA

mA

mA

2 10

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A2 DS010829

初步

针

1

2

3

4

5

6

功能

RF OUT

GND

GC

在RF

GND

VCC

描述

RF输出引脚。该引脚DC耦合，需要V

CC

通过一个偏置

电感器的尺寸相应地提供一种具有高通变换

串联电容。

接地连接。保持身体的痕迹短并立即连接

到地平面以获得最佳性能。

模拟增益控制引脚。该引脚控制IC的增益。最小增益

发生在V

GC

<0.4V和最大增益达到结合V

GC

= 2.0V 。 50分贝

与输入P的偏差小的线性增益控制的

1dB

是可用的。

射频输入引脚。该引脚交流耦合。

接地连接。保持身体的痕迹短并立即连接

到地平面以获得最佳性能。

电源。该引脚应连接到一个稳定的供应和

需要一个旁路电容。电压通过该引脚提供给第一

台集热器;这个电压也控制偏压。增益可通过调整

调节进料电感器的值。

RF2376

接口示意图

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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

3 10

RF2376

初步

封装图

SOT23-6

1.80

1.40

0.50

0.35

0.10

马克斯。

TEXT *

1.90

3.10

2.70

3.00

2.60

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

1.30

1.00

0.90

0.70

9°

1°

0.25

0.10

0.37 MIN 。

*当引脚1是在左上角，

文本向下读

（如图所示） 。

应用原理

47 nH的

在RF

4

5

4.7 nH的

VCC

47 nF的

注意的方向

包在这个示意图。

6

1

12 nH的

VCC

安泰信

3

2

2.7 pF的

RF OUT

GC

4 10

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

转A2 DS010829

初步

评估板电路图

P1

P1-1

1

2

P1-3

P1-4

3

4

5

CON5

C2*

J1

在RF

L1

6.8 nH的

C5

47 nF的

L3

12 nH的

C7

100 pF的

C6

2.7 pF的

VGC

GND

VREG / VCC

VREG / VCC

GND

C9

33 pF的

C4

47 nH的

VREG / VCC

C16

1 uF的

+

RF2376

4

5

6

2376400B

3

安泰信

2

1

注意的方向

包在这个示意图。

VGC

R1*

DNI

C1

100 pF的

VREG

L2

4.7 nH的

J2

RF OUT

C3

47 nF的

C8

33 pF的

转A2 DS010829

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。

5 10

初步

0

典型应用

CDMA蜂窝手机

TDMA蜂窝手机

RF2376

蜂窝TDMA / CDMA线性

可变增益放大器

产品说明

的RF2376是一个线性可变增益放大器适于

在蜂窝频段中的TDMA和CDMA系统使用。

该装置的特征包括线性增益控制，

高增益，低噪声系数。在IC制造

采用先进的砷化镓异质结双极

晶体管（ HBT砷化镓）工艺，并刊登在一

行业标准的微型6引脚SOT塑料封装。

1.80

1.40

0.50

0.35

0.10

马克斯。

TEXT *

1.90

3.10

2.70

3.00

2.60

阴影铅引脚1 。

尺寸（mm） 。

0.90

0.70

1.30

1.00

9°

1°

0.25

0.10

0.37 MIN 。

*当引脚1是在左上角，

文本向下读

（如图所示） 。

最佳技术Matching应用

硅BJT

姒必-CMOS

的InGaP / HBT

砷化镓HBT

的SiGe HBT

氮化镓HEMT

砷化镓MESFET

硅CMOS

硅锗双CMOS

封装形式： SOT23-6

特点

50分贝线性增益控制范围

27分贝最大增益

单2.7V至3.3V电源

30毫安电源电流

- 高线性度

RF OUT 1

GND 2

GC 3

安泰信

6 VCC

5 GND

4 RF IN

7分贝噪声系数

订购信息

RF2376

RF2376 PCBA

蜂窝TDMA / CDMA线性可变增益放大器

完全组装的评估板

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A2 010829

4-423

RF2376

绝对最大额定值

参数

电源电压

直流电流

工作环境温度

储存温度

初步

等级

0至+5.0

100

-20至+85

-40到+150

单位

V

DC

mA

°C

°C

注意！

ESD敏感器件。

RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的

在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以

让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不

承担使用所描述的产品（S ）的责任。

参数

整体

工作频率

可用频率范围

最大的小信号增益

线性增益控制范围

增益控制斜率

输入VSWR

输出IP3

噪声系数

最大平均输出功率

邻道功率

拒绝

备用信道功率

拒绝

最大平均输出功率

邻道功率

拒绝

规范

分钟。

典型值。

马克斯。

836

800到>1000

27

70

1.5:1

+25

7

+8

-33

-61

+10

-53

单位

兆赫

兆赫

dB

dB

分贝/ V

DBM

dB

DBM

dBc的

dBc的

DBM

dBc的

条件

V

CC

=2.8V, V

GC

= 2.0V ，T = 25°C

24

50

30

2.5:1

最大增益。

在整个增益控制范围

最大增益

TDMA调制

TDMA调制; P

OUT

=+8dBm

TDMA调制; P

OUT

=+8dBm

CDMA调制; V

CC

= 3.0V ，最大值

增益设置， ACPR<-52dBc 。

CDMA调制; V

CC

= 3.0V 。为

P

IN

>-23dBm ，调整P的

IN

是必须的

保持ACPR性能上增益

控制范围。对于P

IN

< -23dBm ， ACPR per-

性能会受到保持在整个GAIN（增益）

控制范围内。

CDMA调制; P

OUT

=+10dBm,

V

CC

=3.0V.

中T = 25℃

特定网络阳离子

工作范围

V

CC

=2.8V, V

GC

=2.0V

V

CC

=3.0V, V

GC

=2.0V

V

CC

=2.8V, V

GC

=0.4V

+22

-32

-57

备用信道功率

拒绝

-67

dBc的

电源

电源电压

增益控制电压

电源电流

2.8

2.7到3.3

0-2.0

30

34

V

V

V

mA

mA

mA

mA

25

40

18

1.5

V

GC

当前

4-424

转A2 010829

初步

针

1

2

3

功能

RF OUT

GND

GC

描述

RF输出引脚。该引脚DC耦合，需要V

CC

通过一个偏置

电感器的尺寸相应地提供一种具有高通变换

串联电容。

接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即

ately到地平面以获得最佳性能。

模拟增益控制引脚。该引脚控制IC的增益。最低限度

增益发生在V

GC

<0.4V和最大增益达到与

V

GC

= 2.0V 。与输入P的偏差小的线性增益控制的50分贝

1dB

是可用的。

射频输入引脚。该引脚交流耦合。

接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即

ately到地平面以获得最佳性能。

电源。该引脚应连接到一个稳定的供应和

需要一个旁路电容。电压通过该引脚来提供的

第一阶段收集器;这个电压也控制偏压。增益可以

通过调节进料电感器的值进行调整。

RF2376

接口示意图

4

5

6

在RF

GND

VCC

应用原理

47 nH的

在RF

4

5

4.7 nH的

VCC

47 nF的

注意的方向

包在这个示意图。

6

1

12 nH的

VCC

安泰信

3

2

2.7 pF的

RF OUT

GC

转A2 010829

4-425

RF2376

评估板电路图

P1

P1-1

1

2

P1-3

P1-4

3

4

5

CON5

C2*

J1

在RF

L1

6.8 nH的

4

C1

100 pF的

5

6

安泰信

3

2

1

VGC

R1*

DNI

L3

12 nH的

VGC

GND

VREG / VCC

VREG / VCC

GND

C9

33 pF的

C4

47 nH的

VREG / VCC

初步

C16

1 uF的

+

C5

47 nF的

C7

100 pF的

C6

2.7 pF的

J2

RF OUT

VREG

L2

4.7 nH的

2376400B

注意的方向

包在这个示意图。

C3

47 nF的

C8

33 pF的

4-426

转A2 010829

初步

评估板布局

主板尺寸2.0" X 2.0"

板厚度0.028 “ ;板材FR- 4

RF2376

转A2 010829

4-427