初步
RF2325
3V通用放大器
4
典型应用
宽带增益模块
最终PA为低功耗应用
IF或RF缓冲放大器
功率放大器驱动级
振荡回路放大器
产品说明
的RF2325是一个通用的，低成本的硅扩增
费里设计工作于3V电源。该Darling-
与电阻反馈吨的电路结构允许
宽带级联放大。该装置是
无条件稳定，内部匹配至50Ω 。该
需要指定perfor-唯一外部组件
曼斯是旁路和隔直流电容器和两个
偏置元件（如图应用原理图） 。该
RF2325可在一个非常小的行业标准的
SOT - 23 5引脚表面贴装封装，可实现紧凑型
外观设计，节省电路板空间。
1.60
+ 0.01
0.400
1
4
通用
放大器器
0.15
0.05
2.90
+ 0.10
0.950
2.80
+ 0.20
3 ° MAX
0 ° MIN
0.45
+ 0.10
0.127
1.44
1.04
尺寸（mm） 。
最佳技术Matching应用
ü
硅BJT
封装形式： SOT 5引脚
砷化镓HBT
的SiGe HBT
砷化镓MESFET
硅CMOS
姒必-CMOS
特点
DC至>2000MHz操作
2.7V至3.3V单电源
+ 17dBm的输出IP3
16分贝增益在900MHz
GND 1
GND 2
RF IN 3
5 RF OUT
12分贝增益为1900MHz的
内部50
匹配输入和输出
4 GND
订购信息
RF2325
RF2325 PCBA
3V通用放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A4 010720
4-121
RF2325
绝对最大额定值
参数
电源电压
工作环境温度
储存温度
初步
等级
4.0
-40至+85
-55到+150
单位
V
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
DC到>2000
20
5.0
18
8
15
18
23
19
5.0
18
7
12
23
22
15.3
16
5.0
17
7
10
20
22
16
5.0
17
7
10
19
22
12
5.4
16
6
10
17
19
3.0±10%
27
17.3
单位
兆赫
条件
T为27°C ，V
CC
=3.0V
T为27°C ，V
CC
=3.0V
4
通用
放大器器
整体
频带
100MHz的性能
收益
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
500MHz的性能
收益
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
T为27°C ，V
CC
=3.0V
900MHz的性能
收益
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
T为27°C ，V
CC
=3.0V
1000MHz的性能
收益
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
T为27°C ，V
CC
=3.0V
2000MHz的性能
收益
噪声系数
输出IP3
输出P
1dB
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
T为27°C ，V
CC
=3.0V
电源
工作电压
工作电流
23.5
29.5
V
CC
=3.0V
4-122
转A4 010720
初步
针
1
2
3
功能
GND
GND
在RF
描述
接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。
相同的引脚1 。
射频输入引脚。该引脚是不是外部直流阻断，因此需要一个
外部隔直流电容器适用于工作频率。该
该引脚的输入阻抗内部匹配使用电阻为50Ω
反馈。
在RF
RF2325
接口示意图
RF OUT
4
4
5
GND
RF OUT
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚。该引脚的输入阻抗是内部
采用电阻反馈匹配到50Ω 。偏压应供给至
这个引脚通过一个外部串联电阻和射频扼流电感。
由于直流偏置存在于这个针，隔直电容
应该在大多数应用中使用（见应用原理图） 。该
偏置网络供给方面，应充分绕过。
见引脚3的原理图。
通用
放大器器
应用原理
V
CC
39
1 nF的
220 nH的
1
2
100 pF的
在RF
3
4
5
100 pF的
RF OUT
评估板电路图
（从www.rfmd.com下载材料清单）。
P1
P1-1
1
2
NC
3
1
C1
100 pF的
2
3
4
5
C2
100 pF的
VCC
GND
L2
220 nH的
50
Ω μstrip
R1
39
C5
1 nF的
P1-1
RF OUT
J2
在RF
J1
50
Ω μstrip
转A4 010720
4-123
初步
RF2325 S21 ， VCC = 2.7 V
22
20
18
16
14
22
20
18
16
14
RF2325
RF2325 S21 ， VCC = 2.7 V
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1.1
2.1
3.1
TEMP = 25°C
温度= 80℃
TEMP = -40°C
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1.1
2.1
3.1
TEMP = 25°C
温度= 80℃
TEMP = -40°C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
4
通用
放大器器
RF2325输入VSWR ， VCC = 2.7 V
3
TEMP = 25°C
温度= 80℃
RF2325输出VSWR ， VCC = 2.7 V
4
TEMP = 25°C
3
2.5
TEMP = -40°C
温度= 80℃
TEMP = -40°C
VSWR
2
VSWR
0.1
1.1
频率（GHz ）
2.1
3.1
2
1.5
1
1
0
0.1
1.1
2.1
3.1
频率（GHz ）
RF2325 S11 ， VCC = 2.7 V ，温度= 25°C
1.0
0.6
RF2325 S22 ， VCC = 2.7 V ，温度= 25°C
1.0
0.6
SWP最大
3.1GHz
2.
0
SWP最大
3.1GHz
2.
0
0.8
0
3.
4.0
5.0
0.8
100MHz
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
10.0
3.0GHz
-4.
0
-5.0
-4.
0
-5.0
-0.2
-0.2
-10.0
-10.0
.0
-0.
6
-0.8
-0.
6
SWP敏
0.1GHz
-0.8
.0
-2
-2
-1.0
转A4 010720
-1.0
-3
-3
.4
-0
.4
-0
10.0
.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.
4
0.2
.0
0.
4
0
3.
4.0
5.0
0.2
100MHz
3.0GHz
10.0
SWP敏
0.1GHz
4-125
QQ：2881677436 复制
