RF2369
3V低噪声放大器/
3V PA驱动器放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOT 6引脚
特点
低噪声，高拦截
点
可调偏置电流
LNA旁路损失是+ 2分贝
为150MHz至2500MHz操作
化
会见IMD试验的两
增益状态/单逻辑CON-
控制线
VREF / PD 1
逻辑
控制
6
SELECT
GND1 2
5
GND2
RF IN 3
4
RF OUT
应用
CDMA /蜂窝旁路LNA
CDMA /蜂窝绕道司机
扩音器
通用扩增
化
商业和消费
系统
功能框图
产品说明
的RF2369是一个可开关的低噪声放大器，具有非常高的动态
系列设计用于数字蜂窝应用。设备作为一个
优秀的前端低噪声放大器。当作为一个低噪声放大器，所述偏压用
电流可以从外部设定。当作为PA驱动器中使用时，IC可以工作
直接由单节锂离子电池，并包括一个电源关闭功能
可以用于完全关闭该设备。该IC的特点是在一个
标准SOT 6引脚塑料封装。
订购信息
RF2369
RF2369PCBA-41X
3V低噪声放大器/ 3V PA驱动放大器
完全组装的评估板（ LNA ）
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转B3 DS070816
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
RF2369
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+8.0
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
分钟。
150
869
14.0
9.0
规范
典型值。
824到894
马克斯。
2500
894
单位
兆赫
兆赫
条件
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
=3.0V
蜂窝式低噪声放大器
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
2.0
824
14.0
4
-65
-70
2:1
2:1
8.5
-3.0
+10
-2.0
+24
2:1
2:1
2.0
4.0
mA
-1.0
mA
增益Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
dB
DBM
15.5
2.0
-3
+10
-2
+24
2:1
2:1
4.0
849
17.0
2.5
mA
兆赫
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
dB
dB
DBM
dBc/30kHz
dBc/30kHz
P
OUT
= + 4dBm的， + 885kHz偏移
P
OUT
= + 4dBm的， + 1.98MHz失调
-1
dB
DBM
7.5
15.5
1.6
11.5
2:1
2:1
10.0
mA
增益Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
17.0
2.0
dB
dB
DBM
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
蜂窝CDMA驱动程序
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输出功率
ACPR1
ACPR2
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2369
参数
电源
电压（V
CC
)
V
SELECT
低
V
SELECT
高
掉电
1.8
0
10
3
0.8
V
V
V
μA
高增益模式。
Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
低增益模式。
Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=0V, V
CC
=0V
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
旁路的可能性
增益选择
>1.8V
>1.8V
V
PD
/V
REF
0V
3V
V
CC
3V
3V
当前
2.3mA
3.4mA
评论
推荐旁路模式
另一种旁路模式
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2369
针
1
功能
VREF / PD
描述
对于低噪声放大器的应用，此引脚用于控制偏置电流
租。一个外部电阻器可用于设置偏置电流的任何V
PD
电压。
接口示意图
VREF / PD
2
3
GND1
在RF
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
rf输入管脚。
偏置
电路
RF OUT
在RF
4
RF OUT
5
GND2
放大器的输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须被偏置
到V
CC
通过扼流器或匹配电感。该引脚通常匹配
为50Ω与分流偏置/匹配电感和串联阻断/匹配
电容。请参考应用电路图。
LNA发射率的电感。总电感是由
包+键合线+带状线（ L1 ），在PCB上。
6
SELECT
该引脚选择高增益和旁通。
选择< 0.8V ，增益高。
选择> 1.8V ，低增益。
封装图
1.80
1.40
0.50
0.35
0.10
马克斯。
TEXT *
1.90
3.10
2.70
3.00
2.60
阴影铅引脚1 。
尺寸（mm） 。
0.90
0.70
1.30
1.00
9°
1°
0.25
0.10
0.37 MIN 。
*当引脚1是在左上角，
文本向下读
（如图所示） 。
4 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2369
应用原理
蜂窝式低噪声放大器 881MHz
C1
0.1
μF
1
C2
0.1
μF
2
50
Ω μstrip
C6
33 nF的
L3
6.8 nH的
3
4
L2
10 nH的
C3
3 pF的
5
逻辑
控制
R1
1.6 kΩ
VREF / PD
6
*C7
DNI
L1
1.5 nH的
50
Ω μstrip
SELECT
J1
在RF
J2
RF OUT
VCC
C5
10 nF的
C4
100 pF的
*建议加入到初始客户PCBA的布局的灵活性，以优化性能。
应用原理
移动驱动器放大器 836MHz
C1
0.1
μF
1
C2
0.1
μF
2
50
Ω μstrip
C6
33 nF的
L3
6.8 nH的
3
4
L2
10 nH的
VCC
C5
10 nF的
C4
100 pF的
5
C3
3 pF的
50
Ω μstrip
逻辑
控制
R1
1.3 kΩ
VREF / PD
6
L1
1.5 nH的
SELECT
J1
在RF
J2
RF OUT
转B3 DS070816
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2369
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
CDMA /蜂窝旁路LNA
CDMA /蜂窝绕道驱动放大器
通用扩增
商业和消费系统
3V低噪声放大器/
3V PA驱动器放大器
产品说明
该RF2369是一个可开关的低噪声放大器，
设计用于数字蜂窝非常高的动态范围
应用程序。该设备作为一个优秀的前
最终低噪声放大器。当作为一个低噪声放大器，所述偏压用
电流可以从外部设定。当作为PA驱动器使用，
该IC可以直接由单节锂离子电池工作
并且包括可用于在断电功能
完全关闭设备。该IC的特点是在一个
标准SOT 6引脚塑料封装。
1.80
1.40
0.50
0.35
0.10
马克斯。
TEXT *
1.90
3.10
2.70
3.00
2.60
阴影铅引脚1 。
尺寸（mm） 。
0.90
0.70
1.30
1.00
9°
1°
0.25
0.10
0.37 MIN 。
*当引脚1是在左上角，
文本向下读
（如图所示） 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOT 6引脚
特点
低噪声和高截点
可调偏置电流
LNA旁路损耗+ 2分贝
为150MHz至2500MHz运行
符合IMD试验的两个增益
美国/单逻辑控制线
VREF / PD 1
逻辑
控制
6
SELECT
GND1 2
5
GND2
RF IN 3
4
RF OUT
订购信息
RF2369
3V低噪声放大器/ 3V PA驱动放大器
RF2369PCBA - 41X完全组装的评估板（ LNA ）
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转B2 061016
4-401
RF2369
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+8.0
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
频带
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
150
824到894
2500
单位
兆赫
条件
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
=3.0V
蜂窝式低噪声
扩音器
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
869
14.0
9.0
15.5
1.6
11.5
894
17.0
2.0
2:1
2:1
10.0
-1
2:1
2:1
4.0
849
15.5
2.0
-65
-70
2:1
2:1
8.5
-3.0
+10
-2.0
+24
-1.0
2:1
2:1
4.0
mA
增益Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
dB
DBM
17.0
2.5
兆赫
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
dB
dB
DBM
7.5
-3
+10
-2
+24
mA
增益Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
dB
DBM
2.0
824
14.0
4
mA
兆赫
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
dB
dB
DBM
dBc/30kHz
dBc/30kHz
蜂窝CDMA驱动程序
频率
高增益模式
收益
噪声系数
输出功率
ACPR1
ACPR2
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
旁路模式
收益
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
漏电流
P
OUT
= + 4dBm的， + 885kHz偏移
P
OUT
= + 4dBm的， + 1.98MHz失调
2.0
3
mA
V
V
V
电源
电压（V
CC
)
V
SELECT
低
V
SELECT
高
掉电
1.8
0
10
0.8
高增益模式。
Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=3V
低增益模式。
Select>1.8V ，V
PD
/V
REF
=0V
增益Select<0.8V ，V
PD
/V
REF
=0V, V
CC
=0V
μA
4-402
转B2 061016
RF2369
针
1
功能
VREF / PD
描述
对于低噪声放大器的应用程序时，该引脚用于控制所述偏置
电流。一个外部电阻器可用于设置偏置电流为任何
V
PD
电压。
接口示意图
VREF / PD
2
3
GND1
在RF
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
rf输入管脚。
偏置
电路
RF OUT
在RF
4
RF OUT
5
GND2
放大器输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须是
偏置到V
CC
通过扼流器或匹配电感。该引脚为典型
美云匹配到50Ω与分流偏置/匹配电感和串联
阻塞/匹配电容。请参考应用电路图。
LNA发射率的电感。总电感是由
包+键合线+带状线（ L1 ），在PCB上。
6
SELECT
该引脚选择高增益和旁通。
选择< 0.8V ，增益高。
选择> 1.8V ，低增益。
4-404
转B2 061016
RF2369
应用原理
蜂窝式低噪声放大器 881MHz
C1
0.1
μF
1
C2
0.1
μF
2
50
Ω μstrip
C6
33 nF的
L3
6.8 nH的
3
4
L2
10 nH的
C3
3 pF的
5
逻辑
控制
R1
1.6 kΩ
VREF / PD
6
*C7
DNI
L1
1.5 nH的
50
Ω μstrip
SELECT
J1
在RF
J2
RF OUT
VCC
C5
10 nF的
C4
100 pF的
*建议加入到初始客户PCBA的布局的灵活性，以优化性能。
应用原理
移动驱动器放大器 836MHz
C1
0.1
μF
1
C2
0.1
μF
2
50
Ω μstrip
C6
33 nF的
L3
6.8 nH的
3
4
L2
10 nH的
VCC
C5
10 nF的
C4
100 pF的
5
C3
3 pF的
50
Ω μstrip
逻辑
控制
R1
1.3 kΩ
VREF / PD
6
L1
1.5 nH的
SELECT
J1
在RF
J2
RF OUT
转B2 061016
4-405
QQ：2880707522 复制
