RF2304
通用低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： SOIC - 8
特点
单一2.7V至6.0V电源
6dBm的输出功率
8分贝小信号增益
900MHz
1.8分贝噪声系数为
900MHz
低直流电流消耗
为5mA
300MHz至2500MHz的操作
化
GND 1
GND 2
RF IN 3
GND 4
8 NC
7 VDD
6 RF输出
5 GND
应用
接收或发送低收入
噪声放大器
FDD和TDD通信
系统
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
无线局域网
ISM频段应用
功能框图
产品说明
的RF2304是一个低噪声小信号放大器。该装置上的制
低成本砷化镓MESFET制程，并且已被设计为用作
在高端通信系统增益模块从低于300MHz的运行
以上为2.5GHz 。为+ 6dBm的输出功率，它也可以被用作一个驱动
发送器应用程序，或在高线性接收器。该器件封装在一个
8引线塑料封装，是自包含的，仅需要一个电感器和嵌段
荷兰国际集团的电容来操作。在+ 6dBm的输出功率，加上1.8分贝
噪声系数在900MHz可以让出色的动态范围，适用于各种接收和
传输应用。
订购信息
RF2304
RF2304PCBA-41X
通用低噪声放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A7 DS060908
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
RF2304
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
DD
)
直流电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.5
40
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
mA
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压
工作电流（I
CC
)
分钟。
300
2.7
规范
典型值。
马克斯。
2500
6.0
单位
兆赫
V
mA
条件
8.4
7
11
26
+85
11.7
8.5
1.9
+6.9
+7.5
9.2
1.7
+8.6
+6.9
8.2
1.7
+10.5
+7.5
12.5
10
12
1.9
+8.4
+8.7
9.8
1.9
+10.0
+8
6
8
1.6
+8.0
+6
11
14
-40
V
CC
= 3V ，温度= 27°C
V
CC
= 5V ，温度= 27°C
mA
°C
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
工作环境温度
3V性能
收益
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
频率= 300MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 1950MHz ，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 2450MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
5V性能
收益
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
频率= 300MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
频率= 900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
频率= 1950MHz ，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
频率= 2450MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
2第8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A7 DS060908
RF2304
针
1
2
3
功能
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
直流耦合RF输入。宽带阻抗匹配是由制作间
最终分流电阻反馈。 DC电平是200mV左右。如果一个直流电
在所连接的电路路径存在，外部隔直流电容器
要求正确维护直流工作点。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出。宽带阻抗匹配是由内部产生分流
电阻反馈。被提供的直流连接到电源
通过具有大于150Ω电抗在外部芯片电感
的工作频率。如果外部隔直电容是必需的
下面的电路是不是DC阻断。
V
DD
RF OUT
接口示意图
4
5
6
GND
GND
RF OUT
在RF
7
VDD2
8
NC
偏置控制连接。这个引脚通常连接到电力支持
帘布层，但可用于打开和关闭所述放大器通过切换
之间的电源电压和地。该引脚下沉约
600μA时，连接到V
DD
和源小于10μA时
接地。
无连接。
应用原理
V
DD
1 nF的
1
2
100 pF的
在RF
3
4
6
100 pF的
5
8
7
L1
RF扼流圈
转A7 DS060908
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 8
RF2304
评估板电路图
（从www.rfmd.com下载材料清单）。
P1
P1-1
1
2
NC
3
VCC
GND
P1-1
C3
1 nF的
1
C1
100 pF的
2
3
4
8
7
6
5
C4
1 nF的
L1
82 nH的
C2
100 pF的
J1
在RF
50
Ω μstrip
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
2304400B
评估板布局
1.43” x 1.43”
4 8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A7 DS060908
RF2304
典型特征 - F = 900MHz的
25
15
20
12
收益
15
mA
P1dB
9
分贝， dBm的
6
3
0
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
10
9
8
7
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
2500
3000
10
国际直拨电话
5
NF
0
典型特征 - V
DD
=5.0V
20
18
16
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
0
转A7 DS060908
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 8
RF2304
0
典型应用
接收或发送的低噪声放大器
FDD和TDD通信系统
商业和消费系统
产品说明
的RF2304是一个低噪声小信号放大器。该
装置上的低成本砷化镓制造
MESFET的过程，并且已被设计为用作
在高端通信系统的操作增益模块
从低于300MHz到2.5GHz的上方。与+ 6dBm的
输出功率，它也可被用作在和Transmit驾驶员
器应用程序，或在高线性接收器。该装置是
封装采用8引脚塑料封装，是自CON-
tained ，仅需要一个电感和隔直电容
进行操作。在+ 6dBm的输出功率，加上
1.8分贝噪声系数在900MHz可以让出色的动态
的范围内，适用于各种接收和发送应用程序。
-A-
0.008
0.004
0.018
0.014
通用低噪声放大器
符合RoHS &无铅产品
便携式电池供电设备
无线局域网
ISM频段应用
0.196
0.189
0.050
0.157
0.150
0.244
0.229
0.068
0.053
8 MAX
0 ° MIN
0.034
0.016
0.009
0.007
注意事项：
1.阴影铅引脚1 。
2.所有尺寸均不含
塑模的毛边。
3.引脚共面性 -
0.005相对于基准"A" 。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： SOIC - 8
特点
单2.7V至6.0V电源
6dBm的输出功率
8分贝小信号增益在900MHz
1.8分贝噪声系数在900MHz
低直流电流为5mA消费
300MHz至2500MHz的运行
GND 1
GND 2
RF IN 3
GND 4
8 NC
7 VDD
6 RF输出
5 GND
订购信息
RF2304
通用低噪声放大器
RF2304PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A7 060908
4-201
RF2304
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
DD
)
直流电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+6.5
40
+10
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
mA
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
工作范围
整个频率范围
电源电压
工作电流（I
CC
)
工作环境温度
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
300
2.7
7
-40
8.4
11
2500
6.0
26
+85
单位
兆赫
V
mA
mA
°C
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
条件
V
CC
= 3V ，温度= 27°C
V
CC
= 5V ，温度= 27°C
3V性能
收益
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
11.7
8.5
1.9
+6.9
+7.5
9.2
1.7
+8.6
+6.9
8.2
1.7
+10.5
+7.5
12.5
12
1.9
+8.4
+8.7
9.8
1.9
+10.0
+8
8
1.6
+8.0
+6
频率= 300MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 900MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 1950MHz ，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
频率= 2450MHz的，V
CC
= 3V ，温度= 27°C
5V性能
收益
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
收益
噪声系数
输入IP3
OP1dB
10
14
频率= 300MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
频率= 900MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
频率= 1950MHz ，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
6
11
频率= 2450MHz的，V
CC
= 5V ，温度= 27°C
4-202
转A7 060908
RF2304
针
1
2
3
功能
GND
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同的引脚1 。
直流耦合RF输入。宽带阻抗匹配是由生产
内置分流电阻反馈。 DC电平大约是
200mV的。如果直流路径中的连接电路，外部直流存在
隔直电容必须正确维护直流工作
点。
相同的引脚1 。
相同的引脚1 。
RF输出。宽带阻抗匹配是由内部产生
分流电阻反馈。直流连接至所述电源是
通过具有大于150Ω外部芯片电感器提供
电抗在工作频率。外部隔直流电容
需要器如果下列电路没有直流阻断。
V
DD
RF OUT
接口示意图
4
5
6
GND
GND
RF OUT
在RF
7
VDD2
8
NC
偏置控制连接。这个引脚通常连接到电力
供应，但可用于打开和关闭所述放大器通过切换
之间的电源电压和地。该引脚近似汇
三方共同600μA时，连接到V
DD
和源小于10μA
接地时。
无连接。
应用原理
V
DD
1 nF的
1
2
100 pF的
在RF
3
4
6
100 pF的
5
8
7
L1
RF扼流圈
转A7 060908
4-203
QQ：2880707522 复制
