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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第616页 > RF2196PCBA-41X
RF21963V
PCS线性
电源扩增
费里
RF2196
3V PCS线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 4 ×4
在RF
GND
NC
NC
14
8
RF OUT
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
35 %的线性效率
低功耗模式(最多
20dBm)
55毫安空闲电流
VPD1 2
模式3
VPD2 4
1
16
15
13
12 VCC1
11 VCC1
10 VCC
5
GND
6
NC
7
RF OUT
应用
3V CDMA PCS手机
3V CDMA手机金伯利进程证书制度
3V TDMA /步态PCS手机
3V CDMA 2000 PCS手 -
扩频系统
便携式电池供电
设备
功能框图
产品说明
该RF2196是一种高功率,高效率的线性放大器IC瞄准
3V手持系统。该设备采用先进的GAL-制造
lium砷化物的过程,并且已被设计为用作为最终的射频
放大器在3V CDMA和CDMA2000手机以及其它应用
系统蒸发散在1750MHz至1910MHz ,以波段。该RF2196具有低的功率
模式,以延长电池寿命的低输出功率的条件下。该封装
年龄是一个超小型4mmx4mm , 16引脚QFN封装胶与背景
侧接地。
订购信息
RF2196
RF2196PCBA-41X
3V PCS线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A3 DS070730
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
GND
NC
9
1 12
RF2196
绝对最大额定值
参数
电源电压( RF关闭)
电源电压(P
OUT
≤31dBm)
模式电压(V
模式
)
控制电压(V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+3.0
+10
-30到+110
-30至+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
高功率状态
(V
模式
低)
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
总的线性效率
邻道功率抑制
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
1850
25
27
-50
-63
29
35
-46
-62
<2 : 1
1910
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
P
OUT
=29dBm
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
dBm / Hz计
在80MHz偏移。
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
-44
-56
10:1
6:1
dBc的
dBc的
-141
低功耗状态
(V
模式
HIGH )
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
我最大
CC
邻道功率抑制
输入VSWR
输出VSWR
16
1850
16
20
-45
-60
20
160
<-50
<-60
2:1
10:1
6:1
-46
-58
1910
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
P
OUT
= + 16dBm时(所有电流含税)
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2 12
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A3 DS070730
RF2196
参数
高功率状态CDMA 2000
1X (V
模式
低)
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率抑制
试点FCH + 9600 + 9600 SCH0
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率抑制
29
-46
-63
DBM
dBc的
dBc的
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz
1850
19
16
20
-52
-65
试点FCH + 9600 + 9600 SCHO
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率抑制
16
20
-52
-65
DBM
dBc的
dBc的
4.2
V
mA
mA
10
1
10
0
2.75
0
2.0
2.85
0.5
2.95
0.5
3.0
mA
mA
μA
V
V
V
V
V
REG
ULOW
V
模式
ULOW
V
模式
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
1910
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
5.4分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
26.5
-49
-61
DBM
dBc的
dBc的
包括IS95D 5.4分贝高峰2.5分贝退避
到平均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
1850
27
1910
兆赫
dB
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
低功耗状态CDMA 2000
1X (V
模式
HIGH )
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率抑制
DC电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
V
模式
当前
总电流(关机)
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
模式
“低”电压
V
模式
“高”电压
3.0
3.4
185
55
5
转A3 DS070730
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2196
1
2
3
4
5
6
功能
GND
VREG1
模式
VREG2
GND
NC
描述
该引脚内部接地到模具的标志。
掉电控制第一阶段。稳压电源的放大器
偏见。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
需要是低( <0.5V ) 。
对于正常操作(高增益模式) ,V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平,驱动器和最终被动态地缩放,以减小器件尺寸
其结果,以减少空闲的电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
连接通过15nH电感接地平面。直流回报为第二阶段
偏置电路。
该引脚没有内部粘接;因此,该引脚可以连接到
输出引脚7 ,连接到接地平面,或者不连接。轻微的调谐
荷兰国际集团的输出匹配,可能需要由于杂散电容
引脚。
RF输出和电源,用于最后阶段。这是无与伦比的收藏家
输出第二级的。继匹配的DC块需要
组件。偏压可通过用于谐振的并联LC组提供
南切在1710MHz的操作频率至1910MHz 。重要的是
选择与使用1A的额定电流非常低直流电阻的电感。
可替代地,分流微带技术也适用,并提供
非常低的直流电阻。低频旁路所需的稳定性。
同7脚。
该引脚内部接地到模具的标志。
供应偏置参考电路和控制电路。高频旁路
可能是必要的。
电源的第一级和级间匹配。销11和12应
由一个共同的跟踪连接,其中所述销与所述印刷电路
板。
同11脚。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚(引脚11和改进的隔离
12).
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚(引脚11和改进的隔离
12).
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚(引脚11和改进的隔离
12).
RF输入。外部15pF的电容串联,需要一个DC块。在
此外,所示的匹配电路是必需的,以改善输入VSWR 。
在RF
3.6 pF的
GND1
BIAS
阶段
接口示意图
7
RF OUT
RF OUT
偏见
8
9
10
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
VCC
VCC1
VCC1
NC
NC
NC
在RF
见第7脚。
VCC1
15 pF的
TL
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到一
顶侧接地焊盘,其连接到所述接地平面具有多个
过孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
4 12
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A3 DS070730
RF2196
封装图
0.10 C B
-B-
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸(mm) 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
转A3 DS070730
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2196
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
3V CDMA PCS手机
3V CDMA手机金伯利进程证书制度
3V TDMA /步态PCS手机
产品说明
该RF2196是一种高功率,高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓工艺制造,
并已被设计用作最后的RF放大器
3V CDMA和CDMA2000手机以及其它
应用程序在1750MHz至1910MHz ,以波段。该
RF2196具有低功耗模式,以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该包是一个
超小型4mmx4mm , 16引脚QFN封装的塑料带
擦屁股地。
0.10 C B
-B-
3V PCS线性功率放大器
3V CDMA 2000 PCS手机
扩频系统
- 便携式电池供电设备
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸(mm) 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
35 %的线性效率
在RF
GND
NC
NC
NC
低功耗模式(高达20dBm的)
55毫安空闲电流
1
VPD1 2
模式3
VPD2 4
5
GND
16
15
14
13
12 VCC1
11 VCC1
10 VCC
订购信息
6
NC
7
RF OUT
8
RF OUT
9
GND
RF2196
3V PCS线性功率放大器
RF2196PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A2 060918
2-345
RF2196
绝对最大额定值
参数
电源电压( RF关闭)
电源电压(P
OUT
≤31dBm)
模式电压(V
模式
)
控制电压(V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+3.0
+10
-30到+110
-30至+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
(在此打印的时间) 。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
参数
高功率状态
(V
模式
低)
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
总的线性效率
邻道功率Rejec-
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
1850
25
1910
27
-50
-63
29
35
-46
-62
<2 : 1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
在80MHz偏移。
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
-44
-56
10:1
6:1
-141
dBm / Hz计
低功耗状态
(V
模式
HIGH )
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
( CDMA调制)
我最大
CC
邻道功率Rejec-
输入VSWR
输出VSWR
1850
16
1910
20
-45
-60
20
160
<-50
<-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
16
-46
-58
10:1
6:1
P
OUT
= + 16dBm时(所有电流含税)
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2-346
转A2 060918
RF2196
参数
高功率状态CDMA
2000 1X (V
模式
低)
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
试点FCH + 9600 + 9600 SCH0
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
1850
27
26.5
-49
-61
29
-46
-63
1910
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
包括IS95D 5.4分贝高峰2.5分贝退避
到平均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2V至3V ,频率= 1850MHz到
1910MHz
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例中T = 25 ° C,V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ,频率= 1850MHz到
1910MHz (除非另有规定)
低功耗状态CDMA
2000 1X (V
模式
HIGH )
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
试点FCH + 9600 + 9600 SCHO
最大线性输出功率
( CDMA 2000调制)
邻道功率Rejec-
1850
19
16
20
-52
-65
16
20
-52
-65
1910
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dBc的
dBc的
4.2
V
mA
mA
mA
mA
μA
V
V
V
V
5.4分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
4.5分贝峰均在1%的CCDF
ACPR@1.25MHz
ACPR@2.25MHz
DC电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
V
模式
当前
总电流(关机)
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
模式
“低”电压
V
模式
“高”电压
3.0
3.4
185
55
5
V
模式
ULOW
V
模式
0
2.75
0
2.0
2.85
10
1
10
0.5
2.95
0.5
3.0
V
REG
ULOW
转A2 060918
2-347
RF2196
1
2
3
4
5
6
功能
GND
VREG1
模式
VREG2
GND
NC
描述
该引脚内部接地到模具的标志。
掉电控制第一阶段。稳压电源的扩增
费里的偏见。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
对于正常操作(高增益模式) ,V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平,驱动器和最终被动态地缩放,以降低器件
大小,其结果,以减少空闲的电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下, V
REG
和V
模式
LOW ( <0.5V ) 。
连接通过15nH电感接地平面。直流回用于第二
级的偏置电路。
该引脚没有内部粘接;因此,该引脚可以连接
到输出端7 ,连接到接地平面,或者不连接。轻微
输出匹配的调整可能需要由于杂散电容
PIN码。
RF输出和电源,用于最后阶段。这是无与伦比的同事
RF OUT
第二级的讲师输出。直流模块需要继
匹配元件。偏压可以经由平行的L-C提供
设置为谐振于1710MHz的工作频率,以1910MHz 。
偏见
选择电感器带有一个非常低的直流电阻是很重要的
1A的额定电流。可替换地,并联微带技术也
适用,提供非常低直流电阻。低频bypass-
ING需要稳定。
同7脚。
见第7脚。
该引脚内部接地到模具的标志。
供应偏置参考电路和控制电路。高频bypass-
荷兰国际集团可能是必要的。
电源的第一级和级间匹配。销11和12
应通过一个共同的跟踪,其中所述销与所述连接
印刷电路板。
同11脚。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
建议将这些引脚被连接到接地平面
之间的RF IN (引脚16)和VCC1引脚改善隔离(销11
和12)。
RF输入。外部15pF的电容串联,需要一个DC块。
此外,所示的匹配电路是必需的,以提高输入
VSWR 。
接口示意图
7
RF OUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
VCC
VCC1
VCC1
NC
NC
NC
在RF
VCC1
15 pF的
在RF
3.6 pF的
GND1
BIAS
阶段
TL
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘,其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
2-348
转A2 060918
RF2196
应用原理
美国 - CDMA
在RF
匹配网络
最佳的输入回波损耗
15 pF的
3.6 pF的
旁路为
V
REG1
和V
REG2
间调谐定心
频率响应
RF扼流圈 - 偏置电感
用于放大器级间
TL4
+
VREG
1
μF
跨接器
跨接器
1 kΩ
15 pF的
1
2
3
4
16
15
14
13
12
11
10
11 pF的
TL
3
10 nF的
铁素体
10
Ω
绕过了V
CC
VMODE
1
μF
+
VCC
15 pF的
15 pF的
5
6
7
8
9
偏回归
12 nH的
匹配网络
最佳负载阻抗
4.7 pF的
TL
2
2.2 pF的
TL
1
2.5 nH的
15 pF的
2.2 pF的
10 nF的
4.7
μF
15 pF的
管脚1和9在内部接地到模具标志。
传输
线长
RF OUT
CDMA (美国)
TL
1
30 MILS
TL
2
140密耳
TL
3
15密耳
TL
4
200密耳
转A2 060918
2-349
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