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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第98页 > RF2364PCBA
初步
4
典型应用
CDMA PCS LNA
TDMA PCS LNA
W-CDMA / CDMA2000的低噪声放大器
RF2364
3V PCS低噪声放大器
通用扩增
商业和消费系统
产品说明
的RF2364是一个低噪声放大器具有高动态
范围设计用于CDMA和TDMA PCS,以及
的W-CDMA / CDMA2000的应用程序。该设备的功能
作为一个优秀的前端低噪声放大器和
偏置电流可在外部设定。该IC包括一个
断电功能,用于完全关闭的
设备,并刊登在一个标准的SOT 5引脚塑料
封装。
1.60
+ 0.01
0.400
1
4
通用
放大器器
0.15
0.05
2.90
+ 0.10
0.950
2.80
+ 0.20
3 ° MAX
0 ° MIN
0.45
+ 0.10
0.127
1.44
1.04
尺寸(mm) 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式: SOT 5引脚
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
低噪声和高截点
· 18分贝增益
掉电控制
单3.0V电源
PCS和W -CDMA波段操作
为1.8GHz至2.5GHz操作
在RF
1
5
RF OUT
GND1
2
VPD
3
4
GND2
订购信息
RF2364
RF2364 PCBA
3V PCS低噪声放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A4 010501
4-209
RF2364
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
储存温度
初步
等级
-0.5到+8.0
+10
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压(V
CC
)
掉电电压(V
PD
)
消耗电流
掉电电流
工作环境温度
输入阻抗
输出阻抗
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
1930
2.7
2.7
1990
3.3
2.9
0.9
23.5
10
+85
单位
兆赫
V
V
V
mA
A
o
条件
4
通用
放大器器
3.0
17.0
-40
50
50
对于正常操作
对于断电操作
V
CC
= 3.0V ,值反映了我
CC
+I
PD
V
CC
=3.0V, V
PD
<0.9V
C
T=25
o
C
低噪声放大器
性能
功率增益
噪声系数
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
输入P1dB为
18
1.8
+5
21
dB
dB
DBM
V
CC
= 3.0V ,我
CC
=17mA
V
CC
=3.0V
随着外部匹配元件。
2:1
2:1
-8.5
DBM
4-210
转A4 010501
初步
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚的直流耦合,匹配阻抗为50Ω 。
RF2364
接口示意图
偏置
电路
RF OUT
在RF
2
3
GND1
VPD
4
5
GND2
RF OUT
接地连接。保持身体的痕迹短,连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
放大器输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须是
偏见在V
CC
或4脚通过一个扼流圈或匹配电感。
该引脚通常匹配到50Ω与分流偏置/匹配电感
器和串联阻断/匹配电容。请参阅应用原理图
用学。
转A4 010501
4-211
通用
放大器器
接地连接。保持身体的痕迹短,连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
对于低噪声放大器的应用程序时,该引脚用于控制所述偏置
电流。参见图偏置电流设置。外部电阻(R1)
可用于设定的偏置电流的任何V
PD
电压(参见应用
化注) 。
对于驱动放大器的应用,这是掉电引脚的IC 。
V
PD
= 2.8V + 0.1V才能进行正确的操作。 V
PD
< 0.9V关闭
该部。外部射频旁路是必需的。之间的走线长度
销和旁路电容应尽量减少。地面
旁路电容方应立即连接到地
平面。需要V额定电流
PD
= 2.8V是2.0毫安典型,
3.0毫安最大( @ V
PD
=2.9V).
PD
4
RF2364
应用笔记
初步
掉电引脚电阻
该RF2364 3V低噪声放大器的掉电引脚(引脚3 )应保持在2.7V至2.9V正常
操作。此电压范围内可确保正确的偏置电流将存在于该装置的电源关闭引脚。然而
以往,外部串联电阻器可被用于允许不同的工作电压在该管脚(见R 1中的应用原理图
用学) 。对于该电阻所需要的值可以通过使用操作输入电压到电源来粗略计算
升降销,在该装置所需要的电压,典型的电流消耗为掉电销,伴随着
欧姆定律。
例如,假设在设计将提供3.3V到该设备的电源关闭针,但偏置电路内部向
的RF2364需要2.8V ,并且电源向下偏置电流是已知的通常是5.5毫安,然后从需要的值
R1会被发现的:
4
通用
放大器器
3.3V – 2.8V
---------------------------- = 90.9
-
5.5mA
4-212
转A4 010501
初步
应用原理
PCS频段
V
CC
10 nF的
RF2364
15 nF的
在RF
1
5
4.7 nH的
RF OUT
1.5 pF的
2
1.5 pF的
R1
VPD
可选见
应用
笔记
8.2 nH的
3
10 nF的
4
3.3 nH的
4
通用
放大器器
10 nF的
RF OUT
1 pF的
应用原理
W- CDMA频带
V
CC
47 pF的
在RF
1
5
4.7 nH的
2
8.2 nH的
3
可选见
应用
笔记
10 nF的
4
R1
VPD
转A4 010501
4-213
RF23643 V
PCS低噪声
扩音器
RF2364
3V PCS低噪声放大器
封装形式: SOT 5引脚
3
特点
低噪声,高拦截
18分贝增益
掉电控制
单3.0V电源
PCS和W -CDMA波段操作
为1.8GHz至2.5GHz操作
VPD
3
4
GND2
GND1
2
在RF
1
5
RF OUT
应用
CDMA PCS LNA
TDMA PCS LNA
的W-CDMA / CDMA2000的低噪声放大器
通用放大
商业和消费系
TEMS
功能框图
产品说明
的RF2364是一个低噪声放大器,设计用于CDMA的高动态范围
和TDMA PCS,以及W-CDMA / CDMA2000的应用程序。该设备的功能
作为优秀的前端低噪声放大器和所述偏置电流可以被设置
外部。该IC包括用于完全关断省电功能的
设备,并刊登在一个标准的SOT 5引脚塑料封装。
订购信息
RF2364
RF2364 PCBA
3V PCS低噪声放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A5 DS020827
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3-53
通用
放大器(LNA ,
杂多酸,线性AMPS )
RF2364
绝对最大额定值
参数
电源电压
注意! ESD敏感器件。
等级
-0.5到+8.0
+10
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
3
通用
放大器(LNA ,
杂多酸,线性AMPS )
输入RF电平
储存温度
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往,不承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利,造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ,建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC (本文件修订版的时候RoHS状况
锡永) 。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压(V
CC
)
掉电电压(V
PD
)
消耗电流
掉电电流
工作环境温度
输入阻抗
输出阻抗
分钟。
1930
2.7
2.7
规范
典型值。
马克斯。
1990
单位
兆赫
V
V
V
mA
μA
o
条件
3.0
3.3
2.9
0.9
对于正常操作
对于断电操作
V
CC
= 3.0V ,值反映了我
CC
+I
PD
V
CC
=3.0V, V
PD
<0.9V
17.0
-40
50
50
23.5
10
+85
C
Ω
Ω
T=25
o
C
低噪声放大器
性能
功率增益
噪声系数
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
输入P1dB为
-8.5
18
1.8
+5
2:1
2:1
DBM
21
dB
dB
DBM
V
CC
= 3.0V ,我
CC
=17mA
V
CC
=3.0V
随着外部匹配元件。
3-54
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS020827
RF2364
3
通用
放大器(LNA ,
杂多酸,线性AMPS )
转A5 DS020827
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3-55
RF2364
3
通用
放大器(LNA ,
杂多酸,线性AMPS )
3-56
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A5 DS020827
RF2364
0
典型应用
CDMA PCS LNA
TDMA PCS LNA
W-CDMA / CDMA2000的低噪声放大器
产品说明
的RF2364是一个低噪声放大器具有高动态
范围设计用于CDMA和TDMA PCS,以及
的W-CDMA / CDMA2000的应用程序。该设备的功能
作为一个优秀的前端低噪声放大器和
偏置电流可在外部设定。该IC包括一个
断电功能,用于完全关闭的
设备,并刊登在一个标准的SOT 5引脚塑料
封装。
1.60
+ 0.01
0.400
1
3V PCS低噪声放大器
通用扩增
商业和消费系统
0.15
0.05
2.90
+ 0.10
0.950
2.80
+ 0.20
3 ° MAX
0 ° MIN
0.45
+ 0.10
0.127
1.44
1.04
尺寸(mm) 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: SOT 5引脚
特点
低噪声和高截点
· 18分贝增益
掉电控制
单3.0V电源
PCS和W -CDMA波段操作
为1.8GHz至2.5GHz操作
在RF
1
5
RF OUT
GND1
2
VPD
3
4
GND2
订购信息
RF2364
RF2364 PCBA
3V PCS低噪声放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A5 020827
4-357
RF2364
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入RF电平
储存温度
等级
-0.5到+8.0
+10
-40到+150
单位
V
DC
DBM
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压(V
CC
)
掉电电压(V
PD
)
消耗电流
掉电电流
工作环境温度
输入阻抗
输出阻抗
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
1930
2.7
2.7
1990
3.3
2.9
0.9
23.5
10
+85
单位
兆赫
V
V
V
mA
μA
o
C
条件
3.0
17.0
-40
50
50
对于正常操作
对于断电操作
V
CC
= 3.0V ,值反映了我
CC
+I
PD
V
CC
=3.0V, V
PD
<0.9V
Ω
Ω
T=25
o
C
低噪声放大器
性能
功率增益
噪声系数
输入IP3
输入VSWR
输出VSWR
输入P1dB为
18
1.8
+5
21
dB
dB
DBM
V
CC
= 3.0V ,我
CC
=17mA
V
CC
=3.0V
随着外部匹配元件。
2:1
2:1
-8.5
DBM
4-358
转A5 020827
RF2364
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚的直流耦合,匹配阻抗为50Ω 。
接口示意图
偏置
电路
RF OUT
在RF
2
3
GND1
VPD
接地连接。保持身体的痕迹短,连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
对于低噪声放大器的应用程序时,该引脚用于控制所述偏置
电流。参见图偏置电流设置。外部电阻(R1)
可用于设定的偏置电流的任何V
PD
电压(参见应用
化注) 。
对于驱动放大器的应用,这是掉电引脚的IC 。
V
PD
= 2.8V + 0.1V才能进行正确的操作。 V
PD
< 0.9V关闭
该部。外部射频旁路是必需的。之间的走线长度
销和旁路电容应尽量减少。地面
旁路电容方应立即连接到地
平面。需要V额定电流
PD
= 2.8V是2.0毫安典型,
3.0毫安最大( @ V
PD
=2.9V).
接地连接。保持身体的痕迹短,连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
放大器输出引脚。此引脚为集电极开路输出。它必须是
偏见在V
CC
或4脚通过一个扼流圈或匹配电感。
该引脚通常匹配到50Ω与分流偏置/匹配电感
器和串联阻断/匹配电容。请参阅应用原理图
用学。
PD
4
5
GND2
RF OUT
转A5 020827
4-359
RF2364
应用笔记
掉电引脚电阻
该RF2364 3V低噪声放大器的掉电引脚(引脚3 )应保持在2.7V至2.9V正常
操作。此电压范围内可确保正确的偏置电流将存在于该装置的电源关闭引脚。然而
以往,外部串联电阻器可被用于允许不同的工作电压在该管脚(见R 1中的应用原理图
用学) 。对于该电阻所需要的值可以通过使用操作输入电压到电源来粗略计算
升降销,在该装置所需要的电压,典型的电流消耗为掉电销,伴随着
欧姆定律。
例如,假设在设计将提供3.3V到该设备的电源关闭针,但偏置电路内部向
的RF2364需要2.8V ,并且电源向下偏置电流是已知的通常是5.5毫安,然后从需要的值
R1会被发现的:
3.3V – 2.8V
---------------------------- = 90.9Ω
-
5.5mA
4-360
转A5 020827
RF2364
应用原理
PCS频段
V
CC
10 nF的
15 nF的
在RF
1
5
4.7 nH的
RF OUT
1.5 pF的
2
1.5 pF的
R1
VPD
可选见
应用
笔记
8.2 nH的
3
10 nF的
4
3.3 nH的
应用原理
W- CDMA频带
V
CC
10 nF的
47 pF的
在RF
1
5
4.7 nH的
RF OUT
1 pF的
2
R1
VPD
可选见
应用
笔记
8.2 nH的
3
10 nF的
4
转A5 020827
4-361
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联系人:刘先生
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